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（306）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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KGF65A6L	-	RFQ	9849	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准		405 w	TO-247-3	下载	Rohs符合条件		1261-KGF65A6L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，60a，10ohm，15V											65 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	180 a	1.96V @ 15V，60a	1.7MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	110 NC	50NS/130NS
FGF65A4L	-	RFQ	7190	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准		72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件		1261-FGF65A4L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，40a，10ohm，15V											60 ns	沟渠场停止	650 v	65 a	120 a	1.96V @ 15V，40a	（900µJ）（在），900µJ（900µJ）中	75 NC	40NS/100NS
2SB1647	-	RFQ	1687年	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SB1647 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	15 a						100µA（ICBO）	pnp-达灵顿	2.5V @ 10mA，10a	5000 @ 10a，4v	45MHz
2SK3800VR	-	RFQ	7717	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SK3800VR DK	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	70a（ta）	10V	6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA		±20V	5100 PF @ 10 V	-	80W（TC）
sta509a	-	RFQ	3583	桑肯	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	10-sip	STA509		MOSFET （金属 o化物）	（4W）（ta），20W（20W）TC）	10-sip	下载	Rohs符合条件		1261-STA509A	Ear99	8541.29.0095	440	4 n通道			57V	3A（3A）		250MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	-		200pf @ 10V	标准
2SC4138	-	RFQ	9351	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				80 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC4138 DK	Ear99	8541.29.0095	500																400 v	10 a						100µA（ICBO）	NPN	500MV @ 1.2A，6A	10 @ 6a，4V	10MHz
DKI03062	-	RFQ	9339	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	48A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 31a，10V	2.5V @ 350µA	24.6 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 15 V	-	37W（TC）
2SK3004	-	RFQ	2822	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SK3004 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道		250 v	18A（18A）	10V	250MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 10 V	-	35W（TC）
EKI10198	-	RFQ	6809	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI10198 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	47A（TC）	4.5V，10V	17.8mohm @ 23.4a，10v	2.5V @ 1mA	55.8 NC @ 10 V	±20V	3990 pf @ 25 V	-	116W（TC）
DKI10526	-	RFQ	1481	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	（19a ta）	4.5V，10V	47.7MOHM @ 9.3A，10V	2.5V @ 350µA	23 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	37W（TC）
EKI04027	-	RFQ	8634	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI04027 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 82.5a，10V	2.5V @ 1.5mA	93.7 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
SUK3015	6.2800	RFQ	40	桑肯	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	1261-SUK3015	Ear99	8541.29.0095	2,800		n通道		300 v	15A（TA）	10V	150MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA		±25V	1800 pf @ 10 V	-	89W（TC）
KGF65A4L	-	RFQ	4467	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准		288 w	TO-247-3	下载	Rohs符合条件		1261-KGF65A4L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，40a，10ohm，15V											60 ns	沟渠场停止	650 v	65 a	120 a	1.96V @ 15V，40a	（900µJ）（在），900µJ（900µJ）中	75 NC	40NS/100NS
FGF65A3L	-	RFQ	9544	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准		72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件		1261-FGF65A3L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，30a，10ohm，15V											50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	1.96V @ 15V，30a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	60 NC	30NS/90NS
2SB1570	-	RFQ	2459	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯				150 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SB1570 DK	Ear99	8541.29.0075	250																150 v	12 a						100µA（ICBO）	pnp-达灵顿	2.5V @ 7mA，7a	5000 @ 7A，4V	50MHz
FKI07174	-	RFQ	4513	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FKI07174 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	31a（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 22.8a，10v	2.5V @ 650µA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	38W（TC）
KGF65A6H	-	RFQ	9018	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准		405 w	TO-247-3	下载	Rohs符合条件		1261-KGF65A6H	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，60a，10ohm，15V											50 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	100 a	2.37V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，1.3MJ off）	110 NC	50NS/130NS
EKI10126	-	RFQ	4561	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI10126 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	66A（TC）	4.5V，10V	11.6mohm @ 33a，10v	2.5V @ 1.5mA	88.8 NC @ 10 V	±20V	6420 PF @ 25 V	-	135W（TC）
SLA5065	7.7200	RFQ	727	桑肯	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	15 sip裸露的选项卡，形成铅	Sla50		MOSFET （金属 o化物）	4.8W	15-zip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	SLA5065 DK	Ear99	8541.29.0095	180	4 n通道			60V	7a		100mohm @ 3.5a，10v	2V @ 250µA	-		660pf @ 10V	-
2SA1907	-	RFQ	5212	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				60 W	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA1907 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																80 V	6 a						10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，12a	50 @ 2a，4v	20MHz
EKI06075	-	RFQ	7084	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI06075 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	78A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 39a，10v	2.5V @ 1mA	53.6 NC @ 10 V	±20V	3810 PF @ 25 V	-	116W（TC）
FKG1020	-	RFQ	4767	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FKG10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件		1261-FKG1020	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	20A（TA）	4.5V，10V	75MOHM @ 8.5A，10V	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	-15V	2200 PF @ 10 V	-	40W（TC）
MGF65A6L	-	RFQ	2296	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	MGF65	标准		405 w	TO-3P-3L	下载	Rohs符合条件		1261-MGF65A6L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，60a，10ohm，15V											65 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	180 a	1.96V @ 15V，60a	1.7MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	110 NC	50NS/130NS
GKI04031	2.0600	RFQ	5	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	17A（TA）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 51A，10V	2.5V @ 1mA	63.2 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
FKI10126	-	RFQ	9174	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FKI10126 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	41A（TC）	4.5V，10V	11.6mohm @ 33a，10v	2.5V @ 1.5mA	88.8 NC @ 10 V	±20V	6420 PF @ 25 V	-	42W（TC）
2SA1493	-	RFQ	3662	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯				150 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA1493 DK	Ear99	8541.29.0095	250																200 v	15 a						100µA（ICBO）	PNP	3V @ 1a，10a	50 @ 5A，4V	20MHz
2SA1568	-	RFQ	3777	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				35 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA1568 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																60 V	12 a						100µA（ICBO）	PNP	350mv @ 300mA，6a	50 @ 6a，1V	40MHz
GKI04048	1.6200	RFQ	2	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	14A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 35.4a，10v	2.5V @ 650µA	35.3 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），59w（tc）
2SB1560	3.5500	RFQ	869	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				100 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SB1560 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	10 a						100µA（ICBO）	pnp-达灵顿	2.5V @ 7mA，7a	5000 @ 7A，4V	50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（306）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²