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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 反向恢复T (trr) | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 集电极脉冲电流(Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DKI03038 | - | ![]() | 7000 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 48A(温度) | 4.5V、10V | 4毫欧@47.2A,10V | 2.5V@650μA | 10V时为38.8nC | ±20V | 15V时为2460pF | - | 47W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2848 | - | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SK2848DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,750 | N沟道 | 600伏 | 2A(塔) | 10V | 3.8欧姆@1A,10V | 4V@250μA | ±30V | 290pF@10V | - | 30W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KGF65A6L | - | ![]() | 9849 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | KGF65 | 标准 | 405W | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1261-KGF65A6L | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,440 | 400V,60A,10欧姆,15V | 65纳秒 | 沟渠场站 | 650伏 | 80A | 180A | 1.96V@15V,60A | 1.7mJ(开)、1.4mJ(关) | 110 纳克 | 50纳秒/130纳秒 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1725 | 2.1000 | ![]() | 190 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 30W | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SA1725 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80V | 6A | 10μA(ICBO) | 国民党 | 500mV@200mA,2A | 50@2A,4V | 20兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1647 | - | ![]() | 第1687章 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 130W | TO-3P | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SB1647 DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 150伏 | 15A | 100μA(ICBO) | PNP-达林顿 | 2.5V@10mA,10A | 5000@10A,4V | 45兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1386A | 4.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 130W | TO-3P | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SA1386A DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 180伏 | 15A | 100μA(ICBO) | 国民党 | 2V@500mA,5A | 50@5A,4V | 40兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5065 | 7.7200 | ![]() | 第727章 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | 15-SIP裸露接片,成型结构 | SLA50 | MOSFET(金属O化物) | 4.8W | 15-ZIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SLA5065 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | 4 N 沟道 | 60V | 7A | 100mOhm@3.5A,10V | 2V@250μA | - | 660pF@10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GKI03080 | 0.9200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 12A(塔) | 4.5V、10V | 8.2毫欧@25A,10V | 2.5V@250μA | 10V时为16.3nC | ±20V | 1030pF@15V | - | 3.1W(Ta)、40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1493 | - | ![]() | 3662 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-ESIP | 150W | MT-200 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SA1493 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 200V | 15A | 100μA(ICBO) | 国民党 | 3V@1A、10A | 50@5A,4V | 20兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1258 | - | ![]() | 9109 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 30W | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SB1258 DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 100V | 6A | 10μA(ICBO) | PNP-达林顿 | 1.5V@6mA,3A | 1000 @ 3A,2V | 100兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
EKI10126 | - | ![]() | 4561 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EKI10126 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 100V | 66A(温度) | 4.5V、10V | 11.6毫欧@33A,10V | 2.5V@1.5mA | 10V时为88.8nC | ±20V | 6420pF@25V | - | 135W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DKI03082 | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 29A(温度) | 4.5V、10V | 8.4毫欧@25A,10V | 2.5V@250μA | 10V时为16.3nC | ±20V | 1030pF@15V | - | 32W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FKI10126 | - | ![]() | 9174 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FKI10126 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 100V | 41A(温度) | 4.5V、10V | 11.6毫欧@33A,10V | 2.5V@1.5mA | 10V时为88.8nC | ±20V | 6420pF@25V | - | 42W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GKI04031 | 2.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 40V | 17A(塔) | 4.5V、10V | 3.5毫欧@51A,10V | 2.5V@1mA | 63.2nC@10V | ±20V | 3910pF@25V | - | 3.1W(Ta)、77W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GKI03061 | 1.1200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 30V | 14A(塔) | 4.5V、10V | 6.2毫欧@31A,10V | 2.5V@350μA | 10V时为24.6nC | ±20V | 1480pF@15V | - | 3.1W(Ta)、46W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1570 | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-ESIP | 150W | MT-200 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SB1570DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 150伏 | 12A | 100μA(ICBO) | PNP-达林顿 | 2.5V@7mA,7A | 5000 @ 7A,4V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2943 | - | ![]() | 9261 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SK2943 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,750 | N沟道 | 900伏 | 3A(塔) | 10V | 5欧姆@1.5A,10V | 4V@1mA | ±30V | 600pF@10V | - | 30W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2389 | - | ![]() | 6239 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 80W | TO-3P | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SD2389DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 150伏 | 8A | 100μA(ICBO) | NPN-达林顿 | 2.5V@6mA,6A | 5000 @ 6A,4V | 80兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1668 | 1.8800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 25W | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SA1668DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 200V | 2A | 10μA(ICBO) | 国民党 | 1V@70mA、700mA | 60@700mA,10V | 20兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5022 | - | ![]() | 3239 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 过时的 | 60V | 通用型 | 通孔 | 12-SIP裸露标签 | SLA50 | 12-SIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SLA5022 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,080 人 | 6A | 3个PNP达林顿管,3个N沟道(壕桥) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MGF65A4L | - | ![]() | 7248 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | MGF65 | 标准 | 288 W | TO-3P-3L | 下载 | 符合RoHS标准 | 1261-MGF65A4L | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,440 | 400V、40A、10欧姆、15V | 60纳秒 | 沟渠场站 | 650伏 | 65A | 120A | 1.96V@15V,40A | 900μJ(开),900μJ(关) | 75℃ | 40纳秒/100纳秒 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DJR0417 | 2.0960 | ![]() | 6565 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | DJR04 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1261-DJR0417TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,800 | P沟道 | 40V | 17A(温度) | 4.5V、10V | 12.6毫欧@10A、10V | 2.5V@1mA | 75nC@10V | ±20V | - | 48W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MGD622 | - | ![]() | 9606 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | MGD6 | 标准 | 90W | TO-3P-3L | 下载 | 符合RoHS标准 | 1261-MGD622 | EAR99 | 8541.29.0095 | 510 | 300V,40A,39欧姆,15V | 300纳秒 | 沟 | 600伏 | 40A | 60A | 2.7V@15V,40A | - | 40℃ | 50纳秒/200纳秒 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SPF0004 | 7.0100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 三肯 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 20-PowerSOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SPF00 | MOSFET(金属O化物) | 2.5W(温度) | 20-HSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,400 | 2 个 N 沟道(双) | 275V | 6A(塔) | 260毫欧@6A,10V | 2.6V@1mA | - | 960pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FKI10300 | - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FKI10300DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 100V | 23A(温度) | 4.5V、10V | 27.9毫欧@17.1A,10V | 2.5V@650μA | 10V时为35.8nC | ±20V | 2540pF@25V | - | 38W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
SKP202 | - | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SKP202DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,600 | N沟道 | 200V | 45A(塔) | 10V | 53毫欧@22A,10V | 4.5V@1mA | ±30V | 2000pF@25V | - | 95W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1420 | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 80W | TO-3P | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SB1420DK | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 120V | 16A | 10μA(ICBO) | PNP-达林顿 | 1.5V@16mA,8A | 2000@8A,4V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1693 | 2.9800 | ![]() | 第362章 | 0.00000000 | 三肯 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3全包 | 60W | TO-3P | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 2SA1693 DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80V | 6A | 10μA(ICBO) | 国民党 | 1.5V@200mA,2A | 50@2A,4V | 20兆赫兹 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPF0001 | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | 三肯 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 20-PowerSOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SPF00 | 2.5W | 20-HSOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1261-SPF0001TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,400 | 125V | 6A | 10μA(ICBO) | 2 NPN | 120mV@12mA,1.2A | 400@1A,1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5212 | - | ![]() | 7074 | 0.00000000 | 三肯 | - | 管子 | 的积极 | - | 通孔 | 15-SIP裸露接片,成型结构 | SLA52 | MOSFET(金属O化物) | - | 15-ZIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | SLA5212DK | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | 6 个 N 沟道(路面桥) | 35V | 8A | - | - | - | - | - |
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