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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | bc856bt tr pbfree | 0.4300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | BC856 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 400mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TEC301-303 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPDM302PH TR | - | ![]() | 3279 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-3平线 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.4A(TA) | 2.5V,4.5V | 91MOHM @ 1.2A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 9.6 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||||
![]() | CZTA14 TR PBFRE | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CZTA14 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 20000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||
![]() | CP188-BC108-CT | - | ![]() | 1839年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 600兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP188-BC108-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 25 v | 200 ma | 15NA(icbo) | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | ||||||||||||||||||
![]() | 2N2221 PBFRE | 1.1880 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.2 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 30 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10v | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | CTLT5551-M832D TR | - | ![]() | 6214 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLT5551 | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLT5551-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 160V | 600mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | CP307-2N5308-WN | - | ![]() | 6925 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 625兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP307-2N5308-WN | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 300 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.4V @ 200µA,200mA | 20000 @ 100mA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832D TR | - | ![]() | 4166 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM8120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W(TA) | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM8120-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 860ma(ta) | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 10V | 200pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | BF244B | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832DS BK | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1A(1A) | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-WN | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP802 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP802-CWDM3011P-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 8,000 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | ||||||||||
![]() | CP388X-BC108-CT | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp388 | 600兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP388X-BC108-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 25 v | 200 ma | 15NA(icbo) | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | ||||||||||||||||
2N2642 | - | ![]() | 9993 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N264 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 10µA,5V | 40MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N5366 PBFRE | 0.3795 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 V | 300 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 1V @ 30mA,300mA | 100 @ 50mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||
![]() | BDW84A | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 130 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 15 a | - | PNP | - | 750 @ 6a,3v | - | ||||||||||||||||
![]() | 提示141 | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP141CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 10 a | - | NPN | - | 1000 @ 5A,4V | - | |||||||||||||||
![]() | 2N5784 | - | ![]() | 1094 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N5784 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 65 v | 3.5 a | 100µA | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 20 @ 1a,2v | - | |||||||||||||||||
![]() | cmpt2222a tr pbfree | 0.8400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT2222 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | MPQ2907 PBFRE | - | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ2907 | 650MW | TO-116 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 25 | 40V | 600mA | 50NA(iCBO) | 4 pnp(( | 1.6V @ 30mA,300mA | 50 @ 300mA,10v | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | CP692-MPS4992-WN | - | ![]() | 2021 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXT3946 TR PBFRE | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT3946 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | NPN,PNP | 300mv @ 5mA,50mA / 400mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz,250MHz | |||||||||||||||
![]() | MPQ6100A锡/铅 | - | ![]() | 8868 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ6100 | 3W | TO-116 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 45V | - | 10NA(ICBO) | 2 NPN,2个PNP | - | - | 50MHz | |||||||||||||||
![]() | 2N5143 | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-222AA,TO-105-3 DOMED | TO-105 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 20 v | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP373-CMPDM303NH-WN | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||
2N4937 | - | ![]() | 9994 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N493 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | CMPFJ175 PBFRE | - | ![]() | 2550 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | (CT) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N5486-CT | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | 1514-CP210-2N5486-CT | 过时的 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT5401E BK | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 60 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | BCY59-IX PBFRE | 1.0545 | ![]() | 7977 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY59 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 10NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 2.5mA,100mA | 630 @ 10mA,1V | 150MHz |
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