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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
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![]() | CP547-PMD19K100-WS | - | ![]() | 8263 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
2N2223 | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N222 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 500mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1.2V @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||
2N2641 | - | ![]() | 7769 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N264 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 50 @ 10µA,5V | 40MHz | |||||||||||||||||||||||
2N2903 | - | ![]() | 4076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N290 | 1.2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 500µA,5mA | 125 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||||
2n2903a | - | ![]() | 2544 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2903 | 1.2W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1V @ 500µA,5mA | 125 @ 1mA,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||||
2N2914 | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N291 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 45V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 150 @ 10µA,5V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||
2N4938 | - | ![]() | 8519 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N493 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
CEN876 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | CEN8 | - | TO-78-6 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
MD2905A | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD290 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
MD7003 | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD700 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 50mA | - | 2 PNP (双) | - | 40 @ 100µA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
MD8003 | - | ![]() | 3566 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | MD800 | - | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30mA | - | 2 NPN (双) | - | 100 @ 1mA,10v | 260MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1232 TR | - | ![]() | 6830 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1232 BK | - | ![]() | 2092 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPDM203NH BK | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-3平线 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23F | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,500 | n通道 | 20 v | 3.2A(ta) | 2.5V,4.5V | 50mohm @ 1.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 V | 12V | 395 pf @ 10 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6316锡/铅 | - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N6316TIN/铅 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3054A PBFRE | - | ![]() | 1403 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-2N3054APBFRE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP211-TIP41C-CT | - | ![]() | 5970 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CP211-TIP41C-CT | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpdm7002ag tr pbfree | 0.5100 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPDM7002 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||||||||||
![]() | CMLT5088EM TR PBFRE | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT5088 | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 50NA(iCBO) | 2 NPN (双) | 400mv @ 10mA,100mA | 300 @ 10mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | tip49 tr | - | ![]() | 9507 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 40 W | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 350 v | 1 a | 1ma | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT2907A bk pbfree | 0.4611 | ![]() | 2437 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CZT2907 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 350 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP127-2N6301-CT | - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 80 V | 8 a | 500µA | npn-达灵顿 | 3V @ 80mA,8a | 750 @ 4A,3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 提示112锡/铅 | 0.6185 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示112 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP112CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | - | npn-达灵顿 | 2.5V @ 8mA,2a | 1000 @ 1A,4V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | CJD127 TR13 | - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | CJD127 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100 v | 8 a | 10µA | pnp-达灵顿 | 4V @ 80mA,8a | 1000 @ 4A,4V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CZTA44HC TR | 0.3975 | ![]() | 6875 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 v | 2 a | 500NA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 200mA,2a | 30 @ 1A,10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3819 | 0.5680 | ![]() | 7694 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 25 v | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | - | JFET | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1107 APM | - | ![]() | 7554 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | - | - | - | - | - | - | (1 (无限) | CEN1107APM | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP310-MPSA42-CT | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP310 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 300 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 40 @ 30mA,10V | - | |||||||||||||||||||||||
2N6430 PBFRE | 4.7520 | ![]() | 7731 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 200 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 2mA,20mA | 50 @ 30mA,10v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP191V-2N2222A-CT | - | ![]() | 8930 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 400 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz |
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