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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
FGM622S Sanken FGM622S -
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ECAD 9147 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FGM622 标准 60W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FGM622S DK EAR99 8541.29.0095 1,080 人 - - 600伏 25A 75A 1.9V@15V,25A - 40℃ 50纳秒/200纳秒
2SA1215 Sanken 2SA1215 -
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ECAD 1260 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-ESIP 150W MT-200 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1215 DK EAR99 8541.29.0075 250 160伏 15A 100μA(ICBO) 国民党 2V@500mA,5A 50@5A,4V 50兆赫
FKV575 Sanken FKV575 3.6200
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ECAD 3 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FKV575DK EAR99 8541.29.0095 3,750 N沟道 50V 75A(塔) 10V 10毫欧@37A,10V 4.5V@250μA 70nC@10V ±20V 3200pF@10V - 40W(温度)
STA412A Sanken STA412A 6.8600
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ECAD 1 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 10-SIP STA412 4W 10-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) STA412A DK EAR99 8541.29.0095 800 60V 3A 100μA(ICBO) 4 NPN(四路) 1V@10mA,1A 300@500mA,4V -
2SC4466 Sanken 2SC4466 2.8300
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ECAD 118 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 60W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC4466DK EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 6A 10μA(ICBO) NPN 1.5V@200mA,2A 50@2A,4V 20兆赫兹
2SA1909 Sanken 2SA1909 5.3500
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ECAD 9 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 80W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1909DK EAR99 8541.29.0095 1,000 140伏 10A 10μA(ICBO) 国民党 500毫伏@500毫安,5安 50@3A,4V 20兆赫兹
GKI03039 Sanken GKI03039 1.5000
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ECAD 50 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 18A(塔) 4.5V、10V 3.8毫欧@47.2A,10V 2.5V@650μA 10V时为38.8nC ±20V 15V时为2460pF - 3.1W(Ta)、59W(Tc)
2SC5100 Sanken 2SC5100 4.4900
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ECAD 第579章 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 75W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC5100DK EAR99 8541.29.0095 1,000 120V 8A 10μA(ICBO) NPN 500mV@300mA,3A 50@3A,4V 20兆赫兹
2SC6011 Sanken 2SC6011 4.3200
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ECAD 第885章 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 160W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC6011DK EAR99 8541.29.0095 30 200V 15A 10μA(ICBO) NPN 500毫伏@500毫安,5安 50@3A,4V 20兆赫兹
SMA5131 Sanken SMA5131 6.4600
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ECAD 82 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 - 通孔 12-SIP SMA51 MOSFET(金属O化物) - 12-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SMA5131DK EAR99 8541.29.0095 18 6 个 N 沟道(路面桥) 250V 2A - - - - -
DKI10751 Sanken DKI10751 -
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ECAD 8734 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 15A(温度) 4.5V、10V 70.4毫欧@7.5A,10V 2.5V@250μA 15.8nC@10V ±20V 1050pF@25V - 32W(温度)
FKI06108 Sanken FKI06108 -
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ECAD 3790 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FKI06108 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 60V 39A(温度) 4.5V、10V 8.8毫欧@28.5A,10V 2.5V@650μA 10V时为38.6nC ±20V 25V时为2520pF - 38W(温度)
2SD2016 Sanken 2SD2016 1.8800
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ECAD 931 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 25W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SD2016 DK EAR99 8541.29.0075 1,000 200V 3A 10μA(ICBO) NPN-达林顿 1.5V@1.5mA,1A 1000 @ 1A,4V 90兆赫
2SC2921 Sanken 2SC2921 -
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ECAD 4945 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-ESIP 150W MT-200 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC2921DK EAR99 8541.29.0075 250 160伏 15A 100μA(ICBO) NPN 2V@500mA,5A 50@5A,4V 60兆赫
FKP300A Sanken FKP300A -
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ECAD 8575 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 FKP300 MOSFET(金属O化物) TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FKP300A DK EAR99 8541.29.0095 1,080 人 N沟道 300伏 30A(塔) 10V 65毫欧@15A,10V 4.5V@1mA ±30V 3800pF@25V - 85W(温度)
2SA1860 Sanken 2SA1860 5.6500
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ECAD 1336 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 80W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1860DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 14A 100μA(ICBO) 国民党 2V@500mA,5A 50@5A,4V 50兆赫
2SD2560 Sanken 2SD2560 3.6800
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ECAD 1 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 130W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SD2560DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 15A 100μA(ICBO) NPN-达林顿 2.5V@10mA,10A 5000@10A,4V 70兆赫兹
SLA5075 Sanken SLA5075 -
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ECAD 6497 0.00000000 三肯 - 管子 不适合新设计 150°C(太焦) 通孔 15-SIP裸露接片,成型结构 SLA50 MOSFET(金属O化物) 5W 15-ZIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SLA5075 DK EAR99 8541.29.0095 180 6 个 N 沟道(路面桥) 500V 5A 1.4欧姆@2.5A,10V 4V@1mA - 770pF @ 10V -
2SC4883 Sanken 2SC4883 -
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ECAD 2276 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 20W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC4883DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 2A 10μA(ICBO) NPN 1V@70mA、700mA 60@700mA,10V 120兆赫
2SC4546 Sanken 2SC4546 -
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ECAD 6287 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 30W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SC4546DK EAR99 8541.29.0095 1,000 400伏 7A 100μA(ICBO) NPN 700mV@600mA,3A 10个@3A、4V 10兆赫兹
MLD685D Sanken MLD685D 3.8984
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ECAD 5035 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 -55℃~150℃ 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MLD685 MOSFET(金属O化物) TO-3P 下载 符合RoHS标准 1261-MLD685D EAR99 8541.29.0095 510 N沟道 60V 85A 10V 157毫欧@10A,10V 3V@1mA ±30V 11500pF@10V - 150W(温度)
SKI03087 Sanken SKI03087 -
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ECAD 7024 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 30V 40A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@31.5A,10V 2.5V@250μA 10V时为16.3nC ±20V 1030pF@15V - 52W(温度)
GKI10526 Sanken GKI10526 1.2500
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ECAD 3 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100伏 4A(塔) 4.5V、10V 47.7毫欧@9.3A,10V 2.5V@350μA 23nC@10V ±20V 1530pF@25V - 3.1W(Ta)、46W(Tc)
FLD470 Sanken FLD470 1.8169
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ECAD 5221 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150℃ 通孔 TO-220-3全包 FLD47 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 符合RoHS标准 1261-FLD470 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 40V 70A(塔) 10V 10.5毫欧@10A、10V 4V@1mA ±20V 5100pF@10V - 35W(温度)
SKI07114 Sanken 滑雪07114 1.5300
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ECAD 1 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 75V 62A(温度) 4.5V、10V 9.3毫欧@31.2A,10V 2.5V@1mA 57nC@10V ±20V 4040pF@25V - 116W(温度)
SMA5132 Sanken SMA5132 8.4800
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ECAD 100 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 - 通孔 12-SIP SMA51 MOSFET(金属O化物) - 12-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SMA5132DK EAR99 8541.29.0095 18 3 个 N 和 3 个 P 沟道(法兰克福桥) 500V 1.5A - - - - -
MGF65A6H Sanken MGF65A6H -
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ECAD 3613 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MGF65 标准 405W TO-3P-3L 下载 符合RoHS标准 1261-MGF65A6H EAR99 8541.29.0095 1,440 400V,60A,10欧姆,15V 50纳秒 沟渠场站 650伏 80A 100A 2.37V@15V,60A 1.4mJ(开),1.3mJ(关) 110 纳克 50纳秒/130纳秒
2SA1673 Sanken 2SA1673 6.6100
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ECAD 第398章 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 85W TO-3PF 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1673 DK EAR99 8541.29.0095 1,000 180伏 15A 10μA(ICBO) 国民党 2V@500mA,5A 50@3A,4V 20兆赫兹
2SD2017 Sanken 2SD2017 -
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ECAD 9632 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 35W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SD2017 DK EAR99 8541.29.0095 1,000 250伏 6A 100μA(ICBO) NPN-达林顿 1.5V@2mA、2A 2000 @ 2A、2V 20兆赫兹
SKP253 Sanken SKP253 -
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ECAD 3197 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SKP253DK EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 250伏 20A(塔) 10V 95毫欧@10A,10V 4.5V@1mA ±30V 1600pF@25V - 40W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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