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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
mpsa42锡/铅	0.1429	RFQ	3364	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA42		625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500														300 v	500 MA				100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
CP305-2N3019-CT	-	RFQ	4798	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0040	1														80 V	1 a				10NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
CTLT853-M833 BK	-	RFQ	5417	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫			2.5 w	TLM833	下载				1514-CTLT853-M833BK	Ear99	8541.29.0095	1														110 v	6 a				10NA	NPN	340mv @ 500mA，5a	100 @ 2a，2v	190MHz
2N5794	-	RFQ	5131	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N579		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1														40V	600mA				-	2 NPN （双）	-	100 @ 150mA，10V	250MHz
CDM7-650 bk	-	RFQ	4502	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-				1514-CDM7-650BK			1		n通道		650 v	7a（ta）	10V	1.5OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	30V	754 pf @ 25 V	-	1.12W（TA），140W（tc）
CP618-CM5583-WN	-	RFQ	9495	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			-	死	-				1514-CP618-CM5583-WN	过时的		500			-											30V	500mA					PNP		25 @ 100mA，2V	1.3GHz	-
CP147-MJ11016-WN	-	RFQ	8628	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死			200 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP147-MJ11016-WN	Ear99	8541.29.0095	1														120 v	30 a				1ma	npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	4MHz
BCY59-VII PBFRE	1.0545	RFQ	8553	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	BCY59		1 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000														45 v	100 ma				10NA（ICBO）	NPN	700mv @ 2.5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
2N3807	-	RFQ	5140	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N380		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1														60V	50mA				-	2 PNP （双）	-	300 @ 1mA，5v	100MHz
CP527-2N6299-CT	-	RFQ	2193	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0040	1														80 V	8 a				500µA	pnp-达灵顿	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	4MHz
CMPDM303NH BK	-	RFQ	5822	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,500		n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 1.8A，4.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
CEN1131 BK PBFRE	-	RFQ	6036	中央半导体公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CEN1131BKPBFRE	过时的		1
MJE180 pbfree	1.9400	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	上次购买	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	MJE180		1.5 w	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														40 V	3 a				100NA（ICBO）	NPN	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
2N6316 PBFRE	-	RFQ	2277	中央半导体公司	-	大部分	过时的								下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-2N6316PBFRE	Ear99	8541.29.0095	1
MD7003A	-	RFQ	8788	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	MD700		-	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1														40V	50mA				-	2 PNP （双）	-	40 @ 100µA，10V	200MHz
2N6545 PBFRE	4.8672	RFQ	3539	中央半导体公司	-	管子	上次购买	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w	TO-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20														400 v	8 a				-	NPN	5V @ 2a，8a	7 @ 5a，3v	28MHz
CP147-MJ11016-CT	-	RFQ	1277	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死			200 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP147-MJ11016-Tr	Ear99	8541.29.0095	1														120 v	30 a				1ma	npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	4MHz
2N3820	-	RFQ	8008	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			360兆w	到92	下载					Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道		20 v							32pf @ 10V					20 v	300 ma @ 10 V	8 V @ 10 µA
CDM22012-800LRFP SL	-	RFQ	4324	中央半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	CDM22012	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	12a（12a）	10V	450MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	52.4 NC @ 10 V	30V	1090 pf @ 100 V	-	40W（TC）
2N3392 PBFRE	0.6800	RFQ	717	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500														25 v					100NA（ICBO）	NPN	-	150 @ 2mA，4.5V	120MHz
CMLDM8005 TR PBFRE	0.7600	RFQ	12	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM8005	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	650mA		360MOHM @ 350mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		100pf @ 16V	逻辑级别门
2N4234 PBFRE	1.2511	RFQ	3556	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														40 V	1 a				1ma	PNP	600mv @ 125mA，1a	30 @ 250mA，1V	3MHz
BSX63-10	-	RFQ	1125	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			5 w	到39	下载			到达不受影响	1514-BSX63-10	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	3 a				100NA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，1V	200MHz
2N3702 PBFRE	0.5600	RFQ	2	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500														25 v					100NA（ICBO）	PNP	-	60 @ 50µA，5V	100MHz
CTLDM8120-M621H bk	-	RFQ	7213	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM621H	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		20 v	950mA（ta）	1.8V，4.5V	150MOHM @ 950mA，4.5V	1V @ 250µA	3.56 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 16 V	-	1.6W（TA）
CTLM7410-M832D BK	-	RFQ	5789	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLM7410		1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLM7410-M832DBK	Ear99	8541.29.0075	1														25V	1a				100NA（ICBO）	2 PNP （双）	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
2N4238	-	RFQ	2748	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			6 W	到39	下载			到达不受影响	1514-2N4238	Ear99	8541.29.0095	1														60 V	3 a				700µA	PNP	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	3MHz
TIP41A PBFRE	0.6296	RFQ	3642	中央半导体公司	-	大部分	上次购买	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示41		65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														60 V	6 a				700µA	NPN	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
CMKT3946 TR PBFRE	0.4900	RFQ	8	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	CMKT3946		350MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40V	200mA				-	NPN，PNP	300mv @ 5mA，50mA / 400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz，250MHz
MPQ2369锡/铅	6.0800	RFQ	133	中央半导体公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ2369		500MW	TO-116	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25														15V	500mA				400NA（ICBO）	4 npn（Quad）	250mv @ 1mA，10mA	20 @ 100mA，2V	450MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²