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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -输出 | fet | 获得 | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | 电压 -偏移( vt) | 电流 -阳极泄漏的门( -igao) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP547-MJ11013-CT | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11013-WS | - | ![]() | 6372 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11015-CT | - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11015-WN | - | ![]() | 5240 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3564 | - | ![]() | 2311 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 15 v | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 2mA,10mA | 20 @ 15mA,10v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3690 | - | ![]() | 1323 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5134 | - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 10 v | 400NA(ICBO) | NPN | - | 20 @ 10mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | en2222a | - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EN2907A | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip125 sl锡/铅 | - | ![]() | 4221 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | TIP125 | 管子 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TIP125 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 5 a | 500NA | npn-达灵顿 | 4V @ 20mA,5a | 1000 @ 3a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TN2219A锡/铅 | 1.5600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-237AA | TN2219 | 2 w | TO-237 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 800 MA | - | npn-达灵顿 | - | - | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP775-CWDM3011P-CM | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP775-CWDM3011P-CM | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-CT | - | ![]() | 4569 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP802 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP802-CWDM3011P-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 100 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CP775-CWDM3011P-CT | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP775-CWDM3011P-CT | 过时的 | 100 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-CM | - | ![]() | 1615年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP802 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP802-CWDM3011P-CM | Ear99 | 8541.29.0040 | 100 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CEN1235 bk | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CEN1235BK | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP375-CWDM3011N-CT | - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP375-CWDM3011N-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 340 | n通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 6.3 NC @ 5 V | ±20V | 860 pf @ 15 V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||
![]() | CP406-CWDM3011N-CT | - | ![]() | 4426 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP406-CWDM3011N-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 340 | n通道 | 30 V | 9.93a(TA) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | ±20V | - | 1.15W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N2907 PBFRE | 1.1880 | ![]() | 2578 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 600 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6027R TR | - | ![]() | 2536 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | CMPP6027RTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 6V | 40V | 167兆 | 1.6 v | 10 na | 50 µA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||
2N4427 | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | 10dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 100mA,5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | cmudm7004 tr pbfree | 0.6100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-523 | CMUDM7004 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 460MOHM @ 200MA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 45 pf @ 25 V | - | 250MW(TA) | ||||||||||||||||||
2N2480 | - | ![]() | 1114 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N248 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 500mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 1.3V @ 5mA,50mA | 30 @ 1mA,5v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | cmut3904 tr pbfree | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | CMUT3904 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
2N3253/铅 | - | ![]() | 3460 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 到39 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 75 v | 500NA(ICBO) | NPN | - | 25 @ 500mA,1V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5086 TR PBFRE | 0.0904 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT5086 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 50 mA | 10NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 1mA,10mA | 150 @ 100µA,5V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||
2N3811 | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n3811cs | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 250mv @ 1mA,100µA | 300 @ 1mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
CEN911 | - | ![]() | 1681年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN9 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BCX56-16 bk | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 1.3 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 900 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,2V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||
2N5320 PBFRE | 3.0000 | ![]() | 316 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 10 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 75 v | 2 a | 500NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 30 @ 500mA,4V | 50MHz |
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