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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CMLDM7585 TR PBFRE	0.6600	RFQ	103	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7585	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	650mA		230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.58nc @ 4.5V		100pf @ 16V	逻辑级别门
BCW81 Tr	-	RFQ	4962	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	下载			到达不受影响	1514-BCW81TR	Ear99	8541.21.0095	1														45 v		100NA（ICBO）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	60MHz
2N3741A	-	RFQ	5989	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			25 w	到66	下载			到达不受影响	1514-2N3741A	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	4 a	1µA		600mv @ 125mA，1a	40 @ 100mA，1V	4MHz
MPS750	-	RFQ	8262	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500														40 V	2 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	75 @ 1A，2V	75MHz
CP307-MPSA27-WN	-	RFQ	5591	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			625兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP307-MPSA27-WN	Ear99	8541.21.0075	1														60 V	500 MA	500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2N2639	-	RFQ	4564	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N263		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														45V	30mA	-	2 NPN （双）	-	50 @ 10µA，5V	40MHz
2N4427	-	RFQ	8667	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1W	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			10dB											20V	400mA		NPN		10 @ 100mA，5V	500MHz	-
2N6315 PBFRE	-	RFQ	1121	中央半导体公司	-	大部分	过时的								下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-2N6315PBFRE	Ear99	8541.29.0095	1
2N2222 PBFRE	2.4800	RFQ	390	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	800 MA	10NA（ICBO）	NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
CMPT3019 TR PBFRE	0.3600	RFQ	19	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT3019		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														80 V	500 MA	10NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	400MHz
CP647-PMD19K100-WN	-	RFQ	5184	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP647			死	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1														100 v	30 a	-	pnp-达灵顿	2.8V @ 60mA，15a	800 @ 15a，3v	4MHz
CTLT8099-M322S TR	-	RFQ	1145	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-tdfn暴露垫			1.45 w	TLM322	下载		（1 （无限）		CTLT8099-M322STR	Ear99	8541.29.0075	3,000														80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
CP608-2N6475-CT	-	RFQ	8369	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	CP608		40 W	死	-			到达不受影响	1514-CP608-2N6475-CT	Ear99	8541.29.0040	1														100 v	4 a	1ma	PNP	2.5V @ 2a，4a	15 @ 1.5A，4V	5MHz
2N3421 PBFRE	3.8500	RFQ	118	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														80 V		500NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 1A，2V	40MHz
CEN867 bk pbfree	-	RFQ	2413	中央半导体公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CEN867BKPBFRE	过时的		1
CMLT3904E TR	0.4800	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLT3904		150MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40V	200mA	-	2 NPN （双）	100mv @ 5mA，50mA	30 @ 100mA，1V	300MHz
TIP29C PBFRE	0.6296	RFQ	6091	中央半导体公司	-	大部分	上次购买	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP29		30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														100 v	1 a	300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
CMKT3906 TR PBFRE	0.1660	RFQ	8610	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	CMKT3906		350MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40V	200mA	-	2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
tip125 sl锡/铅	-	RFQ	4221	中央半导体公司	TIP125	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP125		65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														60 V	5 a	500NA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	4MHz
cmldm8002ag tr pbfree	0.6700	RFQ	3	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM8002	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			50V	280mA		2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.72NC @ 4.5V		70pf @ 25V	逻辑级别门
2n3725a锡/铅	-	RFQ	5977	中央半导体公司	-	盒子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	到39	下载				1514-2N3725ATIN/LEAD	Ear99	8541.29.0095	500														50 V	1.2 a	10µA	NPN	900mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	300MHz
CEDM8004 TR PBFRE	0.6100	RFQ	539	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	CEDM8004	MOSFET （金属 o化物）		SOT-883VL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道		30 V	450mA（ta）	1.8V，4.5V	1.1OHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA	0.88 NC @ 4.5 V	8V	55 pf @ 25 V	-	100mW（TA）
2N2917	-	RFQ	3578	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-78-6金属罐	2N291		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														45V	30mA	-	2 NPN （双）	-	60 @ 10µA，5V	60MHz
CMPDM202PH bk	-	RFQ	7469	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,500		P通道		20 v	2.3a（ta）	2.5V，5V	88mohm @ 1.2A，5V	1.4V @ 250µA	12 nc @ 5 V	12V	800 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
CTLM1034-M832D TR	-	RFQ	4385	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫			1.65 w	TLM832D	下载				1514-CTLM1034-M832DTR	Ear99	8541.29.0095	1														25 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN +二极管（隔离）	450mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
2N3811	-	RFQ	6953	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N380		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2n3811cs	Ear99	8541.21.0075	1														60V	50mA	10NA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 1mA，100µA	300 @ 1mA，5v	100MHz
CP229-2N5109-CT20	-	RFQ	2715	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死			-	死	-				1514-CP229-2N5109-CT20	过时的		500			11DB											20V	400mA		NPN		40 @ 50mA，15v	1.2GHz	3DB @ 200MHz
2N6318	-	RFQ	4734	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			90 W	到66	下载			到达不受影响	1514-2N6318	Ear99	8541.29.0095	1														80 V	7 a	500µA		2V @ 1.75a，7a	35 @ 500mA，4V	4MHz
CEN867 bk锡/铅	-	RFQ	6403	中央半导体公司	-	大部分	过时的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CEN867BKTIN/LEAD	过时的		1
2N5770 PBFRE	0.4700	RFQ	48	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500			-											15V	50mA		NPN		50 @ 8mA，1V	900MHz	6DB @ 60MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²