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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BU407 PBFRE | 1.1223 | ![]() | 8109 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU407 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 v | 7 a | 100NA | NPN | 1V @ 500mA,5a | - | 10MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP617-CEN1271-WN | - | ![]() | 3769 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CEN1271-WN | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
2N3716 PBFRE | 6.3500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 150 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 80 V | 10 a | - | NPN | 800mv @ 500mA,5a | 50 @ 1A,2V | 4MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TIP2955 | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 90 W | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP2955CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 15 a | - | PNP | - | 20 @ 4A,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
![]() | 提示111 | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 50 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP111CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 2 a | 2mA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11015-WR | - | ![]() | 8029 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT3410-M621 TR | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6个PowerVFDFN | 900兆 | TLM621 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832DS TR | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM8120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 860ma(ta) | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 4.5V | 200pf @ 16V | - | |||||||||||||||||
![]() | CMLDM8005 TR PBFRE | 0.7600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM8005 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 650mA | 360MOHM @ 350mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | 100pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | TIP41A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 3642 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示41 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
2N4037 PBFRE | 2.4100 | ![]() | 621 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 1 a | 250NA(ICBO) | PNP | 1.4V @ 15mA,150mA | 50 @ 150mA,10V | 60MHz | |||||||||||||||||||
CEN947 | - | ![]() | 9334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN9 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | CZT32C TR | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CZT32CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 3 a | 300µA | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N5822 PBFRE | 1.8000 | ![]() | 3682 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 1.5 w | 到92 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 70 v | 750 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 1.2V @ 50mA,500mA | 100 @ 2mA,2V | 120MHz | ||||||||||||||||||
2n3810a | - | ![]() | 8061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N3810 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 250mv @ 1mA,100µA | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CYT5551HCD TR | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT5551 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT555551HCDTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 1a | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP223-2N3866-WN | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | - | 1514-CP223-2N3866-WN | 过时的 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 10 @ 50mA,5V | 500MHz | - | |||||||||||||||||||||
2N6433 PBFRE | 4.2300 | ![]() | 8593 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 100 ma | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 10mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CXDM3069N TR PBFRE | 0.6000 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXDM3069 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 30 V | 6.9a(ta) | 2.5V,10V | 30mohm @ 7a,10v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | 12V | 580 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) | |||||||||||||
2N3019 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3392 PBFRE | 0.6800 | ![]() | 717 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 100NA(ICBO) | NPN | - | 150 @ 2mA,4.5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CP235-2N3715-CT | - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP235 | 150 w | 死 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CP235-2N3715-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 a | 1ma | NPN | 800mv @ 500mA,5a | 50 @ 1A,2V | 4MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-WN | - | ![]() | 1514年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SE9400 | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 10 a | 200µA(ICBO) | pnp-达灵顿 | 2.5V @ 150mA,7.5a | 100 @ 7.5A,3V | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N5375 PBFRE | 0.2259 | ![]() | 5101 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 360兆w | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 1.3V @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10v | 150MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP208-CEN1315-CT | - | ![]() | 7793 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP208-CEN1315-CTTB | Ear99 | 8541.29.0040 | 1,000 | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
2N3866 PBFRE | - | ![]() | 6740 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 30V | 400mA | NPN | 10 @ 50mA,5V | 500MHz | - | |||||||||||||||||||
![]() | 2N1131 PBFRE | - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 50 V | 600 MA | 100µA(ICBO) | PNP | 1.5V @ 15mA,150mA | 20 @ 150mA,10V | 50MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TIP41B PBFRE | 0.6296 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示41 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP591X-2N2907A-CT20 | 150.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CP591X-2N2907A-CT20 PBFREE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz |
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