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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
DKI03038 Sanken DKI03038 -
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ECAD 7000 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 48A(温度) 4.5V、10V 4毫欧@47.2A,10V 2.5V@650μA 10V时为38.8nC ±20V 15V时为2460pF - 47W(温度)
2SK2848 Sanken 2SK2848 -
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ECAD 3739 0.00000000 三肯 - 大部分 不适合新设计 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SK2848DK EAR99 8541.29.0095 3,750 N沟道 600伏 2A(塔) 10V 3.8欧姆@1A,10V 4V@250μA ±30V 290pF@10V - 30W(温度)
KGF65A6L Sanken KGF65A6L -
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ECAD 9849 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 KGF65 标准 405W TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1261-KGF65A6L EAR99 8541.29.0095 1,440 400V,60A,10欧姆,15V 65纳秒 沟渠场站 650伏 80A 180A 1.96V@15V,60A 1.7mJ(开)、1.4mJ(关) 110 纳克 50纳秒/130纳秒
2SA1725 Sanken 2SA1725 2.1000
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ECAD 190 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 30W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1725 DK EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 6A 10μA(ICBO) 国民党 500mV@200mA,2A 50@2A,4V 20兆赫兹
2SB1647 Sanken 2SB1647 -
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ECAD 第1687章 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 130W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1647 DK EAR99 8541.29.0075 1,000 150伏 15A 100μA(ICBO) PNP-达林顿 2.5V@10mA,10A 5000@10A,4V 45兆赫
2SA1386A Sanken 2SA1386A 4.5000
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ECAD 4 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 130W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1386A DK EAR99 8541.29.0075 1,000 180伏 15A 100μA(ICBO) 国民党 2V@500mA,5A 50@5A,4V 40兆赫
SLA5065 Sanken SLA5065 7.7200
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ECAD 第727章 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 15-SIP裸露接片,成型结构 SLA50 MOSFET(金属O化物) 4.8W 15-ZIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SLA5065 DK EAR99 8541.29.0095 180 4 N 沟道 60V 7A 100mOhm@3.5A,10V 2V@250μA - 660pF@10V -
GKI03080 Sanken GKI03080 0.9200
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ECAD 9 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 12A(塔) 4.5V、10V 8.2毫欧@25A,10V 2.5V@250μA 10V时为16.3nC ±20V 1030pF@15V - 3.1W(Ta)、40W(Tc)
2SA1493 Sanken 2SA1493 -
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ECAD 3662 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-ESIP 150W MT-200 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1493 DK EAR99 8541.29.0095 250 200V 15A 100μA(ICBO) 国民党 3V@1A、10A 50@5A,4V 20兆赫兹
2SB1258 Sanken 2SB1258 -
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ECAD 9109 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 30W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1258 DK EAR99 8541.29.0075 1,000 100V 6A 10μA(ICBO) PNP-达林顿 1.5V@6mA,3A 1000 @ 3A,2V 100兆赫兹
EKI10126 Sanken EKI10126 -
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ECAD 4561 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EKI10126 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100V 66A(温度) 4.5V、10V 11.6毫欧@33A,10V 2.5V@1.5mA 10V时为88.8nC ±20V 6420pF@25V - 135W(温度)
DKI03082 Sanken DKI03082 0.9600
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ECAD 1 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 29A(温度) 4.5V、10V 8.4毫欧@25A,10V 2.5V@250μA 10V时为16.3nC ±20V 1030pF@15V - 32W(温度)
FKI10126 Sanken FKI10126 -
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ECAD 9174 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FKI10126 DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100V 41A(温度) 4.5V、10V 11.6毫欧@33A,10V 2.5V@1.5mA 10V时为88.8nC ±20V 6420pF@25V - 42W(温度)
GKI04031 Sanken GKI04031 2.0600
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ECAD 5 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 17A(塔) 4.5V、10V 3.5毫欧@51A,10V 2.5V@1mA 63.2nC@10V ±20V 3910pF@25V - 3.1W(Ta)、77W(Tc)
GKI03061 Sanken GKI03061 1.1200
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ECAD 50 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) 8-DFN (5x6) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 14A(塔) 4.5V、10V 6.2毫欧@31A,10V 2.5V@350μA 10V时为24.6nC ±20V 1480pF@15V - 3.1W(Ta)、46W(Tc)
2SB1570 Sanken 2SB1570 -
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ECAD 2459 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-ESIP 150W MT-200 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1570DK EAR99 8541.29.0075 250 150伏 12A 100μA(ICBO) PNP-达林顿 2.5V@7mA,7A 5000 @ 7A,4V 50兆赫
2SK2943 Sanken 2SK2943 -
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ECAD 9261 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SK2943 DK EAR99 8541.29.0095 3,750 N沟道 900伏 3A(塔) 10V 5欧姆@1.5A,10V 4V@1mA ±30V 600pF@10V - 30W(温度)
2SD2389 Sanken 2SD2389 -
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ECAD 6239 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 80W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SD2389DK EAR99 8541.29.0075 500 150伏 8A 100μA(ICBO) NPN-达林顿 2.5V@6mA,6A 5000 @ 6A,4V 80兆赫
2SA1668 Sanken 2SA1668 1.8800
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ECAD 5 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 25W TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1668DK EAR99 8541.29.0095 1,000 200V 2A 10μA(ICBO) 国民党 1V@70mA、700mA 60@700mA,10V 20兆赫兹
SLA5022 Sanken SLA5022 -
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ECAD 3239 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 60V 通用型 通孔 12-SIP裸露标签 SLA50 12-SIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 SLA5022 DK EAR99 8541.29.0095 1,080 人 6A 3个PNP达林顿管,3个N沟道(壕桥)
MGF65A4L Sanken MGF65A4L -
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ECAD 7248 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MGF65 标准 288 W TO-3P-3L 下载 符合RoHS标准 1261-MGF65A4L EAR99 8541.29.0095 1,440 400V、40A、10欧姆、15V 60纳秒 沟渠场站 650伏 65A 120A 1.96V@15V,40A 900μJ(开),900μJ(关) 75℃ 40纳秒/100纳秒
DJR0417 Sanken DJR0417 2.0960
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ECAD 6565 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 DJR04 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合RoHS标准 1261-DJR0417TR EAR99 8541.29.0095 2,800 P沟道 40V 17A(温度) 4.5V、10V 12.6毫欧@10A、10V 2.5V@1mA 75nC@10V ±20V - 48W(温度)
MGD622 Sanken MGD622 -
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ECAD 9606 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MGD6 标准 90W TO-3P-3L 下载 符合RoHS标准 1261-MGD622 EAR99 8541.29.0095 510 300V,40A,39欧姆,15V 300纳秒 600伏 40A 60A 2.7V@15V,40A - 40℃ 50纳秒/200纳秒
SPF0004 Sanken SPF0004 7.0100
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ECAD 50 0.00000000 三肯 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 20-PowerSOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) SPF00 MOSFET(金属O化物) 2.5W(温度) 20-HSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 1,400 2 个 N 沟道(双) 275V 6A(塔) 260毫欧@6A,10V 2.6V@1mA - 960pF@10V -
FKI10300 Sanken FKI10300 -
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ECAD 8500 0.00000000 三肯 - 管子 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) FKI10300DK EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 100V 23A(温度) 4.5V、10V 27.9毫欧@17.1A,10V 2.5V@650μA 10V时为35.8nC ±20V 2540pF@25V - 38W(温度)
SKP202 Sanken SKP202 -
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ECAD 1411 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SKP202DK EAR99 8541.29.0095 1,600 N沟道 200V 45A(塔) 10V 53毫欧@22A,10V 4.5V@1mA ±30V 2000pF@25V - 95W(温度)
2SB1420 Sanken 2SB1420 -
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ECAD 7726 0.00000000 三肯 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 80W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SB1420DK EAR99 8541.29.0075 500 120V 16A 10μA(ICBO) PNP-达林顿 1.5V@16mA,8A 2000@8A,4V 50兆赫
2SA1693 Sanken 2SA1693 2.9800
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ECAD 第362章 0.00000000 三肯 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-3P-3全包 60W TO-3P 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 2SA1693 DK EAR99 8541.29.0095 1,000 80V 6A 10μA(ICBO) 国民党 1.5V@200mA,2A 50@2A,4V 20兆赫兹
SPF0001 Sanken SPF0001 -
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ECAD 2084 0.00000000 三肯 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 20-PowerSOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) SPF00 2.5W 20-HSOP 下载 符合RoHS标准 1261-SPF0001TR EAR99 8541.29.0095 1,400 125V 6A 10μA(ICBO) 2 NPN 120mV@12mA,1.2A 400@1A,1V -
SLA5212 Sanken SLA5212 -
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ECAD 7074 0.00000000 三肯 - 管子 的积极 - 通孔 15-SIP裸露接片,成型结构 SLA52 MOSFET(金属O化物) - 15-ZIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) SLA5212DK EAR99 8541.29.0095 18 6 个 N 沟道(路面桥) 35V 8A - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库