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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
cmudm7004 tr pbfree	0.6100	RFQ	13	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	CMUDM7004		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				30 V	450mA（ta）	1.8V，4.5V	460MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.79 NC @ 4.5 V	8V	45 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
CP647-MJ11013-CT	-	RFQ	2334	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647				死	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	36																	90 v	30 a	1ma	pnp-达灵顿	4V @ 300mA，30a	200 @ 30a，5v	-
CP647-PMD19K100-WN	-	RFQ	5184	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647				死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1																	100 v	30 a	-	pnp-达灵顿	2.8V @ 60mA，15a	800 @ 15a，3v	4MHz
cmudm7005 tr pbfree	0.8500	RFQ	194	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	CMUDM7005		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	650mA（TA）	1.5V，4.5V	230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.58 NC @ 4.5 V	8V	100 pf @ 16 V	-	300MW（TA）
CP647-MJ11015-CTJ28	-	RFQ	2180	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647				死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1																	120 v	30 a	1ma	pnp-达灵顿	4V @ 300mA，30a	200 @ 30a，5v	-
cmudm8004 tr pbfree	0.7900	RFQ	903	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	CMUDM8004		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道				30 V	450mA（ta）	1.8V，4.5V	1.1OHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.88 NC @ 4.5 V	8V	55 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
CP647-PMD19K100-CT	-	RFQ	7964	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647				死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	36																	100 v	30 a	-	pnp-达灵顿	2.8V @ 60mA，15a	800 @ 15a，3v	4MHz
CP798X-CPDM302PH-WN	-	RFQ	3076	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP798		MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道				30 V	2.4A（TA）	2.5V，4.5V	91MOHM @ 1.2A，4.5V	1.4V @ 250µA	9.6 NC @ 5 V	12V	800 pf @ 10 V	-	-
CP647-CEN1103-WN	-	RFQ	3070	中央半导体公司	*	大部分	积极的					CP647					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1
2N5179 PBFRE	5.5600	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以				200MW	到72	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000					15DB												12V	50mA		NPN		25 @ 3mA，1V	2GHz	4.5db @ 200MHz
cmpdm302ph bk	-	RFQ	3290	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,500		P通道				30 V	2.4A（TA）	2.5V，4.5V	91MOHM @ 1.2A，4.5V	1.4V @ 250µA	9.6 NC @ 5 V	12V	800 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
CTLM3410-M832D TR	-	RFQ	9768	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLM3410			1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLM3410-M832DTR	Ear99	8541.29.0075	1																	25V	1a	100NA（ICBO）	2 NPN （双）	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
2N5245	-	RFQ	4950	中央半导体公司	-	大部分	过时的	30 V			-		-	MOSFET		TO-92-3	-		（1 （无限）		1514-2N5245	过时的	0000.00.0000	100	n通道		-	-	-											-
CTLM1034-M832D TR	-	RFQ	4385	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫				1.65 w	TLM832D	下载				1514-CTLM1034-M832DTR	Ear99	8541.29.0095	1																	25 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN +二极管（隔离）	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
MPQ3904 PBFRE	3.7259	RFQ	6378	中央半导体公司	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ3904			500MW	TO-116	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	25																	40V	200mA	50NA（iCBO）	4 npn（Quad）	200mv @ 1mA，10mA	75 @ 10mA，1V	250MHz
提示47	-	RFQ	3427	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	TIP47CS	Ear99	8541.29.0095	400																	250 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
CP307V-2N5308-WN	-	RFQ	1801年	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP307V-2N5308-WN	过时的	0000.00.0000	1																	40 V	300 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	7000 @ 2mA，5V	60MHz
2N3564	-	RFQ	2311	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-106-3 DOMED					TO-106	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500																	15 v		50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 2mA，10mA	20 @ 15mA，10v	400MHz
CMKT5087 TR PBFRE	0.6800	RFQ	17	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	CMKT5087			350MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	50mA	50NA（iCBO）	2 PNP （双）	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 100µA，5V	40MHz
MD8002	-	RFQ	3317	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-78-6金属罐	MD800			-	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																	50V	30mA	-	2 NPN （双）	-	100 @ 1mA，10v	260MHz
MPQ7043 PBFRE	-	RFQ	4494	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ7043			1.25W	TO-116	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																	250V	500mA	100NA（ICBO）	4 npn（Quad）	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
CEN1072B TR	-	RFQ	3930	中央半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的										-		供应商不确定		CEN1072BTR	过时的	0000.00.0000	1,000
buv47a	-	RFQ	1137	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-218-3				100 W	TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	450 v	9 a	-	NPN	1.5V @ 1a，5a	-	-
CTLT3410-M621 BK	-	RFQ	5556	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6个PowerVFDFN				900兆	TLM621	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	5,000																	25 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	450mv @ 100mA，1a	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC184B PBFRE	0.2625	RFQ	7968	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC184			300兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																	30 V	200 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	250 @ 2mA，5v	280MHz
2N7002 TR PBFRE	0.3800	RFQ	388	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				60 V	115mA（tc）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		40V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
CEN-U45 PBFRE	2.8100	RFQ	871	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签	CEN-U45			2 w	到202	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																	40 V	2 a	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 2mA，1a	25000 @ 200mA，5V	100MHz
2N6719 TRC TIN/LEAD	-	RFQ	7861	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	通过洞	TO-237AA				2 w	TO-237	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	2,000																	300 v	500 MA	-	NPN	-	-	30MHz
2N5320 PBFRE	3.0000	RFQ	316	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				10 W	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																	75 v	2 a	500NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	30 @ 500mA，4V	50MHz
TIP42C PBFRE	0.6296	RFQ	8926	中央半导体公司	-	大部分	上次购买		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42			65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	100 v	6 a	400µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²