晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOB27S60L	4.0400	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB27S60		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	27A（温度）	10V	160毫欧@13.5A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	1294pF@100V	-	357W（温度）
AO4402G	0.4763	询价	6667	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4402GTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	20A（塔）	2.5V、4.5V	5.9毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	3.1W（塔）
怡安1605	0.0638	询价	8179	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-UFDFN	怡安16		MOSFET（金属O化物）		3-DFN (1.0 x 0.60)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	10,000		P沟道		20V	700mA（塔）	1.5V、4.5V	710毫欧@400mA，4.5V	1.1V@250μA	0.75nC@4.5V	±8V	50pF@10V	-	900毫W（塔）
AO7414	0.1074	询价	9750	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AO741		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	2A（塔）	1.8V、4.5V	62毫欧@2A，4.5V	1V@250μA	3.8nC@4.5V	±8V	10V时为320pF	-	350毫W（塔）
AOT280L	2.0992	询价	3515	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT280		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		80V	20.5A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.7毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	224nC@10V	±20V	11135pF@40V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
AOTF7N60FD_001	-	询价	2990	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF7		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF7N60FD_001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1035pF@25V	-	38.5W（温度）
MT8386M5	-	询价	4999	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的				MT8386					-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1					-
怡安6971	-	询价	4752	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安697		MOSFET（金属O化物）	5W、4.1W	8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	23A、40A		5.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	23nC@10V		1010pF@15V	逻辑电平门
AOT8N65	0.6647	询价	第1157章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT8		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	8A（温度）	10V	1.15欧姆@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1400pF@25V	-	208W（温度）
AO4468	0.5400	询价	22	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	10.5A（塔）	4.5V、10V	14毫欧@11.6A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	1200pF@15V	-	3.1W（塔）
怡安6404	-	询价	8288	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安640		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	25A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.2毫欧@20A，10V	2V@250μA	155nC@10V	±20V	9000pF@15V	-	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AO4240	1.5100	询价	9440	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	24A（塔）	4.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	87nC@10V	±20V	4245pF@20V	-	3.1W（塔）
AO4466L	-	询价	7788	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	9.4A（塔）	4.5V、10V	23毫欧@9.4A，10V	3V@250μA	17nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	3.1W（塔）
AOT16N50	1.0079	询价	9369	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT16		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	16A（温度）	10V	370毫欧@8A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
AOB462L	-	询价	9028	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB462		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	7A（Ta）、35A（Tc）	10V	17.7毫欧@30A，10V	4V@250μA	36nC@10V	±20V	2400pF@30V	-	2.1W（Ta）、100W（Tc）
AOK40B120N1	5.5556	询价	7134	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		600W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOK40B120N1	EAR99	8541.29.0095	30			600V，40A，7.5欧姆，15V											300纳秒	-	1200伏	80A	160A	2.5V@15V，40A	3.4mJ（开），1.4mJ（关）	100纳克	57纳秒/146纳秒
AOI514	-	询价	4430	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI51		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	17A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5.9毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V	±20V	1187pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO4435	0.2449	询价	5113	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AO4435TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	10.5A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3V@250μA	24nC@10V	±25V	1400pF@15V	-	3.1W（塔）
建安6370P	-	询价	4947	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的				AON63					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
AOTF11C60PL	-	询价	3850	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1715-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	400毫欧@5.5A，10V	5V@250μA	50nC@10V	±30V	100V时为2333pF	-	37W（温度）
AOK2500L	5.7100	询价	263	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK2500		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		150伏	14A（Ta）、180A（Tc）	6V、10V	6.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	136nC@10V	±20V	6460pF@75V	-	3.1W（Ta）、500W（Tc）
AON7934_101	-	询价	9144	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	怡安793		MOSFET（金属O化物）	2.5W（Ta）、23W（Tc）、2.5W（Ta）、25W（Tc）	8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	13A（Ta）、16A（Tc）、15A（Ta）、18A（Tc）		10.2毫欧@13A、10V、7.7毫欧@15A、10V	2.2V@250μA	11nC@10V，17.5nC@10V		15V时为485pF，15V时为807pF	-
AOK500V120X2	4.2302	询价	4930	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK500		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK500V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		1200伏	6.3A（温度）	15V	675毫欧@1.2A，15V	3.5V@1.2mA	12nC@15V	+15V，-5V	800V时为206pF	-	44W（温度）
AOB240L	1.9500	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB240		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	20A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	3510pF@20V	-	1.9W（Ta）、176W（Tc）
美国在线1454	0.4322	询价	7829	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	12A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
AOD600A70	1.3500	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD600		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	104W（温度）
AOTF600A70L	1.7300	询价	750	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫600		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF600A70L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		700伏	8.5A（Tj）	10V	600毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	15.5nC@10V	±20V	100V时为870pF	-	27W（温度）
AO8818	-	询价	1238	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			30V	-		18毫欧@7A，10V	1.5V@250μA	14nC@4.5V		1060pF@15V	逻辑电平门
AOK42S60L	6.5200	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK42S60		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	39A（温度）	10V	99毫欧@21A，10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±30V	100V时为2154pF	-	417W（温度）
AOC2415	-	询价	6836	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	AOC24		MOSFET（金属O化物）		4-AlphaDFN (1.57x1.57)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	3.5A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@1.5A，4.5V	1V@250μA	28nC@4.5V	±8V	1685pF@10V	-	550毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²