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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | bc857br tr pbfree | 0.4200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC857 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||
![]() | SE9302 | - | ![]() | 9558 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 100 v | 10 a | 200µA(ICBO) | npn-达灵顿 | 2.5V @ 150mA,7.5a | 100 @ 7.5A,3V | - | ||||||||
2N2643 | - | ![]() | 6271 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N264 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 10µA,5V | 40MHz | ||||||||
2n2652a | - | ![]() | 1498年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2652 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | - | 2 NPN (双) | - | 50 @ 1mA,5v | 60MHz | ||||||||
2N2915 | - | ![]() | 7827 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N291 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 60 @ 10µA,5V | 60MHz | ||||||||
2n2919a | - | ![]() | 1590年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2919 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 60 @ 10µA,5V | 60MHz | ||||||||
2N4016 | - | ![]() | 1511 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N401 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 300mA | - | 2 PNP (双) | - | 135 @ 1mA,5V | 200MHz | ||||||||
2N5794 | - | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N579 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 600mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 250MHz | ||||||||
2N5912 | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N591 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||
MD7003B | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD700 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 40 @ 100µA,10V | 200MHz | ||||||||
MD918 | - | ![]() | 4736 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD91 | 2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 15V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 900mv @ 1mA,10mA | 50 @ 3mA,5V | 600MHz | ||||||||
![]() | 2N3563 | - | ![]() | 4390 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 12 v | 50NA(iCBO) | NPN | - | 20 @ 8mA,10v | 600MHz | |||||||||||
![]() | 2N3565 | - | ![]() | 6334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N3640 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 12 v | 10NA(ICBO) | PNP | - | 30 @ 10mA,300mv | 500MHz | |||||||||||
![]() | 2N3646 | - | ![]() | 7724 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | 200兆 | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 15 v | 200 ma | 500NA | NPN | 500mv @ 30mA,300mA | 30 @ 30mA,400mv | 350MHz | |||||||||
![]() | 2N4250 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | 200兆 | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 10NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 500µA,10mA | 250 @ 10mA,5V | 50MHz | ||||||||||
![]() | 2N4250A | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 200兆 | TO-126 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 60 V | 10NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 500µA,10mA | 250 @ 100µA,5V | - | ||||||||||
![]() | CP647-2N6287-WN | - | ![]() | 1674年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 4MHz | ||||||||||
![]() | CP647-MJ11013-WS | - | ![]() | 5114 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 90 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | ||||||||
![]() | CP647-PMD19K100-WS | - | ![]() | 7637 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 v | 30 a | - | pnp-达灵顿 | 2.8V @ 60mA,15a | 800 @ 15a,3v | 4MHz | ||||||||
![]() | CP547-2N6287-CM | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | |||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287-WN | - | ![]() | 2695 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11015-WR | - | ![]() | 8029 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-WN | - | ![]() | 1514年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | |||||||||||||||||
![]() | 2N2221A PBFRE | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10V | 250MHz | |||||||||
2N3700 PBFRE | 1.1880 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | |||||||||
![]() | 2N3820 | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 360兆w | 到92 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 32pf @ 10V | 20 v | 300 ma @ 10 V | 8 V @ 10 µA | ||||||||||||
![]() | 2N4870 | - | ![]() | 5533 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 300兆 | 到92 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||
![]() | 2N4871 | - | ![]() | 8757 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 300兆 | 到92 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||
2N4918 PBFRE | 0.8115 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 30 W | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 40 V | 1 a | 100µA(ICBO) | PNP | 600mv @ 100mA,1a | 40 @ 50mA,1V | 3MHz |
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