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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CTLT853-M833 BK | - | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2.5 w | TLM833 | 下载 | 1514-CTLT853-M833BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 110 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLT7410-M521 BK | - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-POWERTFDFN | 900兆 | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT7410-M521BK | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLT3410-M521 TR | - | ![]() | 9636 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-POWERTFDFN | 900兆 | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT3410-M521TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLM8110-M832D BK | - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM8110-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 20 v | 860ma(ta) | 1.8V,4.5V | 240MOHM @ 200mA,1.8V | 1V @ 250µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.65W(TA) | ||||||||||||||
![]() | PN5910 TRE | - | ![]() | 1691年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 310 MW | 到92 | - | 1514-PN5910TRE | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 50 mA | 10NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,1V | 700MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLM7410-M832D BK | - | ![]() | 5789 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLM7410 | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM7410-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25V | 1a | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CYT5551HCD TR | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT5551 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT555551HCDTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 1a | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CYT5551D TR | - | ![]() | 7168 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT5551 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT555551DTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 600mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMPQ2222A TR13 | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | MMPQ2222 | 1W | 16-Soic | - | 1514-MMPQ2222ATR13 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 500mA | 10NA | 4 npn(Quad) | 1V @ 50mA,500mA | 100mA @ 150mA,10v | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | CYT5551HCD BK | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT5551 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT55551HCDBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 1a | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CTLDM7181-M832D TR | - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7181 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7181-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | - | |||||||||||||||
![]() | CTLM1034-M832D BK | - | ![]() | 9830 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | 1.65 w | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM1034-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN +二极管(隔离) | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7120-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | MJE13007 SL | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-MJE13007SL | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 400 v | 8 a | 1ma | NPN | 3V @ 2a,8a | 8 @ 2a,5v | 4MHz | |||||||||||||||
![]() | CEN1373 TR PBFRE | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1373 bk锡/铅 | - | ![]() | 9200 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN1373BKTIN/LEAD | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC808-16 bk | - | ![]() | 3339 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 1514-BC808-16BK | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN747 PBFRE | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN747PBFRE | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3054A锡/铅 | - | ![]() | 4378 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N3054ATIN/LEAD | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN867 TR锡/铅 | - | ![]() | 6371 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN867TRTIN/LEADTR | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN747 TR PBFRE | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN747TRPBFREETR | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6316 PBFRE | - | ![]() | 2277 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N6316PBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1131 BK TIN/LEAD | - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN1131BKTIN/LEAD | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT32C TR | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CZT32CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 3 a | 300µA | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4299 | - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 20 w | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N4299 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 600µA | 750mv @ 5mA,50mA | 50 @ 50mA,10v | 20MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2N3741 | - | ![]() | 7922 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 25 w | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N3741 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 4 a | 1ma | 600mv @ 125mA,1a | 40 @ 100mA,1V | 4MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2N4900 | - | ![]() | 4234 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 25 w | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N4900 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 a | - | - | - | 3MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CEN853 | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 1514-CEN853 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP36C TO-247 | - | ![]() | 2075 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 125 w | TO-247 | 下载 | 1514-TIP36CTO-247 | 过时的 | 1 | 100 v | 25 a | 1ma | NPN | 4V @ 5a,25a | 25 @ 1.5A,4V | 2MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CXDM3069N BK | - | ![]() | 1922年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-89 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CXDM3069NBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 6.9a(ta) | 2.5V,10V | 30mohm @ 7a,10v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | 12V | 580 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) |
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