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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	电压 -输出	fet	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大	电流-iv（iv）	电流 -峰值
2N6421	-	RFQ	4818	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	-		35 w	到66	下载				1514-2N6421	过时的		1															250 v	2 a				5mA		PNP	750mv @ 125mA，1a	8 @ 1a，2v	10MHz
CEDM7001VL BK	-	RFQ	4282	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883		MOSFET （金属 o化物）		SOT-883VL	下载		（1 （无限）		1514-CEDM7001VLBK	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	900mv @ 250µA	0.566 NC @ 4.5 V	10V	9 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
CP226V-2N4393-CT20	-	RFQ	4975	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死			1.8 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP226V-2N4393-CT20	Ear99	8541.29.0095	20			n通道		40 V							20pf @ 20V					40 V	5 ma @ 3 V	500 mv @ 1 na		100欧姆					50 mA
MMPQ2222A TR13	-	RFQ	4018	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ2222		1W	16-Soic	-				1514-MMPQ2222ATR13	Ear99	8541.29.0075	1															40V	500mA				10NA		4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100mA @ 150mA，10v	300MHz
CTLDM7181-M832D TR	-	RFQ	7360	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLDM7181	MOSFET （金属 o化物）	1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLDM7181-M832DTR	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				20V	1a		100mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 1mA	2.4NC @ 4.5V		220pf @ 10V	-
CTLM1034-M832D BK	-	RFQ	9830	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫			1.65 w	TLM832D	下载				1514-CTLM1034-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1															25 v	1 a				100NA（ICBO）		NPN +二极管（隔离）	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
CTLM8110-M832D BK	-	RFQ	7330	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM832D	下载				1514-CTLM8110-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		20 v	860ma（ta）	1.8V，4.5V	240MOHM @ 200mA，1.8V	1V @ 250µA	3.56 NC @ 4.5 V	8V	200 pf @ 16 V	Schottky 二极管（孤立）	1.65W（TA）
CP101-BSS52-CT	-	RFQ	1667年	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死			800兆	死	下载			到达不受影响	1514-CP101-BSS52-CT	Ear99	8541.21.0095	1															80 V	1 a				50NA（iCBO）		npn-达灵顿	1.6V @ 4mA，1a	2000 @ 500mA，10V	-
CMLM8205 TR	-	RFQ	1810	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666		MOSFET （金属 o化物）		SOT-563	下载			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		50 V	280mA（TA）	5V，10V	2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		20V	70 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	150MW（TA）
2N4900	-	RFQ	4234	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			25 w	到66	下载			到达不受影响	1514-2N4900	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	1 a				-			-	-	3MHz
CEN747 PBFRE	-	RFQ	9855	中央半导体公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CEN747PBFRE	过时的		1
CDM2208-800FP	-	RFQ	7289	中央半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载		（1 （无限）		1514-CDM2208-800FP	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	8A（TC）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	24.45 NC @ 10 V	30V	1110 PF @ 25 V	-	57W（TC）
CP398X-CPDM303NH-CT	-	RFQ	9768	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	cp398	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
CP373-CMPDM303NH-CT	-	RFQ	1779年	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1			n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
CP373-CTLDM303N-CT	-	RFQ	5293	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1			n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
2N4852	-	RFQ	5824	中央半导体公司	-	盒子	过时的			TO-206AA，TO-18-3					下载		不适用			过时的	0000.00.0000	1		5V		-										300兆													4 mA	2 µA
CP327V-MPSA13-WN	-	RFQ	8515	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	cp327			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP327V-MPSA13-WN	Ear99	8541.21.0040	1															30 V	500 MA				100NA（ICBO）		npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
CP307V-MPSA13-WN	-	RFQ	5933	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			625兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP307V-MPSA13-WN	Ear99	8541.21.0075	1															30 V	500 MA				100NA（ICBO）		npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
CP588-BC556B-WR	-	RFQ	7550	中央半导体公司	CP588	大部分	过时的	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP588-BC556B-WR	过时的		1																				-			-	-
CP206-2N4856-CM	-	RFQ	7831	中央半导体公司	*	托盘	过时的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP206-2N4856-CM	过时的		400
CP216-2N4393-CT20	-	RFQ	3462	中央半导体公司	-	托盘	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死				死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP216-2N4393-CT20	过时的		20			n通道		40 V							20pf @ 20V					40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆					50 mA
CP226V-2N4393-CM	-	RFQ	3581	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死			1.8 w	死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP226V-2N4393-CM	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		40 V							20pf @ 20V					40 V	5 mv @ 3 V	500 mv @ 1 na		100欧姆					50 mA
MD7003B	-	RFQ	8282	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	MD700		-	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1															40V	50mA				-		2 PNP （双）	-	40 @ 100µA，10V	200MHz
CP788X-BC556B-WR	-	RFQ	8435	中央半导体公司	-	托盘	积极的	-	表面安装	死	CP788			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP788X-BC556B-WR	Ear99	8541.21.0040	1																				-			-	-
2N2608	-	RFQ	2561	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			300兆	TO-18	下载		供应商不确定		2N2608CS	Ear99	8541.21.0095	2,000			P通道									-					30 V	900 µA @ 5 V	1 V @ 1 µA
CMPF4393 TR PBFRE	1.0800	RFQ	7	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPF4393		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		40 V							14pf @ 20V					40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
bc857br tr pbfree	0.4200	RFQ	28	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	100 ma				15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
CMPDM7002AHC TR PBFRE	0.6600	RFQ	8	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPDM7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		60 V	1A（1A）	5V，10V	220MOHM @ 500mA，10V	2.3V @ 250µA	2.3 NC @ 4.5 V	20V	240 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
CP216-2N4392-WN	-	RFQ	3637	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP216-2N4392-WN	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		40 V							20pf @ 20V					40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		60欧姆					50 mA
CEDM7001 BK PBFRE	0.1934	RFQ	8215	中央半导体公司	-	盒子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	CEDM7001	MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000			n通道		20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	3ohm @ 10mA，4V	900mv @ 250µA	0.57 NC @ 4.5 V	10V	9 pf @ 3 V	-	100mW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²