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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | CP647-PMD19K100-CT | - | ![]() | 7964 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 36 | 100 v | 30 a | - | pnp-达灵顿 | 2.8V @ 60mA,15a | 800 @ 15a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CP219-2N5339-CT | - | ![]() | 4187 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 6 W | 死 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP798X-CPDM302PH-CT | - | ![]() | 8422 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP798 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 2.4A(TA) | 2.5V,4.5V | 91MOHM @ 1.2A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 9.6 NC @ 5 V | 12V | 800 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||
![]() | CTLDM8002A-M621H BK | - | ![]() | 8916 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 50 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2.5ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.72 NC @ 4.5 V | 20V | 70 pf @ 25 V | - | 1.6W(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | PN3646-5 | - | ![]() | 9710 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646-5 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | en2222a | - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP112 SL | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 50 W | TO-220-3 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-TIP112SL | 过时的 | 1 | 100 v | 2 a | 2mA | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CMPF4391 TR锡/铅 | 0.1452 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPF4391 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 14pf @ 20V | 40 V | 50 mA @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | BF393 PBFRE | 0.3297 | ![]() | 7613 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BF393 | 1.5 w | 到92 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 900mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | PN5910-5 | - | ![]() | 2941 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 310 MW | TO-92-3 | - | 1514-PN5910-5 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 v | 50 mA | 10NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 30 @ 50mA,1V | 700MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7001 TR PBFRE | 0.5700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM7001 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 1.5V,4V | 3ohm @ 10mA,4V | 900mv @ 250µA | 0.57 NC @ 4.5 V | 10V | 9 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833S BK | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT853-M833SBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 100 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CP247-2N6284-WN | - | ![]() | 4971 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 160 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP247-2N6284-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | npn-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 750 @ 10a,3v | 4MHz | |||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D TR | - | ![]() | 5142 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7120-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||
![]() | CTLDM304P-M832DS TR | 0.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM304P | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 4.2a | 70MOHM @ 4.2A,10V | 1.3V @ 250µA | 6.4NC @ 4.5V | 760pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||
![]() | CEDM7004VL BK | - | ![]() | 9380 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883VL | 下载 | (1 (无限) | 1514-CEDM7004VLBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 460MOHM @ 200MA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.792 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2n1131a pbfree | 4.1878 | ![]() | 4505 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N1131 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 500NA(ICBO) | PNP | - | 20 @ 150mA,10V | 90MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7003-M621 TR | - | ![]() | 7198 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6个PowerVFDFN | MOSFET (金属 o化物) | TLM621 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 50 V | 280mA(TA) | 1.8V,5V | 2ohm @ 50mA,5v | 1V @ 250µA | 0.764 NC @ 4.5 V | 12V | 50 pf @ 25 V | - | 900MW(TA) | ||||||||||||||||||
![]() | PN3646 APM PBFRE | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646APMPBFREETB | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5430 | - | ![]() | 3019 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 40 W | 到66 | 下载 | (1 (无限) | 2n5430cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 100 v | 7 a | - | NPN | - | - | 30MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5088 TR PBFRE | 0.4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPT5088 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 50 mA | 50NA(iCBO) | NPN | 500mv @ 1mA,10mA | 300 @ 100µA,5V | 50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3725 PBFRE | - | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 800兆 | 到39 | 下载 | 1514-2N3725PBFRE | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 50 V | 1.2 a | 10µA | NPN | 950mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
2N2918 | - | ![]() | 8690 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N291 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 150 @ 10µA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BC846BT TR PBFRE | 0.4300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | BC846 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 400mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2N5232A PBFRE | 0.6900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 50 V | 100 ma | 30na | NPN | 125mv @ 1mA,10mA | 250 @ 2mA,5v | - | ||||||||||||||||||||
2N6502 | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N650 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CDM2209-900FP SL | - | ![]() | 1434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 1514-CDM2209-900FPSL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7003T-M563D BK | - | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | CTLDM7003T | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | TLM563D | 下载 | 1514-CTLDM7003T-M563DBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 50V | 280mA | 1.5OHM @ 50mA,5V | 1.2V @ 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
![]() | cmut3904 bk pbfree | 0.0789 | ![]() | 3881 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | CMUT3904 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||
2N3947 PBFRE | 1.7325 | ![]() | 3048 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.2 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 300mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz |
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