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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
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![]() | CEN1373 bk锡/铅 | - | ![]() | 9200 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN1373BKTIN/LEAD | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP388X-BC107A-CT | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp388 | 600兆 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP388X-BC107A-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 45 v | 200 ma | 15NA(icbo) | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | ||||||||||||||||||
![]() | 2n3391a pbfree | 0.7200 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 100NA(ICBO) | NPN | - | 250 @ 2mA,4.5V | 120MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CP608-H2N3741-CM | - | ![]() | 2978 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP608 | 25 w | 死 | - | 到达不受影响 | 1514-CP608-H2N3741-CM | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 80 V | 4 a | 1ma | PNP | 600mv @ 125mA,1a | 40 @ 100mA,1V | 4MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M621H TR | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 950mA(ta) | 1.8V,4.5V | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | CWDM305N TR13 PBFRE | 0.1214 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CWDM305 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 5.8A(ta) | 5V,10V | 30mohm @ 2.9a,10v | 3V @ 250µA | 6.3 NC @ 5 V | 20V | 560 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||
2N5339 | - | ![]() | 4386 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 6 W | 到39 | 下载 | (1 (无限) | 2N5339CS | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | 30MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833S TR | - | ![]() | 3168 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT853-M833STR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 100 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC808-16 bk | - | ![]() | 3339 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 1514-BC808-16BK | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmxt2907a tr pbfree | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT2907 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 600mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP310-MPSA42-CT20 | 150.5200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP310 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CP310-MPSA42-CT20 PBFRE | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | - | |||||||||||||||||
2n3866a pbfree | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-2N3866APBFRE | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA,5V | 800MHz | - | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3906 PBFRE | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 50NA(iCBO) | PNP | - | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | cmxt3906 tr pbfree | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT3906 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | 2 PNP (双) | 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||
2N4918 PBFRE | 0.8115 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 30 W | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 40 V | 1 a | 100µA(ICBO) | PNP | 600mv @ 100mA,1a | 40 @ 50mA,1V | 3MHz | |||||||||||||||||||
CEN-U05 PBFRE | 2.9600 | ![]() | 623 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | CEN-U05 | 1.75 w | 到202 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 60 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 25mA,250mA | 20 @ 500mA,1V | 50MHz | ||||||||||||||||||
2n2222a pbfre | 2.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 500兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP307-MPSA27-CT | - | ![]() | 2451 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 625兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP307-MPSA27-CT | Ear99 | 8541.21.0075 | 400 | 60 V | 500 MA | 500NA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC857C TR PBFRE | 0.1016 | ![]() | 5533 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC857 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 50mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP616-CM5160-WN | - | ![]() | 6013 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | - | 1514-CP616-CM5160-WN | 过时的 | 500 | - | 40V | 400mA | PNP | 10 @ 50mA,5V | 500MHz | - | |||||||||||||||||||||
![]() | CP647-2N6287-WN | - | ![]() | 1674年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 4MHz | ||||||||||||||||||||
2N4033 PBFRE | 2.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1.25 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 80 V | 1 a | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,5V | 400MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N6715-18锡/铅 | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-237AA | 1 w | TO-237 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | 500MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLT7410-M521 BK | - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-POWERTFDFN | 900兆 | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT7410-M521BK | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | MPS751锡/铅 | 0.1614 | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MPS751 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 60 V | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 200mA,2a | 75 @ 1A,2V | 75MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N4250 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | 200兆 | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 10NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 500µA,10mA | 250 @ 10mA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BU806 PBFRE | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU806 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 8 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 50mA,5a | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CP788X-2N2605-CT | - | ![]() | 9324 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 400兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP788X-2N2605-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 45 v | 30 ma | 10NA | 500MV @ 500µA,10mA | 150 @ 500µA,5V | |||||||||||||||||||
![]() | CEDM8004VL TR PBFRE | 0.3900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8004 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883VL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | P通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 1.1OHM @ 430mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.88 NC @ 4.5 V | 8V | 55 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7120-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 |
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