电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -输出 | 获得 | 电压 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | 电压 -偏移( vt) | 电流 -阳极泄漏的门( -igao) | 电流-iv(iv) | 电流 -峰值 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N6730应用锡/铅 | 1.5200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (CT) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-237AA | 1 w | TO-237 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 100 v | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 10mA,250mA | 80 @ 50mA,1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6027R BK | - | ![]() | 5831 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | CMPP6027RBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 6V | 40V | 167兆 | 1.6 v | 10 na | 50 µA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmnt3904e tr pbfree | 0.1380 | ![]() | 7429 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-953 | CMNT3904 | 250兆 | SOT-953 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CMLT7820G TR PBFRE | 0.6600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT7820 | 250兆 | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 340mv @ 100mA,1a | 150 @ 500mA,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | pn2906a pbfree | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | PN2906 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | cmpta42 tr | 0.5500 | ![]() | 1519年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2904 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 4074 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 3 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 600 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 150mA,10v | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | TIP32A PBFRE | 0.6296 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示32 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 a | 300µA | PNP | 1.2V @ 375mA,3a | 25 @ 1A,4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | BC546A PBFRE | 0.2536 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC546 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | BF244B | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM3757 TR PBFRE | 0.5500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM3757 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 540mA,430mA | 550MOHM @ 540mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.58nc @ 4.5V | 150pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | CP245-MJE15030-CM | - | ![]() | 7091 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP245 | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | (1 (无限) | 1514-CP245-MJE15030-CM | 过时的 | 1 | 150 v | 8 a | 100µA | 500mv @ 100mA,1a | 40 @ 3a,2v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||
2n2904a pbfree | 2.4800 | ![]() | 321 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 600兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 120 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5109UB BK | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | 1W | UB | - | 1514-2N5109UBBK | 过时的 | 500 | 11DB | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA,15v | 1.2GHz | 3.5db @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3055 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 115 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 70 v | 15 a | 700µA | NPN | 3V @ 3.3a,10a | 20 @ 4A,4V | 2.5MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CYT7090LD BK | - | ![]() | 2589 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYT7090 | 2W | SOT-228 | 下载 | 1514-CYT7090LDBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 3a | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 750mv @ 50mA,2a | 300 @ 10mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | cxta14 tr pbfree | 0.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXTA14 | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 20000 @ 100mA,5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N6109 PBFRE | 1.6500 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 50 V | 7 a | 1ma | PNP | 3.5V @ 3a,7a | 30 @ 2.5A,4V | 4MHz | |||||||||||||||||||||
2N2920 | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N292 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n2920cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | 2NA | 2 NPN (双) | 350mv @ 100µA,1mA | 300 @ 1mA,5v | 60MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7003T TR | 0.4400 | ![]() | 735 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7003 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 50V | 280mA | 1.5OHM @ 50mA,5V | 1.2V @ 250µA | 0.76NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||
![]() | PN2906A TRE TIN/LEAD | - | ![]() | 3901 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-PN2906致蛋白/铅 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 500mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CEN1372 TR | - | ![]() | 8619 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | - | - | - | (1 (无限) | CEN1372TR | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5087 PBFRE | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 50 V | 50 mA | 50NA(iCBO) | PNP | 300mv @ 1mA,10mA | 250 @ 100µA,5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CZT5401 TR PBFRE | 1.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CZT5401 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 150 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 60 @ 10mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 提示112锡/铅 | 0.6185 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示112 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP112CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | - | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM303N-M832DS TR | - | ![]() | 6530 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM303N | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 3.6a | 40mohm @ 1.8A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 13nc @ 4.5V | 590pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||
2N2907A W/GOLD | - | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | TO-18 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SE9401 | - | ![]() | 4478 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 10 a | 200µA(ICBO) | pnp-达灵顿 | 2.5V @ 150mA,7.5a | 100 @ 7.5A,3V | - | |||||||||||||||||||||
2N5109 PBFRE | - | ![]() | 6235 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | - | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA,15v | 1.2GHz | 3DB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TIP126 | - | ![]() | 7677 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP126CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 V | 5 a | 500µA | pnp-达灵顿 | 4V @ 20mA,5a | 1000 @ 3a,3v | 4MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库