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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | fet | 获得 | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 | 电压 -偏移( vt) | 电流 -阳极泄漏的门( -igao) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
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![]() | CP373-CMPDM303-CT20 | - | ![]() | 7197 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CP216-2N4392-CT | - | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP216-2N4392-CT | 过时的 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||
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2N5039 | - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 140 w | TO-3 | 下载 | 不适用 | 2n5039cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 75 v | 20 a | 50mA | NPN | 2.5V @ 5a,20a | 30 @ 2a,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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BSV79 | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 350兆 | TO-18 | 下载 | 供应商不确定 | BSV79CS | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 5pf @ 10V | 20 ma @ 15 V | 2 V @ 1 na | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BSV80 | - | ![]() | 2312 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 350兆 | TO-18 | 下载 | 供应商不确定 | BSV80CS | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 40 V | 5pf @ 10V | 10 ma @ 15 V | 1 v @ 1 na | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4302 | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | 供应商不确定 | PN4302CS | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | - | 30 V | 500 µA @ 15 V | 4 V @ 1 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1372 BK | - | ![]() | 6278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | - | - | - | - | (1 (无限) | CEN1372BK | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833S BK | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT853-M833SBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 100 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-CM | - | ![]() | 3954 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 6 W | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-CT | - | ![]() | 4187 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 6 W | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-WN | - | ![]() | 4120 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 6 W | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
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2N4427 | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 250 | 10dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 100mA,5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1235 bk | - | ![]() | 6012 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CEN1235BK | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7003T-M563D TR | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | CTLDM7003T | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | TLM563D | 下载 | 1514-CTLDM7003T-M563DTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 50V | 280mA | 1.5OHM @ 50mA,5V | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - |
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