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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
2SB1560 Sanken 2SB1560 3.5500
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ECAD 第869章 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 100W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1560DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 10A 100μA(ICBO) PNP-达林顿 2.5V@7mA,7A 5000 @ 7A,4V 50兆赫
EKV550 Sanken EKV550 -
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ECAD 7775 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EKV550DK EAR99 8541.29.0095 500 N沟道 50V 50A(塔) 10V 15毫欧@25A,10V 4.2V@250μA ±20V 2000pF@10V - 85W(温度)
2SK4161D Sanken 2SK4161D 2.6244
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ECAD 6327 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 2SK4161 MOSFET(金属O化物) TO-3P 下载 符合RoHS标准 1261-2SK4161D EAR99 8541.29.0095 1,020 N沟道 60V 100A(温度) 8V、10V 155mOhm@10A,10V 4V@1mA 145nC@10V ±30V 10000pF@10V - 132W(温度)
2SA2151A Sanken 2SA2151A -
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ECAD 7721 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 160W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA2151A DK EAR99 8541.29.0095 500 230伏 15A 10μA(ICBO) 国民党 500毫伏@500毫安,5安 50@3A,4V 20兆赫兹
DKI06108 Sanken DKI06108 -
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ECAD 2128 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 60V 47A(温度) 4.5V、10V 9.1毫欧@23.6A,10V 2.5V@650μA 10V时为38.6nC ±20V 25V时为2520pF - 47W(温度)
FGF65A4H Sanken FGF65A4H -
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ECAD 9345 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FGF65 标准 72W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1261-FGF65A4H EAR99 8541.29.0095 1,440 400V、40A、10欧姆、15V 50纳秒 沟渠场站 650伏 65A 120A 2.37V@15V,40A 700μJ(开),600μJ(关) 75℃ 40纳秒/100纳秒
MGF65A6L Sanken MGF65A6L -
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ECAD 2296 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MGF65 标准 405W TO-3P-3L 下载 符合RoHS标准 1261-MGF65A6L EAR99 8541.29.0095 1,440 400V,60A,10欧姆,15V 65纳秒 沟渠场站 650伏 80A 180A 1.96V@15V,60A 1.7mJ(开)、1.4mJ(关) 110 纳克 50纳秒/130纳秒
STA413A Sanken STA413A -
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ECAD 1614 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 10-SIP STA413 4W 10-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) STA413A DK EAR99 8541.29.0095 800 35V 3A 10μA(ICBO) 4 NPN(四路) 500mV@5mA,1A 500@500mA,4V -
SLA5068 Sanken SLA5068 9.5800
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ECAD 403 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 15-SIP裸露接片,成型结构 SLA50 MOSFET(金属O化物) 5W 15-ZIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 180 6 个 N 沟道(路面桥) 60V 7A 100mOhm@3.5A,10V 2V@250μA - 660pF@10V -
DKI04077 Sanken DKI04077 -
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ECAD 2195 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 47A(温度) 4.5V、10V 8.9毫欧@23.3A,10V 2.5V@350μA 18.5nC@10V ±20V 1470pF@25V - 37W(温度)
2SC4138 Sanken 2SC4138 -
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ECAD 9351 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 80W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC4138DK EAR99 8541.29.0095 500 400V 10A 100μA(ICBO) NPN 500mV@1.2A、6A 10 @ 6A,4V 10兆赫兹
2SA1568 Sanken 2SA1568 -
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ECAD 3777 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 35W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1568DK EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 12A 100μA(ICBO) 国民党 350mV@300mA,6A 50@6A,1V 40兆赫
2SA1907 Sanken 2SA1907 -
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ECAD 5212 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 60W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1907 DK EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 6A 10μA(ICBO) 国民党 500mV@200mA,12A 50@2A,4V 20兆赫兹
2SB1588 Sanken 2SB1588 -
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ECAD 7770 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 80W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1588DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 10A 100μA(ICBO) PNP-达林顿 2.5V@7mA,7A 5000 @ 7A,4V 50兆赫
EKI10198 Sanken EKI10198 -
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ECAD 6809 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EKI10198 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100V 47A(温度) 4.5V、10V 17.8毫欧@23.4A,10V 2.5V@1mA 55.8nC@10V ±20V 3990pF@25V - 116W(温度)
SLA6012 Sanken SLA6012 -
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ECAD 8026 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 12-SIP裸露标签 SLA60 5W、25W 12-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SLA6012 DK EAR99 8541.29.0095 250 60V 4A 10μA(ICBO) 3 NPN、3 PNP 达林顿(筏桥) 1.5V@6mA,3A 2000 @ 3A、4V -
STA404A Sanken STA404A 7.1000
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ECAD 1 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 10-SIP STA404 4W 10-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) STA404A DK EAR99 8541.29.0095 800 200V 3A 100μA(ICBO) 4 NPN 达林顿(四通道) 2V@1.5mA,1A 1000 @ 1A,4V -
2SK3004 Sanken 2SK3004 -
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ECAD 2822 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SK3004DK EAR99 8541.29.0095 3,750 N沟道 250伏 18A(塔) 10V 250mOhm@9A,10V 4V@1mA ±20V 850pF@10V - 35W(温度)
2SK2943 Sanken 2SK2943 -
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ECAD 9261 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SK2943 DK EAR99 8541.29.0095 3,750 N沟道 900伏 3A(塔) 10V 5欧姆@1.5A,10V 4V@1mA ±30V 600pF@10V - 30W(温度)
STA461C Sanken STA461C 3.6421
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ECAD 3885 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 10-SIP STA461 3.2W 10-SIP 下载 符合RoHS标准 1261-STA461C EAR99 8541.29.0095 3,300 70V 6A 10μA(ICBO) 2 NPN 150mV@15mA,1.5A 400@1A,1V -
EKI04027 Sanken 埃基04027 -
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ECAD 8634 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EKI04027 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 40V 85A(温度) 4.5V、10V 3.2毫欧@82.5A,10V 2.5V@1.5mA 93.7nC@10V ±20V 6200pF@25V - 135W(温度)
FGF65A3L Sanken FGF65A3L -
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ECAD 9544 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FGF65 标准 72W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1261-FGF65A3L EAR99 8541.29.0095 1,440 400V,30A,10欧姆,15V 50纳秒 沟渠场站 650伏 50A 90A 1.96V@15V,30A 600μJ(开),600μJ(关) 60℃ 30纳秒/90纳秒
DKI10526 Sanken DKI10526 -
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ECAD 第1481章 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100V 19A(塔) 4.5V、10V 47.7毫欧@9.3A,10V 2.5V@350μA 23nC@10V ±20V 1530pF@25V - 37W(温度)
DKG1020 Sanken DKG1020 1.1958
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ECAD 5070 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 的积极 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 DKG10 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1261-DKG1020TR EAR99 8541.29.0095 2,800 N沟道 100V 20A(塔) 4.5V、10V 4.7毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 47nC@10V ±20V 2200pF@10V - 40W(温度)
STA509A Sanken STA509A -
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ECAD 3583 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 10-SIP STA509 MOSFET(金属O化物) 4W(Ta)、20W(Tc) 10-SIP 下载 符合RoHS标准 1261-STA509A EAR99 8541.29.0095 第440章 4 N 沟道 57V 3A(塔) 250mOhm@1A,10V 2.5V@250μA - 200pF@10V 标准
GKI06071 Sanken GKI06071 -
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ECAD 8165 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 60V 11A(塔) 4.5V、10V 6毫欧@34A,10V 2.5V@1mA 53.6nC@10V ±20V 3810pF@25V - 3.1W(Ta)、77W(Tc)
KGF65A6H Sanken KGF65A6H -
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ECAD 9018 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 KGF65 标准 405W TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1261-KGF65A6H EAR99 8541.29.0095 1,440 400V,60A,10欧姆,15V 50纳秒 沟渠场站 650伏 80A 100A 2.37V@15V,60A 1.4mJ(开),1.3mJ(关) 110 纳克 50纳秒/130纳秒
FGF65A4L Sanken FGF65A4L -
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ECAD 7190 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FGF65 标准 72W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1261-FGF65A4L EAR99 8541.29.0095 1,440 400V、40A、10欧姆、15V 60纳秒 沟渠场站 650伏 65A 120A 1.96V@15V,40A 900μJ(开),900μJ(关) 75℃ 40纳秒/100纳秒
EKI07076 Sanken 埃基07076 -
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ECAD 1937年 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EKI07076 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 75V 85A(温度) 4.5V、10V 6.6毫欧@44A,10V 2.5V@1.5mA 91nC@10V ±20V 6340pF@25V - 135W(温度)
SKI04033 Sanken SKI04033 1.3500
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ECAD 38 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 40V 80A(温度) 4.5V、10V 3.8毫欧@58.5A,10V 2.5V@1mA 63.2nC@10V ±20V 3910pF@25V - 116W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库