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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMKT3920 TR PBFRE | 0.4100 | ![]() | 617 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKT3920 | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 200mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | BC212B PBFRE | 0.2475 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC212 | 300兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 50 V | 200 ma | 15NA(icbo) | PNP | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N3584 PBFRE | 12.4700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 250 v | 2 a | 5mA | NPN | 750mv @ 125mA,1a | 25 @ 1A,10V | 10MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP375-CWDM3011N-WN | - | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP375-CWDM3011N-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 18,670 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 6.3 NC @ 5 V | ±20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5W | ||||||||||||||
2N6433 PBFRE | 4.2300 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 100 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||
2N3716 PBFRE | 6.3500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 150 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 80 V | 10 a | - | NPN | 800mv @ 500mA,5a | 50 @ 1A,2V | 4MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287-WN | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||
2N4234 PBFRE | 1.2511 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 40 V | 1 a | 1ma | PNP | 600mv @ 125mA,1a | 30 @ 250mA,1V | 3MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MPQ2369锡/铅 | 6.0800 | ![]() | 133 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ2369 | 500MW | TO-116 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 25 | 15V | 500mA | 400NA(ICBO) | 4 npn(Quad) | 250mv @ 1mA,10mA | 20 @ 100mA,2V | 450MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP681-MPSH81-CM | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | - | 20V | 50mA | PNP | 60 @ 5mA,10v | 600MHz | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 提示101 | - | ![]() | 1004 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 提示101cs | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 V | 8 a | 50µA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 80mA,8a | 1000 @ 3A,4V | 4MHz | ||||||||||||||||||
2N2721 | - | ![]() | 8177 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N272 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
2N4036 PBFRE | 2.8200 | ![]() | 462 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 65 v | 1 a | 1µA(ICBO) | PNP | 650mv @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10V | 60MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CMXT2207 TR PBFRE | - | ![]() | 9909 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT2207 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V,60V | 600mA | 10NA(ICBO) | NPN,PNP | 1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz,200MHz | |||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7120-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
2N3807 | - | ![]() | 5140 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 300 @ 1mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP373-CMPDM303NH-CT | - | ![]() | 1779年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||
![]() | CYT5551HCD BK | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT5551 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT55551HCDBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 1a | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
2N2218A PBFRE | 2.1500 | ![]() | 283 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10V | 250MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M621H bk | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 20 v | 950mA(ta) | 1.8V,4.5V | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | TIP42B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示42 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 6 a | 400µA | PNP | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MJE13007 SL | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-MJE13007SL | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 400 v | 8 a | 1ma | NPN | 3V @ 2a,8a | 8 @ 2a,5v | 4MHz | |||||||||||||||||
![]() | TIP35C | - | ![]() | 6933 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | tip35ccs | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 25 a | - | NPN | - | 10 @ 15a,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TIP41A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示41 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CMUT5551E BK | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5mA,50mA | 120 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP305-2N3019-CT | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N4410锡/铅 | - | ![]() | 4806 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 80 V | 250 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 100µA,1mA | 60 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BU407 PBFRE | 1.1223 | ![]() | 8109 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU407 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 v | 7 a | 100NA | NPN | 1V @ 500mA,5a | - | 10MHz | |||||||||||||||||
![]() | cmxt2907a tr pbfree | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT2907 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 600mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||
2N3727 | - | ![]() | 6753 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N372 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 300mA | - | 2 PNP (双) | - | 135 @ 1mA,5V | 200MHz |
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