晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOD4136	-	询价	9122	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	25A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	16.8nC@10V	±20V	734pF@12.5V	-	2.1W（Ta）、30W（Tc）
AOT260L	3.1700	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT260		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1273-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	20A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.5毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	180nC@10V	±20V	14200pF@30V	-	1.9W（Ta）、330W（Tc）
AOTF600A70FL	0.8511	询价	6132	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫600		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF600A70FL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		700伏	8.5A（Tj）	10V	600毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	900 pF @ 100 V	-	26W（温度）
AOTF10N50FD_001	-	询价	8345	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		500V	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.2V@250μA	35nC@10V	±30V	1240pF@25V	-	50W（温度）
AOT482L	1.2789	询价	2630	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT482		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		80V	11A（Ta）、105A（Tc）	7V、10V	7.2毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	81nC@10V	±25V	4870pF@40V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
AOTF11C60P_001	-	询价	9285	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	50nC@10V	±30V	100V时为2333pF	-	50W（温度）
AONR32314	0.1497	询价	5241	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AONR323		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	17A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	8.7毫欧@17A，10V	2.25V@250μA	32nC@10V	±20V	1420pF@15V	-	4.1W（Ta）、24W（Tc）
AOTF66613L	1.6023	询价	6101	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF66613		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF66613L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	44.5A（Ta）、90A（Tc）	8V、10V	2.5毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	110nC@10V	±20V	5300pF@30V	-	8.3W（Ta）、34.5W（Tc）
AOD425	-	询价	5482	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD42		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	9A（Ta）、50A（Tc）	5V、10V	17毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	2.5W（Ta）、71W（Tc）
怡安7232	0.4484	询价	7031	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100V	37A（温度）	4.5V、10V	13.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	1770pF@50V	-	39W（温度）
AO3413L	-	询价	5604	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	97毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	6.1nC@4.5V	±8V	540pF@10V	-	1.4W（塔）
AO4496_101	-	询价	6354	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	10A（塔）	4.5V、10V	19.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	13nC@10V	±20V	715pF@15V	-	3.1W（塔）
奥恩斯21307	0.2614	询价	6543	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯213		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS21307TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	17A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	50nC@10V	±25V	1995pF@15V	-	5W（Ta）、38W（Tc）
AOD607_台达	-	询价	6303	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	AOD60		MOSFET（金属O化物）	25W（温度）	TO-252-4L	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道互补			30V	12A（温度）		25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V	2.5V@250μA，2.4V@250μA	4.5V时为12.5nC，4.5V时为11.7nC		1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V	-
冠安6232A	-	询价	3148	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	35A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.9毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	60nC@10V	±20V	3250pF@20V	-	6.2W（Ta）、113.5W（Tc）
奥恩斯36304	0.3032	询价	3625	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯363		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS36304TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	37A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@20A，10V	1.9V@250μA	60nC@10V	±20V	15V时为2430pF	-	6.2W（Ta）、42W（Tc）
AO4840	0.7100	询价	165	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	6A		30mOhm@6A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
AOK160A60	3.0206	询价	3390	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK160		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	250W（温度）
冠安6246	-	询价	6525	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	13A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	6.4毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	3420pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOTF2146L	1.1619	询价	4981	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF2146		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOTF2146LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	42A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3830pF@20V	-	8.3W（Ta）、29.5W（Tc）
AOSS32334C	0.4300	询价	26	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS323		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6.2A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@6.2A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	600pF@15V	-	1.3W（塔）
AOTF2144L	1.1829	询价	6211	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF2144		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOTF2144LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	46A（Ta）、90A（Tc）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、32W（Tc）
AOTF15B65M3	-	询价	9194	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫15	标准		30W	TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，15A，20欧姆，15V											263纳秒	-	650伏	30A	45A	2.5V@15V，15A	280μJ（开），190μJ（关）	25.4nC	10纳秒/68纳秒
AO4612L	-	询价	5343	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			60V	4.5A（塔）、3.2A（塔）		56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V	3V@250μA	10.5nC@10V，20nC@10V		540pF@30V，1120pF@30V	-
怡安7700	-	询价	7580	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	16A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@12A，10V	3V@250μA	33nC@4.5V	±12V	4250pF@15V	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、26W（Tc）
AOD4162	-	询价	6926	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	16A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	18nC@10V	±20V	1187pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO3406_104	-	询价	4572	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					3.6A（塔）
AO4413_101	-	询价	1873年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	15A（塔）	10V、20V	7毫欧@15A，20V	3.5V@250μA	61nC@10V	±25V	3500pF@15V	-	3.1W（塔）
AOD4504	0.3763	询价	4448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		200V	1.5A（Ta）、6A（Tc）	10V	400mOhm@3A，10V	3.7V@250μA	115nC@10V	±20V	100V时为328pF	-	2.5W（Ta）、42.5W（Tc）
冠安6424	-	询价	9510	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安642		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	11A（Ta）、41A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@20A，10V	1.7V@250μA	32nC@10V	±12V	1900pF@15V	-	2W（Ta）、25W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²