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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP388X-2N2919-CT | - | ![]() | 3301 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | 600兆 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP388X-2N2919-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 60 V | 30 ma | - | 350mv @ 100µA,1mA | 60 @ 10µA,5V | |||||||||||||||||||||||||||||
2N3808 | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP388X-BC108-CT | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp388 | 600兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP388X-BC108-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 25 v | 200 ma | 15NA(icbo) | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621H TR | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 50 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2.5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4392-CT20 | - | ![]() | 3881 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4392-CT20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmudm8005 tr pbfree | 0.8500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | CMUDM8005 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 650mA(TA) | 1.8V,4.5V | 360MOHM @ 350mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.2 NC @ 4.5 V | 8V | 100 pf @ 16 V | - | 300MW(TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-CEN1308-CT | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | 1514-CP210-CEN1308-CT | 过时的 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLM8205 bk | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-563 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMLM8205BK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | P通道 | 50 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2.5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 20V | 70 pf @ 25 V | Schottky 二极管(孤立) | 150MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP232V-2N4416A-CT20 | - | ![]() | 3575 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | - | 到达不受影响 | 1514-CP232V-2N4416A-CT20 | Ear99 | 8541.21.0095 | 20 | n通道 | 35 v | 4.5pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 V | 2.5 V @ 1 na | 5 ma | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4393-CT | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4393-CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 3 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833S BK | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT953-M833SBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 100 v | 5 a | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA,4a | 100 @ 1A,1V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT8099 TR PBFRE | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT8099 | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80V | 500mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 300mv @ 10mA,100mA | 100 @ 1mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
2n3866a锡/铅 | - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | - | 1514-2N3866ATIN/LEAD | 过时的 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA,5V | 800MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4859A | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 360兆w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 2n4859a pbfree | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 30 V | 10pf @ 10V(vgs) | 30 V | 50 mA @ 15 V | 10 V @ 500 PA | 25欧姆 | 250 PA | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP373-CTLDM303N-WN | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BF246B | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | BF246 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM2206-800LR | - | ![]() | 7583 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 1514-CDM2206-800LR | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 6A(TC) | 10V | 950MOHM @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 24.3 NC @ 10 V | 30V | 474.7 PF @ 100 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
2N4237 PBFRE | 3.4600 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 6 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 40 V | 3 a | 700µA | NPN | 600mv @ 100mA,1a | 30 @ 250mA,1V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM4-650 TR13 PBFRE | 1.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CDM4-650 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 650 v | 4A(ta) | 10V | 2.7OHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 11.4 NC @ 10 V | 30V | 463 pf @ 25 V | - | 620MW(ta),77W(tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC182 PBFRE | 0.2536 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC182 | 到92 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip49 tr | - | ![]() | 9507 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 350 v | 1 a | 1ma | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmxt2207 bk pbfree | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT2207 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CMXT2207BKPBFRE | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,500 | 40V,60V | 600mA | 10NA(ICBO) | NPN,PNP | 1V @ 50mA,500mA / 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz,200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3819 | 0.5680 | ![]() | 7694 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 25 v | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | - | JFET | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP245-MJE15028-CT | - | ![]() | 1395年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP245 | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | (1 (无限) | 1514-CP245-MJE15028-CT | 过时的 | 1 | 120 v | 8 a | 100µA | 500mv @ 100mA,1a | 40 @ 3a,2v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP125 SL | - | ![]() | 1075 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 500µA | pnp-达灵顿 | 4V @ 20mA,5a | 1000 @ 3a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-MPSA27-CT | - | ![]() | 1420 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp327 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP327V-MPSA27-CT | Ear99 | 8541.21.0040 | 400 | 60 V | 500 MA | 500NA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||
2N2920 | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N292 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n2920cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | 2NA | 2 NPN (双) | 350mv @ 100µA,1mA | 300 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXT3904 TR PBFRE | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT3904 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | 2 NPN (双) | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP47 SL | - | ![]() | 9478 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 250 v | 1 a | 1ma | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832D TR | - | ![]() | 4166 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM8120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W(TA) | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM8120-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 860ma(ta) | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 10V | 200pf @ 16V | 逻辑级别门 |
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