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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -故障( -v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | (ID) - 最大 |
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![]() | CP247-MJ11016-CT | - | ![]() | 8037 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | CP247 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP247-MJ11016-Tr | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CET3904E TR PBFRE | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CET3904 | 250兆 | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 提示34a | - | ![]() | 7017 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 80 W | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 60 V | 10 a | - | PNP | - | 100 @ 3A,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC546A PBFRE | 0.2536 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC546 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | cxt3019 tr pbfree | 0.9700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXT3019 | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 a | 10NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4392-CT20 | - | ![]() | 3881 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP226V-2N4392-CT20 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||
![]() | cjd122 bk锡/铅 | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD122BKTIN/LEAD | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 100 v | 8 a | 10µA | npn-达灵顿 | 4V @ 80mA,8a | 1000 @ 4A,4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP210-2N4416A-CT | - | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | 1514-CP210-2N4416A-CT | 过时的 | 400 | n通道 | 35 v | 4pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 20 V | 2.5 V @ 1 na | 15 ma | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF246B | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | BF246 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4392-CT | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 托盘 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP206-2N4392-CT | 过时的 | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW83B | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 130 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 15 a | - | NPN | - | 750 @ 6a,3v | - | ||||||||||||||||||||||
2N3117 PBFRE | 6.6000 | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 360兆w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 V | 50 mA | 10NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 100µA,1mA | 250 @ 10µA,5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | CDM3-800 TR13 PBFRE | - | ![]() | 9845 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CDM3-800 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 800 v | 3A(TC) | 10V | 4.8OHM @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 11.3 NC @ 10 V | 30V | 415 pf @ 25 V | - | 80W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | CZDM1003N TR | - | ![]() | 6689 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 3A(3A) | 10V | 150MOHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | 20V | 975 PF @ 25 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||
2N3250 PBFRE | 2.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 360兆w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 200 ma | - | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM8110-M832D TR | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM8110-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 20 v | 860ma(ta) | 1.8V,4.5V | 240MOHM @ 200mA,1.8V | 1V @ 250µA | 3.56 NC @ 4.5 V | 8V | 200 pf @ 16 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.65W(TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6422 PBFRE | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 过时的 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP337V-2N3725-CT | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 800兆 | 死 | 下载 | 1514-CP337V-2N3725-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 50 V | 1.2 a | 10µA | NPN | 950mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3564 | - | ![]() | 2311 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 15 v | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 2mA,10mA | 20 @ 15mA,10v | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||
2N3866锡/铅 | - | ![]() | 5206 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | - | 1514-2N3866TIN/铅 | 过时的 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 10 @ 50mA,5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
2N2640 | - | ![]() | 3603 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N264 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 50 @ 10µA,5V | 40MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP29C PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6091 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TIP29 | 30 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 1 a | 300µA | NPN | 700mv @ 125mA,1a | 40 @ 200ma,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||
CEN895 | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN8 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | cmxt2222a tr pbfree | 0.4900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | CMXT2222 | 350MW | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 600mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BCY79-X PBFRE | 1.0545 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY79 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 800mv @ 2.5mA,100mA | 380 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||
2n2916a | - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2916 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 150 @ 10µA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11013-CT | - | ![]() | 2334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP647 | 死 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 36 | 90 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 200 @ 30a,5v | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | PN3563 PBFRE | 0.5000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | PN3563 | - | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | - | 12V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||
2N4399 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 5 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 60 V | 30 a | 5mA | PNP | 4V @ 6a,30a | 15 @ 15a,2v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | mpsa92 pbfree | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MPSA92 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 300 v | 500 MA | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 25 @ 30mA,10v | 50MHz |
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