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（306）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FKI07174	-	RFQ	4513	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	FKI07174 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	31a（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 22.8a，10v	2.5V @ 650µA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	38W（TC）
DKI06108	-	RFQ	2128	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	47A（TC）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 23.6a，10V	2.5V @ 650µA	38.6 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	47W（TC）
GKI03080	0.9200	RFQ	9	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	12a（12a）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 25a，10V	2.5V @ 250µA	16.3 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），40W tc（TC）
SKI04033	1.3500	RFQ	38	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 58.5A，10V	2.5V @ 1mA	63.2 NC @ 10 V	±20V	3910 PF @ 25 V	-	116W（TC）
2SC3852	-	RFQ	4403	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC3852 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																60 V	3 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，2a	500 @ 500mA，4V	15MHz
DKG1020	1.1958	RFQ	5070	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DKG10		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件		1261-DKG1020TR	Ear99	8541.29.0095	2,800		n通道		100 v	20A（TA）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 10 V	-	40W（TC）
EKI06075	-	RFQ	7084	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI06075 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	78A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 39a，10v	2.5V @ 1mA	53.6 NC @ 10 V	±20V	3810 PF @ 25 V	-	116W（TC）
2SK3004	-	RFQ	2822	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SK3004 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道		250 v	18A（18A）	10V	250MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 10 V	-	35W（TC）
GKI06071	-	RFQ	8165	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	11a（11a）	4.5V，10V	6mohm @ 34a，10v	2.5V @ 1mA	53.6 NC @ 10 V	±20V	3810 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），77W（TC）
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KGF65A6L	-	RFQ	9849	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准		405 w	TO-247-3	下载	Rohs符合条件		1261-KGF65A6L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，60a，10ohm，15V											65 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	180 a	1.96V @ 15V，60a	1.7MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	110 NC	50NS/130NS
EKI04027	-	RFQ	8634	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI04027 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 82.5a，10V	2.5V @ 1.5mA	93.7 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
2SC5099	-	RFQ	3428	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				60 W	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC5099 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																80 V	6 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	50 @ 2a，4v	20MHz
FGF65A3L	-	RFQ	9544	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准		72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件		1261-FGF65A3L	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，30a，10ohm，15V											50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	1.96V @ 15V，30a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	60 NC	30NS/90NS
GKI04048	1.6200	RFQ	2	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	14A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 35.4a，10v	2.5V @ 650µA	35.3 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），59w（tc）
DKI10526	-	RFQ	1481	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	（19a ta）	4.5V，10V	47.7MOHM @ 9.3A，10V	2.5V @ 350µA	23 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	37W（TC）
2SC2922	-	RFQ	9551	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯				200 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC2922 DK	Ear99	8541.29.0075	250																180 v	17 a						100µA（ICBO）	NPN	2V @ 800mA，8a	30 @ 8V，4V	50MHz
2SC4138	-	RFQ	9351	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				80 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC4138 DK	Ear99	8541.29.0095	500																400 v	10 a						100µA（ICBO）	NPN	500MV @ 1.2A，6A	10 @ 6a，4V	10MHz
SMA4032	4.9200	RFQ	1	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	12-sip	SMA40			4W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	SMA4032 DK	Ear99	8541.29.0075	180																100V	3a						10µA（ICBO）	4 npn darlington（四Quad）	1.5V @ 3mA，1.5a	2000 @ 1.5A，4V	40MHz
2SD2389	-	RFQ	6239	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				80 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SD2389 DK	Ear99	8541.29.0075	500																150 v	8 a						100µA（ICBO）	npn-达灵顿	2.5V @ 6mA，6a	5000 @ 6a，4v	80MHz
2SB1560	3.5500	RFQ	869	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				100 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SB1560 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	10 a						100µA（ICBO）	pnp-达灵顿	2.5V @ 7mA，7a	5000 @ 7A，4V	50MHz
2SC6145A	4.7400	RFQ	5	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				160 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SC6145A DK	Ear99	8541.29.0075	500																260 v	15 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	40 @ 5A，4V	60MHz
DKI03082	0.9600	RFQ	1	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	29A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	16.3 NC @ 10 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	32W（TC）
SLA5065	7.7200	RFQ	727	桑肯	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	15 sip裸露的选项卡，形成铅	Sla50		MOSFET （金属 o化物）	4.8W	15-zip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	SLA5065 DK	Ear99	8541.29.0095	180	4 n通道			60V	7a		100mohm @ 3.5a，10v	2V @ 250µA	-		660pf @ 10V	-
2SA1668	1.8800	RFQ	5	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				25 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA1668 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																200 v	2 a						10µA（ICBO）	PNP	1V @ 70mA，700mA	60 @ 700mA，10v	20MHz
2SA1725	2.1000	RFQ	190	桑肯	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				30 W	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA1725 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																80 V	6 a						10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	50 @ 2a，4v	20MHz
EKI07174	-	RFQ	3893	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	EKI07174 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	46A（TC）	4.5V，10V	13.6mohm @ 22.8a，10v	2.5V @ 650µA	36.2 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	90W（TC）
SLA6026	3.4200	RFQ	25	桑肯	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	12-SIP裸露的选项卡	Sla60			5W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Sla6026 dk	Ear99	8541.29.0075	18																60V	10a						10µA（ICBO）	3 NPN，3 pnp darlington （3相桥）	1.5V @ 12mA，6a	2000 @ 6a，4v	50MHz
SUK3015	6.2800	RFQ	40	桑肯	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	1261-SUK3015	Ear99	8541.29.0095	2,800		n通道		300 v	15A（TA）	10V	150MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA		±25V	1800 pf @ 10 V	-	89W（TC）
2SA2151A	-	RFQ	7721	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				160 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	2SA2151A DK	Ear99	8541.29.0095	500																230 v	15 a						10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	20MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（306）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²