晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
MGF65A6H	-	询价	3613	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		405W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A6H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，60A，10欧姆，15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	80A	100A	2.37V@15V，60A	1.4mJ（开），1.3mJ（关）	110 纳克	50纳秒/130纳秒
2SA1673	6.6100	询价	第398章	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				85W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1673 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																180伏	15A						10μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@3A，4V	20兆赫兹
2SD2017	-	询价	9632	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				35W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2017 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																250伏	6A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@2mA、2A	2000 @ 2A、2V	20兆赫兹
SKP253	-	询价	3197	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SKP253DK	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		250伏	20A（塔）	10V	95毫欧@10A，10V	4.5V@1mA		±30V	1600pF@25V	-	40W（温度）
MGF65A3H	-	询价	3961	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		217 W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A3H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，30A，10欧姆，15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	50A	90A	2.73V@15V，30A	500μJ（开），400μJ（关）	60℃	30纳秒/90纳秒
FKV660S	-	询价	1107	三肯	-	管子	的积极	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FKV660		MOSFET（金属O化物）		TO-220S	下载	符合RoHS标准		1261-FKV660S	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	60A（塔）	10V	7.35毫欧@10A、10V	2.5V@250μA		±20V	2500pF@10V	-	60W（温度）
2SC5287	-	询价	2342	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC5287 DK	EAR99	8541.29.0095	500																550伏	5A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@360mA，1.8A	10 @ 1.8A，4V	6兆赫
STA403A	-	询价	8880	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA403			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA403A DK	EAR99	8541.29.0095	800																100V	4A						100μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	100V@10mA	1000 @ 2A，4V	-
MGF65A4H	-	询价	9407	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		288 W	TO-3P	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A4H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V、40A、10欧姆、15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	2.37V@15V，40A	700μJ（开），600μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
STA322A	-	询价	7591	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	8-SIP	STA322			3W、15W	8-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA322A DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																50V	3A						100μA（ICBO）	3 PNP	1V@40mA，2A	100 @ 1A，4V	-
FKI06075	-	询价	3393	三肯	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI06075 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	52A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@39A，10V	2.5V@1mA	53.6nC@10V	±20V	3810pF@25V	-	40W（温度）
SMA4021	-	询价	9225	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP	SMA40			4W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA4021 DK	EAR99	8541.29.0095	18																60V	3A						10μA（ICBO）	4 PNP 达林顿（四元）	1.5V@4mA，2A	2000 @ 2A，4V	-
STA457C	-	询价	5634	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA457			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA457C DK	EAR99	8541.29.0095	800																60V	4A						100μA（ICBO）	2 NPN、2 PNP 达林顿（H桥）	1.5V@4mA，2A	2000 @ 2A，4V	-
SMA5112	-	询价	6316	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP	SMA51		MOSFET（金属O化物）	4W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA5112DK	EAR99	8541.29.0095	180	6 个 N 沟道（路面桥）			250V	7A		500mOhm@3.5A，10V	4V@1mA	-		450pF@10V	-
SLA5212	-	询价	7074	三肯	-	管子	的积极	-	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA52		MOSFET（金属O化物）	-	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5212DK	EAR99	8541.29.0095	18	6 个 N 沟道（路面桥）			35V	8A		-	-	-		-	-
SKP253VR	-	询价	4269	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SKP253		MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SKP253VR DK	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		250伏	20A（塔）	10V	95毫欧@10A，10V	4.5V@1mA		±30V	1600pF@25V	-	40W（温度）
2SD1785	-	询价	9247	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD1785 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																120V	6A						10μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@3mA，2A	2000 @ 3A，2V	100兆赫兹
STD03N	-	询价	6283	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-5	标准03			160W	TO-3P-5L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STD03N DK	EAR99	8541.29.0095	500																160伏	15A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2V@10mA，10A	5000@10A，4V	-
2SC5071	-	询价	9060	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				100W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC5071 DK	EAR99	8541.29.0095	500																400V	12A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@1.4A、7A	10 @ 7A，4V	10兆赫兹
SLA5086	9.3600	询价	270	三肯	-	管子	不适合新设计	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5086 DK	EAR99	8541.29.0095	18	5 个 P 沟道，公共源			60V	5A		220毫欧@3A，10V	2V@250μA	-		790pF@10V	逻辑电平门
MGD633	-	询价	2344	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	MGD6	标准		150W	TO-247-3	下载	符合RoHS标准		1261-MGD633	EAR99	8541.29.0095	1,440			300V，50A，39欧姆，15V											350纳秒	沟	600伏	50A	100A	2.4V@15V，50A	-	65 纳克	75纳秒/300纳秒
STA408A	3.4800	询价	2	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA408			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA408A DK	EAR99	8541.29.0095	800																120V	4A						100μA（ICBO）	4 PNP 达林顿（四元）	1.5V@4mA，2A	2000 @ 2A，4V	-
SMA5125	-	询价	2402	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP	SMA51		MOSFET（金属O化物）	4W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA5125DK	EAR99	8541.29.0095	18	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			60V	10A		140mOhm@5A，4V	2V@250μA	-		460pF@10V	-
STA302A	4.9700	询价	3	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	8-SIP	STA302			3W	8-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA302A DK	EAR99	8541.29.0095	50																50V	4A						100μA（ICBO）	3 PNP 达林顿（发射极耦合）	2V@10mA，3A	1000 @ 3A、4V	-
SLA4041	-	询价	9249	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA40			5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA4041 DK	EAR99	8541.29.0095	250																200V	3A						10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@3mA，1.5A	1000 @ 1.5A，4V	-
GKI10301	-	询价	4996	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	5A（塔）	4.5V、10V	28毫欧@14.2A，10V	2.5V@650μA	10V时为35.8nC	±20V	2540pF@25V	-	3.1W（Ta）、59W（Tc）
FKV550N	-	询价	6408	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	FKV550		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKV550N DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		50V	50A（塔）	10V	15毫欧@25A，10V	4.2V@250μA		±20V	2000pF@10V	-	35W（温度）
STD01P	4.3400	询价	18	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-5	性病01			100W	TO-3P-5L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STD01P DK	EAR99	8541.29.0095	500																150伏	10A						100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2V@6mA，6A	5000 @ 6A，4V	-
SMA6511	-	询价	6704	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP	SMA65			4W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA6511DK	EAR99	8541.29.0095	18																60V	1.5A、3A						100μA（ICBO）	4 NPN、1 PNP 达林顿	1.5V@2mA，1A	2000 @ 1A，4V	-
FKV460S	2.4226	询价	3768	三肯	-	管子	的积极	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	FKV460		MOSFET（金属O化物）		TO-220S	下载	符合RoHS标准		1261-FKV460S	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	60A（塔）	10V	7毫欧@25A，10V	2.3V@250μA		+20V，-10V	2800pF@10V	-	60W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²