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晶体管（（1307）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
CTLDM8002A-M621H BK	-	RFQ	8916	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		TLM621H	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					50 V	280mA（TA）	5V，10V	2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	20V	70 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
BF393 PBFRE	0.3297	RFQ	7613	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BF393			1.5 w	到92	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		300 v	500 MA					100NA（ICBO）		NPN	900mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
CMPF4391 TR锡/铅	0.1452	RFQ	3214	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPF4391			350兆	SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							14pf @ 20V							40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na		30欧姆
2N2907 PBFRE	1.1880	RFQ	2578	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																		40 V	600 MA					20NA（ICBO）		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
MMPQ6502 TR13	-	RFQ	4148	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ6502			1W	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																		30V	1a					30na（icbo）		2 NPN，2个PNP	1.4V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，10v	200MHz
CTLDM7181-M832D BK	-	RFQ	7002	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLDM7181		MOSFET （金属 o化物）	1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLDM7181-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						20V	1a		100mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 1mA	2.4NC @ 4.5V		220pf @ 10V	-
EN2907A	-	RFQ	3604	中央半导体公司	-	盒子	过时的										-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
CP403-WN	-	RFQ	3063	中央半导体公司	-	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP403-WN			1
J110	-	RFQ	1630	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					到92	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	J110CS	过时的	8536.69.4040	1
2N5485	-	RFQ	8402	中央半导体公司	-	盒子	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）		2N5485CS	Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		10mA	4 mA	-	20dB											2.5dB			15 v
CP548-2N5116-CT	-	RFQ	1205	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死					死	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0040	1		P通道					600 mv							25pf @ 15V							30 V	5 ma @ 15 V	1 v @ 1 na		150欧姆						50 mA
CEN1372 BK	-	RFQ	6278	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-	-	-					-	-		（1 （无限）		CEN1372BK	过时的	0000.00.0000	1																								-		-	-	-	-
CP788X-2N2605-WN	-	RFQ	4727	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				400兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP788X-2N2605-WN	Ear99	8541.29.0040	1																		45 v	30 ma					10NA			500MV @ 500µA，10mA	150 @ 500µA，5V
CP101-BSS52-WN	-	RFQ	3974	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				800兆	死	下载			到达不受影响	1514-CP101-BSS52-WN	Ear99	8541.21.0095	1																		80 V	1 a					50NA（iCBO）		npn-达灵顿	1.6V @ 4mA，1a	2000 @ 500mA，10V	-
CP219-2N5339-WN	-	RFQ	4120	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死				6 W	死	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	1																		100 v	5 a					100µA		NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	30MHz
CP588-BCY70-WN	-	RFQ	8494	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	表面安装	死				350兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP588-BCY70-WN	Ear99	8541.21.0095	1																		45 v	200 MA					-			250mv @ 1mA，10mA	60 @ 10µA，1V
TIP30A PBFRE	-	RFQ	6432	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示30			30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		60 V	1 a					300µA		PNP	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
2N5320 PBFRE	3.0000	RFQ	316	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				10 W	到39	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																		75 v	2 a					500NA（ICBO）		NPN	500mv @ 50mA，500mA	30 @ 500mA，4V	50MHz
CP247-2N6284-CM	-	RFQ	7287	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-			CP247					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP247-2N6284-CM		0000.00.0000	1																								-		-	-	-	-
CTLDM7002A-M621 BK	-	RFQ	5440	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6个PowerVFDFN			MOSFET （金属 o化物）		TLM621	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道					60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.592 NC @ 4.5 V	40V	50 pf @ 25 V	-	900MW（TA）
SE9300	-	RFQ	7468	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				70 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400																		60 V	10 a					200µA（ICBO）		npn-达灵顿	2.5V @ 150mA，7.5a	100 @ 7.5A，3V	-
2N4393 PBFRE	3.0500	RFQ	3	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道												14pf @ 20V							40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
PN4302	-	RFQ	2745	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载		供应商不确定		PN4302CS	Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道												-							30 V	500 µA @ 15 V	4 V @ 1 na
mpsa18 pbfree	0.9600	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	MPSA18			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500																		45 v	200 MA					50NA（iCBO）		NPN	300mv @ 5mA，50mA	500 @ 10mA，5v	100MHz
CDM22011-600LRFP SL	2.3400	RFQ	580	中央半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	CDM22011		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	23.05 NC @ 10 V	30V	763 PF @ 100 V	-	25W（TC）
CTLT853-M833S BK	-	RFQ	1335	中央半导体公司	-	盒子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				2.5 w	TLM833S	下载		（1 （无限）		CTLT853-M833SBK	Ear99	8541.29.0075	5,000																		100 v	6 a					10NA		NPN	340mv @ 500mA，5a	100 @ 2a，2v	190MHz
CP247-2N6284-WN	-	RFQ	4971	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死				160 w	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP247-2N6284-WN	Ear99	8541.29.0095	1																		100 v	20 a					1ma		npn-达灵顿	3V @ 200mA，20a	750 @ 10a，3v	4MHz
2N3583 PBFRE	13.1200	RFQ	2	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				35 w	到66	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																		175 v	1 a					10mA		NPN	5V @ 125mA，1a	40 @ 500mA，10V	10MHz
MPQ7093 PBFRE	-	RFQ	5993	中央半导体公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ7093			750MW	TO-116	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	25																		250V	500mA					250NA（ICBO）		4 pnp（（	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
2N918 PBFRE	6.3800	RFQ	1	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以				200MW	到72	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000						-												15V	50mA							NPN		20 @ 3mA，1V	600MHz	6DB @ 60kHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1307）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²