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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AOTF25S65 | 2.0360 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 25A(TC) | 10V | 190mohm @ 12.5a,10v | 4V @ 250µA | 26.4 NC @ 10 V | ±30V | 1278 PF @ 100 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AO3406L_107 | - | ![]() | 1197 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 4.5V,10V | 65mohm @ 3.6A,10V | 3V @ 250µA | 8.5 NC @ 10 V | ±20V | 375 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AOC2417 | - | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | AOC24 | MOSFET (金属 o化物) | 4-Alphadfn(1.57x1.57) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.5A(ta) | 2.5V,10V | 32MOHM @ 1.5A,10V | 1.4V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±12V | 1355 pf @ 10 V | - | 550MW(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AOSP21307 | 0.2741 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP213 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1798-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 14A(TA) | 4.5V,10V | 11.5MOHM @ 14A,10V | 2.3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 1995 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||
![]() | AOT418L_001 | - | ![]() | 6200 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 9.5A(ta),105a (TC) | 7V,10V | 10mohm @ 20a,10v | 3.9V @ 250µA | 83 NC @ 10 V | ±25V | 5200 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),333W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOT292L | 1.7111 | ![]() | 7883 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT292 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1636-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 14.5A(TA),105A (TC) | 6V,10V | 4.5MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 6775 PF @ 50 V | - | 2.1W(TA),300W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AO6801E | - | ![]() | 3598 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AO680 | MOSFET (金属 o化物) | 700MW | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2a | 110MOHM @ 2A,10V | 1.5V @ 250µA | 12nc @ 10V | 305pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
![]() | AOT20N60L | 1.5073 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 370MOHM @ 10a,10v | 4.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±30V | 3680 pf @ 25 V | - | 417W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOT12N65 | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 720MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 2150 pf @ 25 V | - | 278W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AON2802 | 0.1855 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | AON280 | MOSFET (金属 o化物) | 2.1W | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 2a | 60mohm @ 2a,10v | 1.5V @ 250µA | 10NC @ 10V | 245pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
AON6368P | - | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon63 | 8-DFN(5x6) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONS66450 | - | ![]() | 3041 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | AONS664 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AONS66450TR | 过时的 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
AOWF10N60 | 0.8328 | ![]() | 3315 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1600 pf @ 25 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOT13N50 | 0.8770 | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 13A(TC) | 10V | 510MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AONR21305C | 0.3033 | ![]() | 4336 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | AONR213 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AONR21305CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | AOTF7T60P | - | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 965 PF @ 100 V | - | 38W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOB411L | 1.3414 | ![]() | 1558年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB411 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 60 V | 8a(8a ta),78a tc(78a tc) | 4.5V,10V | 16.5MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6400 PF @ 30 V | - | 2.1W(ta),187w(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOT14N50 | 1.8700 | ![]() | 5393 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1170-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AON7403L | - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON740 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 8a(8a ta),20A (TC) | 4.5V,10V | 18mohm @ 8a,10v | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±25V | 1400 pf @ 15 V | - | 1.6W(ta),27W((((((((( | ||||||||||||||||
![]() | AO4801AS | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | - | AO480 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
AON6282 | 0.7232 | ![]() | 3695 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 26.5A(ta),85a tc) | 6V,10V | 5.6mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±20V | 2848 PF @ 40 V | - | 7.4W(ta),83W(tc) | ||||||||||||||||
AON6588 | 0.3076 | ![]() | 2625 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON658 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 32A(32A),32a(tc) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 2160 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),46w(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON6916 | - | ![]() | 3218 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | AON691 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF7T60 | - | ![]() | 6368 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 962 PF @ 100 V | - | 38W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AO4801HL | - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | - | AO480 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF20B65M2 | 2.9100 | ![]() | 802 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF20 | 标准 | 45 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1771 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,20a,15ohm,15V | 292 ns | - | 650 v | 40 a | 60 a | 2.15V @ 15V,20A | (580µJ)(在),280µJ(((() | 46 NC | 26ns/123ns | ||||||||||||||
![]() | AOD512 | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD51 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 27a(27A),70A (TC) | 4.5V,10V | 2.4mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 3430 pf @ 15 V | - | 2.5W(ta),83W(tc) |
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