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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MPQ3762锡/铅 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ3762 | 3W | TO-116 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 40V | - | 100NA(ICBO) | 4 pnp(( | - | - | 150MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CZT3055 bk锡/铅 | - | ![]() | 3865 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CZT3055BKTIN/铅 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD3055 TR13锡/铅 | - | ![]() | 7229 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD3055TR13TIN/LEADTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 60 V | 10 a | 50µA | NPN | 8V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||
CEN-U57 PBFRE | 3.4200 | ![]() | 355 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | CEN-U57 | 1.75 w | 到202 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 100 v | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 350mv @ 25mA,250mA | 20 @ 500mA,1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP29C PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6091 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TIP29 | 30 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 1 a | 300µA | NPN | 700mv @ 125mA,1a | 40 @ 200ma,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | cmpdm302ph bk | - | ![]() | 3290 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-3平线 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23F | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,500 | P通道 | 30 V | 2.4A(TA) | 2.5V,4.5V | 91MOHM @ 1.2A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 9.6 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | 350MW(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | MPQ7053锡/铅 | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ7053 | 750MW | TO-116 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 25 | 250V | 500mA | 250NA(ICBO) | 2 NPN,2个PNP | 700mv @ 2mA,20mA | 25 @ 30mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | bsy79 pbfree | 1.0725 | ![]() | 1955年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BSY79 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50NA(iCBO) | NPN | - | 30 @ 1mA,1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11015-CT | - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2905 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 3119 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 3 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 600 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5089 PBFRE | 0.4900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 25 v | 50 mA | 50NA(iCBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 400 @ 100µA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
2N6431 PBFRE | 2.3760 | ![]() | 1694年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 50 @ 30mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5245 | - | ![]() | 4950 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 30 V | - | - | MOSFET | TO-92-3 | - | (1 (无限) | 1514-2N5245 | 过时的 | 0000.00.0000 | 100 | n通道 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CP736V-2N5401-CT | - | ![]() | 2441 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 150 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 60 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT3019 TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT3019 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 V | 500 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 400MHz | |||||||||||||||||||||
2n2223a | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2223 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1.2V @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1233 TR | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4033 PBFRE | 0.1623 | ![]() | 8948 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | PN4033 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 80 V | 1 a | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,5V | 400MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | mpq2222a pbfre | 3.7749 | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | MPQ2222 | 650MW | TO-116 | 下载 | 请求库存验证 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 25 | 40V | 500mA | 10NA(ICBO) | 4 npn(Quad) | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CTLT3410-M621 BK | - | ![]() | 5556 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6个PowerVFDFN | 900兆 | TLM621 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
2N2405 PBFRE | 2.2700 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 90 v | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 15mA,150mA | 60 @ 150mA,10v | 120MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CJD112 TR13 | - | ![]() | 4323 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CJD112 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100 v | 2 a | 20µA | npn-达灵顿 | 3V @ 40mA,4a | 1000 @ 2a,3v | 25MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CDM2208-800FP SL PBFRE | - | ![]() | 8937 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | CDM2208 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 8A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 24.45 NC @ 10 V | 30V | 1110 PF @ 25 V | - | 57W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | 2N4401 PBFRE | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 V | 600 MA | - | NPN | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CJD340 TR13 TIN/LEAD | - | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.56 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD340TR13TIN/LEADTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300 v | 500 MA | 100µA | NPN | 1V @ 10mA,100mA | 30 @ 50mA,10v | 10MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CEN867 bk pbfree | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CEN867BKPBFRE | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5796 | - | ![]() | 6972 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N579 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11013-CT | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM1034-M832D TR | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | 1.65 w | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM1034-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN +二极管(隔离) | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC394 PBFRE | 1.0725 | ![]() | 1648年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BC394 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 180 v | 50NA(iCBO) | NPN | - | 50 @ 10a,10v | 5MHz |
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