晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
DKI03038	-	询价	7000	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	48A（温度）	4.5V、10V	4毫欧@47.2A，10V	2.5V@650μA	10V时为38.8nC	±20V	15V时为2460pF	-	47W（温度）
2SK2848	-	询价	3739	三肯	-	大部分	不适合新设计		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SK2848DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道			600伏	2A（塔）	10V	3.8欧姆@1A，10V	4V@250μA		±30V	290pF@10V	-	30W（温度）
KGF65A6L	-	询价	9849	三肯	-	管子	的积极		175°C（太焦）		通孔	TO-247-3	KGF65	标准		405W	TO-247-3	下载	符合RoHS标准			1261-KGF65A6L	EAR99	8541.29.0095	1,440				400V，60A，10欧姆，15V											65纳秒	沟渠场站	650伏	80A	180A	1.96V@15V，60A	1.7mJ（开）、1.4mJ（关）	110 纳克	50纳秒/130纳秒
2SA1725	2.1000	询价	190	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1725 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	80V	6A						10μA（ICBO）	国民党	500mV@200mA，2A	50@2A，4V	20兆赫兹
2SB1647	-	询价	第1687章	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1647 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	150伏	15A						100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@10mA，10A	5000@10A，4V	45兆赫
2SA1386A	4.5000	询价	4	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3				130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1386A DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	180伏	15A						100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	40兆赫
SLA5065	7.7200	询价	第727章	三肯	-	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50		MOSFET（金属O化物）	4.8W	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA5065 DK	EAR99	8541.29.0095	180	4 N 沟道				60V	7A		100mOhm@3.5A，10V	2V@250μA	-		660pF@10V	-
GKI03080	0.9200	询价	9	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	12A（塔）	4.5V、10V	8.2毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	10V时为16.3nC	±20V	1030pF@15V	-	3.1W（Ta）、40W（Tc）
2SA1493	-	询价	3662	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	3-ESIP				150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1493 DK	EAR99	8541.29.0095	250																	200V	15A						100μA（ICBO）	国民党	3V@1A、10A	50@5A，4V	20兆赫兹
2SB1258	-	询价	9109	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包				30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1258 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	100V	6A						10μA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 3A，2V	100兆赫兹
EKI10126	-	询价	4561	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EKI10126 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100V	66A（温度）	4.5V、10V	11.6毫欧@33A，10V	2.5V@1.5mA	10V时为88.8nC	±20V	6420pF@25V	-	135W（温度）
DKI03082	0.9600	询价	1	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	29A（温度）	4.5V、10V	8.4毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	10V时为16.3nC	±20V	1030pF@15V	-	32W（温度）
FKI10126	-	询价	9174	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FKI10126 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100V	41A（温度）	4.5V、10V	11.6毫欧@33A，10V	2.5V@1.5mA	10V时为88.8nC	±20V	6420pF@25V	-	42W（温度）
GKI04031	2.0600	询价	5	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			40V	17A（塔）	4.5V、10V	3.5毫欧@51A，10V	2.5V@1mA	63.2nC@10V	±20V	3910pF@25V	-	3.1W（Ta）、77W（Tc）
GKI03061	1.1200	询价	50	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			30V	14A（塔）	4.5V、10V	6.2毫欧@31A，10V	2.5V@350μA	10V时为24.6nC	±20V	1480pF@15V	-	3.1W（Ta）、46W（Tc）
2SB1570	-	询价	2459	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	3-ESIP				150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1570DK	EAR99	8541.29.0075	250																	150伏	12A						100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@7mA，7A	5000 @ 7A，4V	50兆赫
2SK2943	-	询价	9261	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SK2943 DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道			900伏	3A（塔）	10V	5欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±30V	600pF@10V	-	30W（温度）
2SD2389	-	询价	6239	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3				80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SD2389DK	EAR99	8541.29.0075	500																	150伏	8A						100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@6mA，6A	5000 @ 6A，4V	80兆赫
2SA1668	1.8800	询价	5	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包				25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1668DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	200V	2A						10μA（ICBO）	国民党	1V@70mA、700mA	60@700mA，10V	20兆赫兹
SLA5022	-	询价	3239	三肯	-	管子	过时的	60V		通用型	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50				12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	SLA5022 DK	EAR99	8541.29.0095	1,080 人			6A																						3个PNP达林顿管，3个N沟道（壕桥）
MGF65A4L	-	询价	7248	三肯	-	大部分	的积极		175°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		288 W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准			1261-MGF65A4L	EAR99	8541.29.0095	1,440				400V、40A、10欧姆、15V											60纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	1.96V@15V，40A	900μJ（开），900μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
DJR0417	2.0960	询价	6565	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	DJR04		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准			1261-DJR0417TR	EAR99	8541.29.0095	2,800		P沟道			40V	17A（温度）	4.5V、10V	12.6毫欧@10A、10V	2.5V@1mA	75nC@10V	±20V		-	48W（温度）
MGD622	-	询价	9606	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGD6	标准		90W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准			1261-MGD622	EAR99	8541.29.0095	510				300V，40A，39欧姆，15V											300纳秒	沟	600伏	40A	60A	2.7V@15V，40A	-	40℃	50纳秒/200纳秒
SPF0004	7.0100	询价	50	三肯	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	20-PowerSOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	SPF00		MOSFET（金属O化物）	2.5W（温度）	20-HSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,400	2 个 N 沟道（双）				275V	6A（塔）		260毫欧@6A，10V	2.6V@1mA	-		960pF@10V	-
FKI10300	-	询价	8500	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FKI10300DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			100V	23A（温度）	4.5V、10V	27.9毫欧@17.1A，10V	2.5V@650μA	10V时为35.8nC	±20V	2540pF@25V	-	38W（温度）
SKP202	-	询价	1411	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SKP202DK	EAR99	8541.29.0095	1,600		N沟道			200V	45A（塔）	10V	53毫欧@22A，10V	4.5V@1mA		±30V	2000pF@25V	-	95W（温度）
2SB1420	-	询价	7726	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3				80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1420DK	EAR99	8541.29.0075	500																	120V	16A						10μA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@16mA，8A	2000@8A，4V	50兆赫
2SA1693	2.9800	询价	第362章	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3全包				60W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1693 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	80V	6A						10μA（ICBO）	国民党	1.5V@200mA，2A	50@2A，4V	20兆赫兹
SPF0001	-	询价	2084	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	20-PowerSOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	SPF00			2.5W	20-HSOP	下载	符合RoHS标准			1261-SPF0001TR	EAR99	8541.29.0095	1,400																	125V	6A						10μA（ICBO）	2 NPN	120mV@12mA，1.2A	400@1A，1V	-
SLA5212	-	询价	7074	三肯	-	管子	的积极		-		通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA52		MOSFET（金属O化物）	-	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA5212DK	EAR99	8541.29.0095	18	6 个 N 沟道（路面桥）				35V	8A		-	-	-		-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²