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（306）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
SMA4038 Sanken SMA4038 5.9600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 SMA40 4W 15-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA4038 DK Ear99 8541.29.0095 18 120V 3a 10µA（ICBO） 6 NPN达灵顿 1.5V @ 3mA，1.5a 2000 @ 1.5A，4V -
FGM623S Sanken FGM623S -
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 FGM623 标准 60 W to-3pf 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FGM623S DK Ear99 8541.29.0095 1,080 300V，30a，39ohm，15V - 600 v 30 a 100 a 1.7V @ 15V，30a - 65 NC 100NS/300NS
DJR0417 Sanken DJR0417 2.0960
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DJR04 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 1261-DJR0417TR Ear99 8541.29.0095 2,800 P通道 40 V 17a（TC） 4.5V，10V 12.6mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 75 NC @ 10 V ±20V - 48W（TC）
FLD470 Sanken FLD470 1.8169
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 FLD47 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 1261-FLD470 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 70a（ta） 10V 10.5mohm @ 10a，10v 4V @ 1mA ±20V 5100 PF @ 10 V - 35W（TC）
SLA6024 Sanken SLA6024 5.6500
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla60 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Sla6024 dk Ear99 8541.29.0075 250 60V 8a 10µA（ICBO） 3 NPN，3 pnp darlington （3相桥） 1.5V @ 10mA，5a 2000 @ 5A，4V 50MHz
2SC4388 Sanken 2SC4388 -
RFQ
 ECAD 4031 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 85 w to-3pf 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC4388 DK Ear99 8541.29.0095 1,000 180 v 15 a 10µA（ICBO） NPN 2V @ 500mA，5a 50 @ 3a，4v 20MHz
SMA5112 Sanken SMA5112 -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） 4W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5112 DK Ear99 8541.29.0095 180 6 n通道（3相桥） 250V 7a 500MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 1mA - 450pf @ 10V -
FKV460S Sanken FKV460S 2.4226
RFQ
 ECAD 3768 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB FKV460 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 1261-FKV460S Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 60a（ta） 10V 7mohm @ 25a，10v 2.3V @ 250µA +20V，-10V 2800 PF @ 10 V - 60W（TC）
2SC4466 Sanken 2SC4466 2.8300
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 60 W to-3p 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC4466 DK Ear99 8541.29.0095 1,000 80 V 6 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 200mA，2a 50 @ 2a，4v 20MHz
SLA5073 Sanken SLA5073 7.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5073 DK Ear99 8541.29.0095 180 6 n通道（3相桥） 60V 5a 300MOHM @ 3A，4V 2V @ 250µA - 320pf @ 10V 逻辑级别门
SLA5086 Sanken SLA5086 9.3600
RFQ
 ECAD 270 0.00000000 桑肯 - 管子 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 12-SIP裸露的选项卡 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5086 DK Ear99 8541.29.0095 18 5 p通道，常见来源 60V 5a 220MOHM @ 3A，10V 2V @ 250µA - 790pf @ 10V 逻辑级别门
2SA1215 Sanken 2SA1215 -
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 3-埃斯 150 w MT-200 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SA1215 DK Ear99 8541.29.0075 250 160 v 15 a 100µA（ICBO） PNP 2V @ 500mA，5a 50 @ 5A，4V 50MHz
STA457C Sanken sta457c -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 10-sip STA457 4W 10-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） STA457C DK Ear99 8541.29.0095 800 60V 4a 100µA（ICBO） 2 NPN，2 PNP Darlington（H-Bridge） 1.5V @ 4mA，2a 2000 @ 2A，4V -
SMA5125 Sanken SMA5125 -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 桑肯 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） 4W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5125 DK Ear99 8541.29.0095 18 3n和3p 通道（3相桥） 60V 10a 140MOHM @ 5A，4V 2V @ 250µA - 460pf @ 10V -
2SA2223A Sanken 2SA2223A 5.3500
RFQ
 ECAD 814 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 160 w to-3p 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SA2223A DK Ear99 8541.29.0075 30 260 v 15 a 10µA PNP 500mv @ 500mA，5a 40 @ 5A，4V 35MHz
SLA5096 Sanken SLA5096 -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 - 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） - 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5096 DK Ear99 8541.29.0095 18 3n和3p 通道（3相桥） 55V 8a - - - - -
GKI10526 Sanken GKI10526 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 4A（ta） 4.5V，10V 47.7MOHM @ 9.3A，10V 2.5V @ 350µA 23 NC @ 10 V ±20V 1530 pf @ 25 V - 3.1W（ta），46W（tc）
SKI03087 Sanken SKI03087 -
RFQ
 ECAD 7024 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 40a（TC） 4.5V，10V 9MOHM @ 31.5a，10V 2.5V @ 250µA 16.3 NC @ 10 V ±20V 1030 pf @ 15 V - 52W（TC）
FKV550T Sanken FKV550T -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FKV550 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FKV550T DK Ear99 8541.29.0095 500 n通道 50 V 50a（ta） 10V 13mohm @ 25a，10v 2.5V @ 250µA ±20V 2700 PF @ 10 V - 35W（TC）
2SD2560 Sanken 2SD2560 3.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 130 w to-3p 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SD2560 DK Ear99 8541.29.0075 1,000 150 v 15 a 100µA（ICBO） npn-达灵顿 2.5V @ 10mA，10a 5000 @ 10a，4v 70MHz
FKP253 Sanken FKP253 -
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 桑肯 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FKP253 DK Ear99 8541.29.0095 3,750 n通道 250 v 20A（TA） 10V 95mohm @ 10a，10v 4.5V @ 1mA ±30V 1600 pf @ 25 V - 40W（TC）
GKI10301 Sanken GKI10301 -
RFQ
 ECAD 4996 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 5A（5A） 4.5V，10V 28mohm @ 14.2A，10V 2.5V @ 650µA 35.8 NC @ 10 V ±20V 2540 pf @ 25 V - 3.1W（TA），59w（tc）
SKI06106 Sanken SKI06106 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 57A（TC） 4.5V，10V 8.8MOHM @ 28.5A，10V 2.5V @ 650µA 38.6 NC @ 10 V ±20V 2520 PF @ 25 V - 90W（TC）
SMA5127 Sanken SMA5127 -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） 4W 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5127 DK Ear99 8541.29.0095 18 3n和3p 通道（3相桥） 60V 4a 550MOHM @ 2A，4V 2V @ 250µA - 150pf @ 10V -
2SC6011A Sanken 2SC6011A -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 桑肯 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 160 w to-3p 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SC6011A DK Ear99 8541.29.0095 500 230 v 15 a 10µA（ICBO） NPN 500mv @ 500mA，5a 50 @ 3a，4v 20MHz
SMA5132 Sanken SMA5132 8.4800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 桑肯 - 管子 积极的 - 通过洞 12-sip SMA51 MOSFET （金属 o化物） - 12-sip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SMA5132 DK Ear99 8541.29.0095 18 3n和3p 通道（3相桥） 500V 1.5a - - - - -
2SA1909 Sanken 2SA1909 5.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 80 W to-3pf 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 2SA1909 DK Ear99 8541.29.0095 1,000 140 v 10 a 10µA（ICBO） PNP 500mv @ 500mA，5a 50 @ 3a，4v 20MHz
FKI06075 Sanken FKI06075 -
RFQ
 ECAD 3393 0.00000000 桑肯 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FKI06075 DK Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 52A（TC） 4.5V，10V 6.3mohm @ 39a，10v 2.5V @ 1mA 53.6 NC @ 10 V ±20V 3810 PF @ 25 V - 40W（TC）
GKI07174 Sanken GKI07174 -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（5x6） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 75 v （7a ta），26a （TC） 4.5V，10V 14.5MOHM @ 18.9A，10V 2.5V @ 650µA 33 NC @ 10 V ±20V 2520 PF @ 25 V - 3.1W（TA），59w（tc）
SLA5075 Sanken SLA5075 -
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 桑肯 - 管子 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 15 sip裸露的选项卡，形成铅 Sla50 MOSFET （金属 o化物） 5W 15-zip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） SLA5075 DK Ear99 8541.29.0095 180 6 n通道（3相桥） 500V 5a 1.4OHM @ 2.5A，10V 4V @ 1mA - 770pf @ 10V -
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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