晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
FKP330C	-	询价	4590	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FKP330		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKP330C DK	EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		330伏	30A（塔）	10V	63毫欧@15A，10V	4.5V@1mA		±30V	4600pF@25V	-	85W（温度）
STD03P	-	询价	9868	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-5	标准03			160W	TO-3P-5L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STD03P DK	EAR99	8541.29.0095	500																160伏	15A						100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2V@10mA，10A	5000@10A，4V	-
SPF0001	-	询价	2084	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	20-PowerSOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	SPF00			2.5W	20-HSOP	下载	符合RoHS标准		1261-SPF0001TR	EAR99	8541.29.0095	1,400																125V	6A						10μA（ICBO）	2 NPN	120mV@12mA，1.2A	400@1A，1V	-
2SB1420	-	询价	7726	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SB1420DK	EAR99	8541.29.0075	500																120V	16A						10μA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@16mA，8A	2000@8A，4V	50兆赫
FKI10300	-	询价	8500	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI10300DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100V	23A（温度）	4.5V、10V	27.9毫欧@17.1A，10V	2.5V@650μA	10V时为35.8nC	±20V	2540pF@25V	-	38W（温度）
2SA1693	2.9800	询价	第362章	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				60W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1693 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																80V	6A						10μA（ICBO）	国民党	1.5V@200mA，2A	50@2A，4V	20兆赫兹
DJR0417	2.0960	询价	6565	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	DJR04		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准		1261-DJR0417TR	EAR99	8541.29.0095	2,800		P沟道		40V	17A（温度）	4.5V、10V	12.6毫欧@10A、10V	2.5V@1mA	75nC@10V	±20V		-	48W（温度）
MGF65A4L	-	询价	7248	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		288 W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A4L	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V、40A、10欧姆、15V											60纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	1.96V@15V，40A	900μJ（开），900μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
MGD622	-	询价	9606	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGD6	标准		90W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGD622	EAR99	8541.29.0095	510			300V，40A，39欧姆，15V											300纳秒	沟	600伏	40A	60A	2.7V@15V，40A	-	40℃	50纳秒/200纳秒
SPF0004	7.0100	询价	50	三肯	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	20-PowerSOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	SPF00		MOSFET（金属O化物）	2.5W（温度）	20-HSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,400	2 个 N 沟道（双）			275V	6A（塔）		260毫欧@6A，10V	2.6V@1mA	-		960pF@10V	-
FKP253	-	询价	9129	三肯	-	大部分	不适合新设计	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKP253 DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		250伏	20A（塔）	10V	95毫欧@10A，10V	4.5V@1mA		±30V	1600pF@25V	-	40W（温度）
埃基06108	-	询价	2058	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI06108 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	57A（温度）	4.5V、10V	9.2毫欧@28.5A，10V	2.5V@650μA	10V时为38.6nC	±20V	25V时为2520pF	-	90W（温度）
滑雪06073	-	询价	9796	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	78A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@39A，10V	2.5V@1mA	53.6nC@10V	±20V	3810pF@25V	-	116W（温度）
SLA5073	7.0100	询价	1	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5073 DK	EAR99	8541.29.0095	180	6 个 N 沟道（路面桥）			60V	5A		300mOhm@3A、4V	2V@250μA	-		320pF@10V	逻辑电平门
SLA5096	-	询价	5152	三肯	-	管子	的积极	-	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50		MOSFET（金属O化物）	-	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5096 DK	EAR99	8541.29.0095	18	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			55V	8A		-	-	-		-	-
STA473A	-	询价	5989	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA473			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA473A DK	EAR99	8541.29.0075	800																100V	2A						10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@2mA，1A	2000 @ 1A，4V	50兆赫
FKI06051	-	询价	3195	三肯	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI06051 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	69A（温度）	4.5V、10V	4.7毫欧@55A，10V	2.5V@1.5mA	90.6nC@10V	±20V	6210pF@25V	-	42W（温度）
SMA4038	5.9600	询价	4	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SMA40			4W	15-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA4038DK	EAR99	8541.29.0095	18																120V	3A						10μA（ICBO）	6 NPN 达林顿	1.5V@3mA，1.5A	2000@1.5A，4V	-
2SA1567	-	询价	4002	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				35W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1567 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																50V	12A						100μA（ICBO）	国民党	350mV@300mA，6A	50@6A，1V	40兆赫
2SC3284	-	询价	1124	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				125W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC3284DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	14A						100μA（ICBO）	NPN	2V@500mA，5A	50@5A，4V	60兆赫
2SD2641	-	询价	3660	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				60W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2641DK	EAR99	8541.29.0075	500																110V	6A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@5mA，5A	5000@5A，4V	60兆赫
2SK3800	-	询价	3212	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-220S	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SK3800DK	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	70A（塔）	10V	6毫欧@35A，10V	4V@1mA		±20V	5100pF@10V	-	80W（温度）
2SA1303	-	询价	9823	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				125W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1303DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	14A						100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	50兆赫
SLA5037	-	询价	9417	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5037 DK	EAR99	8541.29.0095	180	4 N 沟道			100V	10A		80毫欧@5A，10V	2V@250mA	-		1630pF@10V	逻辑电平门
SMA5127	-	询价	1221	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP	SMA51		MOSFET（金属O化物）	4W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA5127DK	EAR99	8541.29.0095	18	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			60V	4A		550mOhm@2A，4V	2V@250μA	-		150pF@10V	-
2SC4300	-	询价	9457	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				75W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4300DK	EAR99	8541.29.0095	500																800V	5A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@400mA，2A	10 @ 2A，4V	6兆赫
2SC5130	-	询价	4157	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC5130DK	EAR99	8541.29.0095	50																400V	5A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@300mA，1.5A	10 @ 1.5A，4V	20兆赫兹
2SD2382	-	询价	4523	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	1261-2SD2382	EAR99	8541.29.0095	1																65V	6A						10μA（ICBO）	NPN-达林顿	150mV@15mA，1.5A	700 @ 1A、1V	-
GKI07174	-	询价	2847	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		75V	7A（Ta）、26A（Tc）	4.5V、10V	14.5毫欧@18.9A，10V	2.5V@650μA	33nC@10V	±20V	25V时为2520pF	-	3.1W（Ta）、59W（Tc）
2SC4301	-	询价	3866	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				80W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4301DK	EAR99	8541.29.0095	500																800V	7A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@600mA，3A	10个@3A、4V	6兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²