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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BDV64B | - | ![]() | 7135 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | BDV64BCS | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 12 a | - | PNP | - | 1000 @ 5A,4V | 60MHz | ||||||||||||||||
![]() | TN2219A锡/铅 | 1.5600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-237AA | TN2219 | 2 w | TO-237 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 800 MA | - | npn-达灵顿 | - | - | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | CMST2907A TR PBFRE | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMST2907 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||
![]() | CP337V-2N3725-CT20 | - | ![]() | 2853 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 800兆 | 死 | 下载 | 1514-CP337V-2N3725-CT20 | Ear99 | 8541.29.0040 | 20 | 50 V | 1.2 a | 10µA | NPN | 950mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CP617-CEN1271-CT | - | ![]() | 5205 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CEN1271-CT | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4401 PBFRE | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 V | 600 MA | - | NPN | 750mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||
![]() | CBCX69 TR PBFRE | 1.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CBCX69 | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 100mA,1a | 85 @ 500mA,1V | 65MHz | ||||||||||||||||
![]() | CENW92 | 0.7500 | ![]() | 314 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-237AA | 2.5 w | TO-237 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -cenw92 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 v | 500 MA | - | PNP | - | - | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N6422 PBFRE | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 过时的 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP229-2N5109-CM | - | ![]() | 9252 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | - | 1514-CP229-2N5109-CM | 过时的 | 500 | 11DB | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA,15v | 1.2GHz | 3DB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CZT4033 BK PBFRE | 0.5883 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CZT4033 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 350 | 80 V | 1 a | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | CMKT5089M10 TR PBFRE | 0.9900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKT5089 | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 25V | 50mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 500mv @ 1mA,10mA | 400 @ 100µA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2N3583 PBFRE | 13.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 175 v | 1 a | 10mA | NPN | 5V @ 125mA,1a | 40 @ 500mA,10V | 10MHz | |||||||||||||||||
![]() | 提示106 | - | ![]() | 7869 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 提示106C | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 V | 8 a | 50µA | pnp-达灵顿 | 2.5V @ 80mA,8a | 1000 @ 3A,4V | 4MHz | |||||||||||||||||
![]() | CMKT5088 TR PBFRE | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKT5088 | 350MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30V | 50mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 500mv @ 1mA,10mA | 300 @ 100µA,5V | 50MHz | ||||||||||||||||
![]() | BCY79-VII PBFRE | 1.0545 | ![]() | 3006 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY79 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 800mv @ 2.5mA,100mA | 120 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | CEN1273-1 | - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 1514-CEN1273-1 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N3253/铅 | - | ![]() | 3460 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 到39 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 75 v | 500NA(ICBO) | NPN | - | 25 @ 500mA,1V | 175MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11013-CT | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | tip31c sl pbfree | 0.6296 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示31 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | NPN | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | |||||||||||||||||
2N3810 | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n3810cs | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 250mv @ 1mA,100µA | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||
MD2369A | - | ![]() | 4566 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD236 | - | TO-78-6 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | 40V | 500mA | - | 2 NPN (双) | - | 40 @ 10mA,1V | 500MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP617-CEN1271-CM | - | ![]() | 8260 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CEN1271-CM | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
2n2223a | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2223 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1.2V @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,5V | 50MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N5194锡/铅 | 1.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 40 W | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 4 a | 1ma | PNP | 1.4V @ 1A,4A | 25 @ 1.5A,2V | 2MHz | |||||||||||||||||
![]() | CMPT2484 BK PBFRE | 0.0678 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT2484 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,500 | 60 V | 50 mA | 10NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 100µA,1mA | 250 @ 1mA,5V | - | ||||||||||||||||
![]() | cxt5551e tr | - | ![]() | 5689 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5mA,50mA | 120 @ 10mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||
![]() | CP547-2N6287-CT | - | ![]() | 1913年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621 BK | - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6个PowerVFDFN | MOSFET (金属 o化物) | TLM621 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P通道 | 50 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2.5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 900MW(TA) | |||||||||||||||
![]() | CP208-2N4923-CT | - | ![]() | 3145 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 30 W | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP208-2N4923-CTTB | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 1 a | 500µA | NPN | 600mv @ 100mA,1a | 40 @ 50mA,1V | 3MHz |
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