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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP681-MPSH81-CM | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | - | 20V | 50mA | PNP | 60 @ 5mA,10v | 600MHz | - | |||||||||||||||||||
![]() | BU406 PBFRE | - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU406 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 7 a | 100NA | NPN | 1V @ 500mA,5a | - | 10MHz | ||||||||||||||||
![]() | MPQ3799 PBFRE | - | ![]() | 6405 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ3799 | 500MW | TO-116 | 下载 | 请求库存验证 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 25 | 60V | 50mA | 10NA(ICBO) | 4 pnp(( | 250mv @ 100µA,1mA | 250 @ 10mA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N4410锡/铅 | - | ![]() | 4806 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 80 V | 250 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 100µA,1mA | 60 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP588-BC556B-CT | - | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP588 | 托盘 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP588-BC556B-CT | 过时的 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP736V-2N5401-CT20 | 150.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CP736V-2N5401-CT20 PBFRE | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 60 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-WN | - | ![]() | 1514年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||
MD918 | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD91 | 2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 15V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 900mv @ 1mA,10mA | 50 @ 3mA,5V | 600MHz | |||||||||||||||||
![]() | 提示3055 | - | ![]() | 6023 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 90 W | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 提示3055cs | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 15 a | - | NPN | - | 20 @ 4A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||
2N3053 PBFRE | 2.8200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 700 MA | - | NPN | 1.4V @ 15mA,150mA | 50 @ 150mA,10V | 100MHz | ||||||||||||||||||
2N3806 | - | ![]() | 1781年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | 提示36 | - | ![]() | 9411 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 40 V | 25 a | 1ma | PNP | 4V @ 5a,25a | 10 @ 15a,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
![]() | TIP36B | - | ![]() | 7131 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 80 V | 25 a | - | PNP | - | 10 @ 15a,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
MD2905 | - | ![]() | 5154 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD290 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | CEDM8004 bk pbfree | 0.1705 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8004 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 1.1OHM @ 430mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 0.88 NC @ 4.5 V | 8V | 55 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||
![]() | CP617-CM4957-CM | - | ![]() | 1789年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | - | 1514-CP617-CM4957-CM | 过时的 | 500 | 25DB | 25V | 30mA | PNP | 20 @ 2mA,10v | 2.5GHz | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CP336V-2N5551-CT | - | ![]() | 8540 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 160 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||
2n3866a pbfree | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-2N3866APBFRE | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA,5V | 800MHz | - | |||||||||||||||||
![]() | 2N2221A PBFRE | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10v | 250MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CEN4209-CT20 | - | ![]() | 2039 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 1514-CP742X-CEN4209-CT20 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3763 | - | ![]() | 5772 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | - | 1 w | 到39 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N3763 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1.5 a | 100NA | PNP | 900mv @ 100mA,1a | 40 @ 150mA,1V | - | |||||||||||||||||
2N5793 | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N579 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | MJE13007 SL | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-MJE13007SL | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 400 v | 8 a | 1ma | NPN | 3V @ 2a,8a | 8 @ 2a,5v | 4MHz | ||||||||||||||||
2N3701 | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 2N3701 PBFRE | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CMPT6517 TR PBFRE | 0.4500 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT6517 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 350 v | 500 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 1V @ 5mA,50mA | 20 @ 50mA,10v | 200MHz | ||||||||||||||||
![]() | CP588-BC556B-WN | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP588 | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP588-BC556B-WN | 过时的 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MJE520 pbfree | 0.4110 | ![]() | 4322 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 管子 | 上次购买 | MJE520 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-MPSA13-WN | - | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp327 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP327V-MPSA13-WN | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | ||||||||||||||||
![]() | BDW83A | - | ![]() | 6082 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 130 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 15 a | - | NPN | - | 750 @ 6a,3v | - | |||||||||||||||||
2n2920a | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2920 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | 2NA | 2 NPN (双) | 350mv @ 100µA,1mA | 300 @ 1mA,5v | 60MHz |
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