晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
2SB1647	-	询价	第1687章	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3			130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1647 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000														150伏	15A	100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@10mA，10A	5000@10A，4V	45兆赫
2SA1386A	4.5000	询价	4	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3			130W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1386A DK	EAR99	8541.29.0075	1,000														180伏	15A	100μA（ICBO）	国民党	2V@500mA，5A	50@5A，4V	40兆赫
SLA5065	7.7200	询价	第727章	三肯	-	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50	MOSFET（金属O化物）	4.8W	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA5065 DK	EAR99	8541.29.0095	180	4 N 沟道			60V	7A		100mOhm@3.5A，10V	2V@250μA	-		660pF@10V	-
GKI03080	0.9200	询价	9	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	12A（塔）	4.5V、10V	8.2毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	10V时为16.3nC	±20V	1030pF@15V	-	3.1W（Ta）、40W（Tc）
2SA1493	-	询价	3662	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	3-ESIP			150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1493 DK	EAR99	8541.29.0095	250														200V	15A	100μA（ICBO）	国民党	3V@1A、10A	50@5A，4V	20兆赫兹
2SB1258	-	询价	9109	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			30W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1258 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000														100V	6A	10μA（ICBO）	PNP-达林顿	1.5V@6mA，3A	1000 @ 3A，2V	100兆赫兹
EKI10126	-	询价	4561	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EKI10126 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100V	66A（温度）	4.5V、10V	11.6毫欧@33A，10V	2.5V@1.5mA	10V时为88.8nC	±20V	6420pF@25V	-	135W（温度）
DKI03082	0.9600	询价	1	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	29A（温度）	4.5V、10V	8.4毫欧@25A，10V	2.5V@250μA	10V时为16.3nC	±20V	1030pF@15V	-	32W（温度）
FKI10126	-	询价	9174	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		FKI10126 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100V	41A（温度）	4.5V、10V	11.6毫欧@33A，10V	2.5V@1.5mA	10V时为88.8nC	±20V	6420pF@25V	-	42W（温度）
GKI04031	2.0600	询价	5	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	17A（塔）	4.5V、10V	3.5毫欧@51A，10V	2.5V@1mA	63.2nC@10V	±20V	3910pF@25V	-	3.1W（Ta）、77W（Tc）
2SB1570	-	询价	2459	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	3-ESIP			150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SB1570DK	EAR99	8541.29.0075	250														150伏	12A	100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@7mA，7A	5000 @ 7A，4V	50兆赫
2SK2943	-	询价	9261	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SK2943 DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		900伏	3A（塔）	10V	5欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±30V	600pF@10V	-	30W（温度）
2SD2389	-	询价	6239	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3			80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SD2389DK	EAR99	8541.29.0075	500														150伏	8A	100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@6mA，6A	5000 @ 6A，4V	80兆赫
2SA1668	1.8800	询价	5	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SA1668DK	EAR99	8541.29.0095	1,000														200V	2A	10μA（ICBO）	国民党	1V@70mA、700mA	60@700mA，10V	20兆赫兹
STA406A	-	询价	1111	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	10-SIP	STA406		4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		STA406A DK	EAR99	8541.29.0095	800														60V	6A	100μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@10mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
SMA5106	6.0400	询价	26	三肯	-	管子	的积极		150°C（太焦）		通孔	12-SIP	SMA51		5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SMA5106DK	EAR99	8541.29.0095	18														120V	5A	10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@3mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
GKI03061	1.1200	询价	50	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	14A（塔）	4.5V、10V	6.2毫欧@31A，10V	2.5V@350μA	10V时为24.6nC	±20V	1480pF@15V	-	3.1W（Ta）、46W（Tc）
埃基04027	-	询价	8634	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EKI04027 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		40V	85A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@82.5A，10V	2.5V@1.5mA	93.7nC@10V	±20V	6200pF@25V	-	135W（温度）
EKI10198	-	询价	6809	三肯	-	管子	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EKI10198 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100V	47A（温度）	4.5V、10V	17.8毫欧@23.4A，10V	2.5V@1mA	55.8nC@10V	±20V	3990pF@25V	-	116W（温度）
SLA5022	-	询价	3239	三肯	-	管子	过时的	60V		通用型	通孔	12-SIP裸露标签	SLA50			12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	SLA5022 DK	EAR99	8541.29.0095	1,080 人			6A														3个PNP达林顿管，3个N沟道（壕桥）
2SC4388	-	询价	4031	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3全包			85W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SC4388DK	EAR99	8541.29.0095	1,000														180伏	15A	10μA（ICBO）	NPN	2V@500mA，5A	50@3A，4V	20兆赫兹
SLA6024	5.6500	询价	696	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	12-SIP裸露标签	SLA60		5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA6024 DK	EAR99	8541.29.0075	250														60V	8A	10μA（ICBO）	3 NPN、3 PNP 达林顿（筏桥）	1.5V@10mA，5A	2000 @ 5A，4V	50兆赫
2SC6011A	-	询价	6470	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3			160W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SC6011A DK	EAR99	8541.29.0095	500														230伏	15A	10μA（ICBO）	NPN	500毫伏@500毫安，5安	50@3A，4V	20兆赫兹
2SD2439	-	询价	1197	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3全包			80W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SD2439 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000														150伏	10A	100μA（ICBO）	NPN-达林顿	2.5V@7mA，7A	5000 @ 7A，4V	55兆赫
SLA5064	11.1500	询价	1	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	12-SIP裸露标签	SLA50	MOSFET（金属O化物）	5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA5064 DK	EAR99	8541.29.0095	180	3 个 N 和 3 个 P 沟道（法兰克福桥）			60V	10A		140mOhm@5A，4V	-	-		460pF@10V	逻辑电平门
2SC3852A	-	询价	9734	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SC3852A DK	EAR99	8541.29.0095	1,000														80V	3A	10μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，2A	500@500mA，4V	15兆赫
SLA6023	6.1700	询价	1	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	12-SIP裸露标签	SLA60		5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		SLA6023 DK	EAR99	8541.29.0075	250														60V	6A	10μA（ICBO）	3 NPN、3 PNP 达林顿（筏桥）	1.5V@10mA，5A	2000 @ 5A，4V	80兆赫
2SC4495	-	询价	5551	三肯	-	大部分	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包			25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1,000														50V	3A	10μA（ICBO）	NPN	500mV@20mA，1A	500@500mA，4V	40兆赫
SKI03063	-	询价	8536	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		30V	40A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@39.5A，10V	2.5V@350μA	10V时为24.6nC	±20V	1480pF@15V	-	64W（温度）
2SC3835	2.8700	询价	1	三肯	-	大部分	的积极		150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3			70W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		2SC3835DK	EAR99	8541.29.0075	1,000														120V	7A	100μA（ICBO）	NPN	500mV@300mA，3A	70@3A，4V	30兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²