晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
FGM622S	-	询价	9147	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FGM622	标准		60W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FGM622S DK	EAR99	8541.29.0095	1,080 人			-												-	600伏	25A	75A	1.9V@15V，25A	-	40℃	50纳秒/200纳秒
2SA1215	-	询价	1260	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-ESIP				150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1215 DK	EAR99	8541.29.0075	250																160伏	15A						100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	50兆赫
FKV575	3.6200	询价	3	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKV575DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		50V	75A（塔）	10V	10毫欧@37A，10V	4.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	40W（温度）
STA412A	6.8600	询价	1	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA412			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA412A DK	EAR99	8541.29.0095	800																60V	3A						100μA（ICBO）	4 NPN（四路）	1V@10mA，1A	300@500mA，4V	-
2SC4466	2.8300	询价	118	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				60W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4466DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																80V	6A						10μA（ICBO）	NPN	1.5V@200mA，2A	50@2A，4V	20兆赫兹
2SA1909	5.3500	询价	9	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				80W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1909DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																140伏	10A						10μA（ICBO）	国民党	500毫伏@500毫安，5安	50@3A，4V	20兆赫兹
GKI03039	1.5000	询价	50	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	3.8毫欧@47.2A，10V	2.5V@650μA	10V时为38.8nC	±20V	15V时为2460pF	-	3.1W（Ta）、59W（Tc）
2SC5100	4.4900	询价	第579章	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				75W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC5100DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																120V	8A						10μA（ICBO）	NPN	500mV@300mA，3A	50@3A，4V	20兆赫兹
2SC6011	4.3200	询价	第885章	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				160W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC6011DK	EAR99	8541.29.0095	30																200V	15A						10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@500毫安，5安	50@3A，4V	20兆赫兹
SMA5131	6.4600	询价	82	三肯	-	管子	的积极	-	通孔	12-SIP	SMA51		MOSFET（金属O化物）	-	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA5131DK	EAR99	8541.29.0095	18	6 个 N 沟道（路面桥）			250V	2A		-	-	-		-	-
DKI10751	-	询价	8734	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	15A（温度）	4.5V、10V	70.4毫欧@7.5A，10V	2.5V@250μA	15.8nC@10V	±20V	1050pF@25V	-	32W（温度）
FKI06108	-	询价	3790	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI06108 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	39A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@28.5A，10V	2.5V@650μA	10V时为38.6nC	±20V	25V时为2520pF	-	38W（温度）
2SD2016	1.8800	询价	931	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2016 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																200V	3A						10μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@1.5mA，1A	1000 @ 1A，4V	90兆赫
2SC2921	-	询价	4945	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-ESIP				150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC2921DK	EAR99	8541.29.0075	250																160伏	15A						100μA（ICBO）	NPN	2V@500mA，5A	50@5A，4V	60兆赫
FKP300A	-	询价	8575	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FKP300		MOSFET（金属O化物）		TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKP300A DK	EAR99	8541.29.0095	1,080 人		N沟道		300伏	30A（塔）	10V	65毫欧@15A，10V	4.5V@1mA		±30V	3800pF@25V	-	85W（温度）
2SA1860	5.6500	询价	1336	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				80W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1860DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	14A						100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	50兆赫
2SD2560	3.6800	询价	1	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2560DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	15A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@10mA，10A	5000@10A，4V	70兆赫兹
SLA5075	-	询价	6497	三肯	-	管子	不适合新设计	150°C（太焦）	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50		MOSFET（金属O化物）	5W	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5075 DK	EAR99	8541.29.0095	180	6 个 N 沟道（路面桥）			500V	5A		1.4欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	-		770pF @ 10V	-
2SC4883	-	询价	2276	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				20W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4883DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	2A						10μA（ICBO）	NPN	1V@70mA、700mA	60@700mA，10V	120兆赫
2SC4546	-	询价	6287	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4546DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																400伏	7A						100μA（ICBO）	NPN	700mV@600mA，3A	10个@3A、4V	10兆赫兹
MLD685D	3.8984	询价	5035	三肯	-	大部分	的积极	-55℃～150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MLD685		MOSFET（金属O化物）		TO-3P	下载	符合RoHS标准		1261-MLD685D	EAR99	8541.29.0095	510		N沟道		60V	85A	10V	157毫欧@10A，10V	3V@1mA		±30V	11500pF@10V	-	150W（温度）
SKI03087	-	询价	7024	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		30V	40A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@31.5A，10V	2.5V@250μA	10V时为16.3nC	±20V	1030pF@15V	-	52W（温度）
GKI10526	1.2500	询价	3	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	4A（塔）	4.5V、10V	47.7毫欧@9.3A，10V	2.5V@350μA	23nC@10V	±20V	1530pF@25V	-	3.1W（Ta）、46W（Tc）
FLD470	1.8169	询价	5221	三肯	-	大部分	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	FLD47		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合RoHS标准		1261-FLD470	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	70A（塔）	10V	10.5毫欧@10A、10V	4V@1mA		±20V	5100pF@10V	-	35W（温度）
滑雪07114	1.5300	询价	1	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	62A（温度）	4.5V、10V	9.3毫欧@31.2A，10V	2.5V@1mA	57nC@10V	±20V	4040pF@25V	-	116W（温度）
SMA5132	8.4800	询价	100	三肯	-	管子	的积极	-	通孔	12-SIP	SMA51		MOSFET（金属O化物）	-	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SMA5132DK	EAR99	8541.29.0095	18	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			500V	1.5A		-	-	-		-	-
MGF65A6H	-	询价	3613	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		405W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A6H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，60A，10欧姆，15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	80A	100A	2.37V@15V，60A	1.4mJ（开），1.3mJ（关）	110 纳克	50纳秒/130纳秒
2SA1673	6.6100	询价	第398章	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				85W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1673 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																180伏	15A						10μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@3A，4V	20兆赫兹
2SD2017	-	询价	9632	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				35W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SD2017 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																250伏	6A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@2mA、2A	2000 @ 2A、2V	20兆赫兹
SKP253	-	询价	3197	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SKP253DK	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		250伏	20A（塔）	10V	95毫欧@10A，10V	4.5V@1mA		±30V	1600pF@25V	-	40W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²