晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
怡安7524	0.6700	询价	194	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	25A（Ta）、28A（Tc）	2.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	1.2V@250μA	50nC@10V	±12V	2250pF@15V	-	3.1W（Ta）、32W（Tc）
AOD520	-	询价	8465	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的				AOD52				-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
冠安6536	-	询价	2217	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安653	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	22A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1210pF@15V	-	5.5W（Ta）、35.5W（Tc）
AO4444	-	询价	8501	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	11A（塔）	7V、10V	12毫欧@11A，10V	3.8V@250μA	46nC@10V	±25V	2865pF@40V	-	3.1W（塔）
AO4882	0.7600	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO488	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	12nC@10V		415pF@20V	逻辑电平门
AO4494H	-	询价	9620	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	18A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
AOD3N80	1.4900	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	800V	2.8A（温度）	10V	4.8欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	10nC@10V	±30V	510pF@25V	-	83W（温度）
AOT2144L	1.0036	询价	第1457章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2144	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT2144LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	205A（高温）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、187W（Tc）
AOT2918L	-	询价	9257	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2918	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1274-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100V	13A（Ta）、90A（Tc）	10V	7毫欧@20A，10V	3.9V@250μA	53nC@10V	±20V	50V时为3430pF	-	2.1W（Ta）、267W（Tc）
AOTF8N50L	-	询价	9904	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF8N50L			1		N沟道	500V	9A（天）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	38.5W（温度）
AOTF14N50FD	-	询价	9710	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫14	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	14A（温度）	10V	470毫欧@7A，10V	4V@250μA	47nC@10V	±30V	2010pF@25V	-	50W（温度）
AOB288L	1.0621	询价	2460	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB288	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	80V	10.5A（Ta）、46A（Tc）	6V、10V	8.9毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	38nC@10V	±20V	1871pF@40V	-	2.1W（Ta）、93.5W（Tc）
怡安7403	-	询价	7219	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道	30V	11A（Ta）、29A（Tc）	5V、10V	18毫欧@8A，10V	3V@250μA	24nC@15V	±25V	1400pF@15V	-	3.1W（Ta）、25W（Tc）
AO6602G	0.1804	询价	7479	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO660	MOSFET（金属O化物）	1.15W（塔）	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AO6602GTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V	3.5A（塔）、2.7A（塔）		50毫欧@3.5A，10V	2.5V@250μA	4.05nC@10V		210pF@15V	标准
AOCR32326	1.0608	询价	9451	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55℃～150℃	表面贴装	8-SMD，无铅	AOCR323	MOSFET（金属O化物）	2.75W	8-刚性CSP (6x2.5)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCR32326TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道		30V	28A		-	2.3V@250μA	142nC@10V		-	标准
AO4292	-	询价	5113	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	8A（塔）	4.5V、10V	23毫欧@8A，10V	2.7V@250μA	25nC@10V	±20V	1190pF@50V	-	3.1W（塔）
怡安7244	-	询价	4727	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	20A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	32nC@10V	±20V	2435pF@30V	-	6.2W（Ta）、83W（Tc）
冠安6516	0.1953	询价	2241	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安651	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	33nC@10V	±20V	1229pF@15V	-	6W（Ta）、25W（Tc）
冠安6448L	-	询价	9911	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安644	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	11A（Ta）、65A（Tc）	7V、10V	9.6毫欧@10A、10V	3.7V@250μA	53nC@10V	±25V	3100pF@40V	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AO4419	0.7000	询价	29	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	9.7A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@9.7A，10V	2.7V@250μA	32nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
AOND32324	0.9300	询价	第1497章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩德323	MOSFET（金属O化物）	3.5W（Ta）、12.5W（Tc）、4.1W（Ta）、30W（Tc）	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V	13A（Ta）、16A（Tc）、15A（Ta）、16A（Tc）		14毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V		760pF@15V，1995pF@15V	标准
AON4605_001	-	询价	9788	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安460	MOSFET（金属O化物）	1.9W	8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道		30V	4.3A、3.4A		50毫欧@4.3A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V		210pF@15V	逻辑电平门
AOSD32334C	0.5400	询价	169	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSD323	MOSFET（金属O化物）	1.7W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	7A（塔）		20毫欧@7A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V		600pF@15V	-
冠安6934A	-	询价	8906	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON693	MOSFET（金属O化物）	3.6W、4.3W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）		30V	22A、30A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		1037pF@15V	逻辑电平门
AO4441L_001	-	询价	6126	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	4A（塔）	4.5V、10V	100mOhm@4A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±20V	1120pF@30V	-	3.1W（塔）
AOC3860C	1.0500	询价	7990	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，无铅	AOC386	MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	6-AlphaDFN (3.05x1.77)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道（双）共漏极		12V	25A（塔）		3.5毫欧@5A，4.5V	1.1V@250μA	36nC@4.5V		-	标准
AOTF14N50L	-	询价	4661	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫14	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF14N50L			1		N沟道	500V	14A（天）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W
AOUS66920	0.6215	询价	第1132章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-PowerSMD，写入	奥乌斯669	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOUS66920TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	19.5A（Ta）、69A（Tc）	4.5V、10V	8.2毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	6.2W（Ta）、86W（Tc）
AOT600A70L	0.8511	询价	9444	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT600	MOSFET（金属O化物）		TO-220	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT600A70L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	104W（温度）
AO4840L_102	-	询价	8492	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	6A（塔）		31mOhm@6A，10V	3V@250μA	8.3nC@10V		404pF@20V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²