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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
MPQ2369锡/铅	6.0800	RFQ	133	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ2369		500MW	TO-116	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25													15V	500mA	400NA（ICBO）	4 npn（Quad）	250mv @ 1mA，10mA	20 @ 100mA，2V	450MHz
CEN894	-	RFQ	8254	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	CEN8		-	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1													-	-	-	-	-	-	-
2N3585 PBFRE	12.4700	RFQ	3	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			35 w	到66	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													300 v	2 a	5mA	NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	10MHz
BCX56-16 TR	-	RFQ	1752年	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1.3 w	SOT-89	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
2N4900	-	RFQ	4234	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			25 w	到66	下载			到达不受影响	1514-2N4900	Ear99	8541.29.0095	1													80 V	1 a	-		-	-	3MHz
cxta92 tr pbfree	1.4600	RFQ	9	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXTA92		1.2 w	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													300 v	500 MA	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
CXDM3069N TR PBFRE	0.6000	RFQ	550	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXDM3069	MOSFET （金属 o化物）		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		30 V	6.9a（ta）	2.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1.4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	12V	580 pf @ 15 V	-	1.2W（TA）
2N6433 PBFRE	4.2300	RFQ	8593	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													300 v	100 ma	250NA（ICBO）	PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
CP223-2N3866-WN	-	RFQ	3930	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			-	死	-				1514-CP223-2N3866-WN	过时的		500		10dB											30V	400mA		NPN		10 @ 50mA，5V	500MHz	-
CMLT2907A BK PBFREE	0.1322	RFQ	5933	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLT2907		350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													60V	600mA	10NA（ICBO）	2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
CYT5551HCD TR	-	RFQ	8393	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-228	CYT5551		2W	SOT-228	下载				1514-CYT555551HCDTR	Ear99	8541.29.0075	1													160V	1a	50NA（iCBO）	2 NPN （双）	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	100MHz
2N3053 PBFRE	2.8200	RFQ	334	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			5 w	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													40 V	700 MA	-	NPN	1.4V @ 15mA，150mA	50 @ 150mA，10V	100MHz
TIP36B	-	RFQ	7131	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3			125 w	TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100													80 V	25 a	-	PNP	-	10 @ 15a，4V	3MHz
CDM7-650 bk	-	RFQ	4502	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-				1514-CDM7-650BK			1	n通道		650 v	7a（ta）	10V	1.5OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	30V	754 pf @ 25 V	-	1.12W（TA），140W（tc）
CJD122 TR13	-	RFQ	8483	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	CJD122		1.75 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													100 v	8 a	10µA	npn-达灵顿	4V @ 80mA，8a	1000 @ 4A，4V	4MHz
2N5088 PBFRE	0.4900	RFQ	15	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500													30 V	50 mA	50NA（iCBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	300 @ 100µA，5V	50MHz
2N6545 PBFRE	4.8672	RFQ	3539	中央半导体公司	-	管子	上次购买	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20													400 v	8 a	-	NPN	5V @ 2a，8a	7 @ 5a，3v	28MHz
2N5401锡/铅	0.2241	RFQ	4815	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500													150 v	600 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BCX56 TR	-	RFQ	5922	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1.3 w	SOT-89	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1,000													80 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
CMUT5401E TR	-	RFQ	9992	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490			250兆	SOT-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													220 v	600 MA	50NA	PNP	150mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	300MHz
CP396V-2N2369A-CT20	150.5200	RFQ	3	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	CP396V-2N2369A-CT20 PBFREE	Ear99	8541.29.0095	1													15 v	200 MA	400NA（ICBO）	NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	500MHz
CP337V-2N4013-CT20	-	RFQ	3343	中央半导体公司	-	托盘	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			360兆w	死	下载				1514-CP337V-2N4013-CT20	Ear99	8541.21.0040	20													30 V	1 a	10µA	NPN	750mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	300MHz
2N2925 PBFRE	0.8700	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500													25 v		100NA（ICBO）	NPN	-	-	160MHz
CMXT2207 TR PBFRE	-	RFQ	9909	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CMXT2207		350MW	SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40V，60V	600mA	10NA（ICBO）	NPN，PNP	1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz，200MHz
CP805-CXDM4060P-CT	-	RFQ	5213	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP805	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP805-CXDM4060P-CT	Ear99	8541.29.0040	400	P通道		40 V	6.4a（ta）		31MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA		±20V		-	-
2N3646	-	RFQ	7724	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-106-3 DOMED			200兆	TO-106	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500													15 v	200 MA	500NA	NPN	500mv @ 30mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	350MHz
2N3701	-	RFQ	6764	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2N3701 PBFRE	Ear99	8541.29.0075	2,000													80 V	1 a	10NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	80MHz
2N3807	-	RFQ	5140	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N380		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1													60V	50mA	-	2 PNP （双）	-	300 @ 1mA，5v	100MHz
2N4870	-	RFQ	5533	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			300兆	到92	下载		不适用			Ear99	8541.21.0095	2,500															-	PNP	-	-	-
2N4033 PBFRE	2.6000	RFQ	10	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1.25 w	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500													80 V	1 a	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	400MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²