晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
2SB1648	-	询价	6718	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-ESIP				200W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SB1648 DK	EAR99	8541.29.0075	250																150伏	17A					100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@1.2A、6A	5000@10A，4V	45兆赫
STA421A	-	询价	6123	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA421			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA421A DK	EAR99	8541.29.0095	50																60V	3A					100μA（ICBO）	4 PNP（四路）	1V@200mA，2A	40@1A，4V	-
FKP252	-	询价	3931	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKP252DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		250伏	25A（塔）	10V	75毫欧@12A，10V	4.5V@1mA		±30V	2000pF@25V	-	40W（温度）
2SA2223	-	询价	6318	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				160W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA2223DK	EAR99	8541.29.0075	500																230伏	15A					10μA（ICBO）	国民党	500毫伏@500毫安，5安	40@5A，4V	35兆赫
STA471A	2.5300	询价	7	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA471			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA471A DK	EAR99	8541.29.0075	800																60V	2A					10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@2mA，1A	2000 @ 1A，4V	50兆赫
2SK2803	-	询价	8018	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SK2803DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		450伏	3A（塔）	10V	2.8欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±30V	10V时为340pF	-	30W（温度）
SLA4390	-	询价	5255	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA43			5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA4390 DK	EAR99	8541.29.0095	250																100V	5A					10μA（ICBO）	2 NPN、2 PNP 达林顿（H桥）	1.5V@6mA，3A	2000 @ 3A、4V	-
SLA4060	-	询价	7919	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA40			5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA4060 DK	EAR99	8541.29.0095	250																120V	5A					10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@3mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
DKI04103	1.0200	询价	2	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	29A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@18.8A，10V	2.5V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	990pF@25V	-	32W（温度）
2SC4706	-	询价	3857	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4706DK	EAR99	8541.29.0095	500																600伏	14A					100μA（ICBO）	NPN	500mV@1.4A、7A	10 @ 7A，4V	6兆赫
2SC4518A	-	询价	1101	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				35W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4518A DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																550伏	5A					100μA（ICBO）	NPN	500mV@360mA，1.8A	10 @ 1.8A，4V	6兆赫
SSD103	-	询价	8295	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	固态硬盘1			1.5W	8-SOP	下载	符合RoHS标准		1261-SSD103TR	过时的		3,000																70V	6A					10μA（ICBO）	NPN	150mV@15mA，1.5A	400@1A，1V	-
FKI07076	-	询价	5558	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	55A（温度）	4.5V、10V	6.9毫欧@44A，10V	2.5V@1.5mA	91.6nC@10V	±20V	6340pF@25V	-	42W（温度）
滑雪10297	-	询价	6492	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	34A（温度）	4.5V、10V	27.9毫欧@17.1A，10V	2.5V@650μA	10V时为35.8nC	±20V	2540pF@25V	-	90W（温度）
SLA5060	8.5100	询价	622	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5060 DK	EAR99	8541.29.0095	180	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			60V	6A		220mOhm@3A、4V	-	-		320pF@10V	逻辑电平门
埃基06051	-	询价	8385	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI06051 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	85A（温度）	4.5V、10V	4.7毫欧@55A，10V	2.5V@1.5mA	90.6nC@10V	±20V	6210pF@25V	-	135W（温度）
STA335A	-	询价	4700	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	8-SIP	STA335			2.5W	8-SIP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	1261-STA335A	EAR99	8541.29.0095	1,000																36V	2A					10μA（ICBO）	2 NPN（双）	500mV@5mA，1A	500@500mA，4V	-
GKI07113	2.0600	询价	48	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		75V	9A（塔）	4.5V、10V	9.1毫欧@27.2A，10V	2.5V@1mA	57nC@10V	±20V	4040pF@25V	-	3.1W（Ta）、77W（Tc）
STA485A	-	询价	5045	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA485			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA485A DK	EAR99	8541.29.0075	800																100V	1A					10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@1mA、500mA	2000@500mA，4V	50兆赫
2SB1587	-	询价	3578	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				75W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SB1587 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	8A					100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@6mA，6A	5000 @ 6A，4V	65兆赫
STA431A	-	询价	7195	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA431			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA431A DK	EAR99	8541.29.0095	800																60V	3A					100μA（ICBO）	2 NPN、2 PNP（H桥）	1V@200mA，2A	40@1A，4V	-
MN638S	-	询价	3726	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MN638			60W	TO-220S	下载	符合RoHS标准		1261-MN638S	过时的		1,000																430伏	6A					10μA（ICBO）	NPN	1.5V@20mA，4A	1500@3A，2V	-
2SA1294	-	询价	2153	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1294 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																230伏	15A					100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	35兆赫
FKI06190	-	询价	9709	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI06190 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	30A（温度）	4.5V、10V	15.3毫欧@19.8A，10V	2.5V@350μA	10V时为23.7nC	±20V	1510pF@25V	-	32W（温度）
MGD623S	-	询价	5851	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	MGD623	标准		150W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	MGD623S DK	EAR99	8541.29.0095	510			300V，50A，39欧姆，15V											300纳秒	-	600伏	50A	100A	2.4V@15V，50A	-	75纳秒/300纳秒
2SC3519A	4.5900	询价	4	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC3519A DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																180伏	15A					100μA（ICBO）	NPN	2V@500mA，5A	50@5A，4V	50兆赫
GKI10194	-	询价	5253	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	7A（塔）	4.5V、10V	17.6毫欧@20.4A，10V	2.5V@1mA	55.8nC@10V	±20V	3990pF@25V	-	3.1W（Ta）、77W（Tc）
埃基07117	-	询价	7336	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI07117 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	62A（温度）	4.5V、10V	9.3毫欧@31.2A，10V	2.5V@1mA	57nC@10V	±20V	4040pF@25V	-	116W（温度）
SLA5061	-	询价	9674	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5061 DK	EAR99	8541.29.0095	180	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			60V	10A、6A		140mOhm@5A，4V	-	-		460pF@10V	逻辑电平门
2SD2643	-	询价	6066	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				60W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2643DK	EAR99	8541.29.0075	500																110V	6A					100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@5mA，5A	5000@5A，4V	60兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²