晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOD518	-	询价	1160	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	15A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOI2N60	0.3106	询价	6564	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区2		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	325pF@25V	-	56.8W（温度）
AO3404A_104	-	询价	2675	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					5.8A（塔）
奥特夫404	-	询价	2745	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫40		MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		105V	5.8A（Ta）、26A（Tc）	6V、10V	28毫欧@20A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±25V	2445pF@25V	-	2.2W（Ta）、43W（Tc）
AOCA33104A	0.3960	询价	6460	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡33104		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (2.98x1.49)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOCA33104ATR	EAR99	8541.29.0095	8,000	2 个 N 沟道（双）			12V	30A（塔）		2.8毫欧@5A，4.5V	1.3V@250μA	32nC@4.5V		-	-
AON7410L_101	-	询价	3864	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安741		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	9.5A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	660pF@15V	-	3.1W（Ta）、20W（Tc）
AOT2904	-	询价	9946	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT290		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	120A（温度）	6V、10V	4.4毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	135nC@10V	±20V	7085pF@50V	-	326W（温度）
AOT66920L	1.9900	询价	第748章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT66920		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1840	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	22.5A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	8.3W（Ta）、100W（Tc）
AOI1R4A70	0.4939	询价	3586	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区1		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1819	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		700伏	3.8A（温度）	10V	1.4欧姆@1A，10V	4.1V@250μA	8nC@10V	±20V	100V时为354pF	-	48W（温度）
AO4485L_102	-	询价	6139	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		40V	10A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	55nC@10V	±20V	3000pF@20V	-	1.7W（塔）
AOD474A	-	询价	8433	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD47		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		75V	2.5A（Ta）、10A（Tc）	4.5V、10V	130mOhm@5A，10V	1.6V@250μA	9nC@10V	±16V	280pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、28.5W（Tc）
AOE6936	0.6542	询价	6875	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	AOE693		MOSFET（金属O化物）	24W、39W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	55A（温度）、85A（温度）		5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V	2.2V@250μA，2.1V@250μA	15nC@4.5V，25nC@4.5V		1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V	-
AOK40B120P1	5.8291	询价	4006	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		600W	TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK40B120P1	EAR99	8541.29.0095	240			600V，40A，7.5欧姆，15V											-	1200伏	80A	160A	2.3V@15V，40A	2.5mJ（开），1.3mJ（关）	202nC	53纳秒/210纳秒
AON2705_001	-	询价	5936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	AON27				6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					3A（塔）
AOT12N65	-	询价	9448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特12		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	12A（温度）	10V	720毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	48nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	278W（温度）
AOK40B65HQ2	2.5800	询价	2291	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		312W	TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK40B65HQ2	EAR99	8541.29.0095	240			400V，40A，7.5欧姆，15V											-	650伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	1.19mJ（开），380μJ（关）	61nC	31纳秒/110纳秒
AONE36182	0.7095	询价	3377	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	奥妮361		MOSFET（金属O化物）	2W（Ta）、25W（Tc）、2.5W（Ta）、35.5W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONE36182TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			25V	17A（Ta）、60A（Tc）、34A（Ta）、60A（Tc）		4.6毫欧@17A、10V、1.4毫欧@20A、10V	1.8V@250μA	21nC@10V，80nC@10V		12.5V时为880pF，12.5V时为3215pF	标准
AOC3878	0.3603	询价	4006	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	AOC387		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.55x1.77)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOC3878TR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道			12V	35A（塔）		2欧姆@5A，4.5V	1.1V@250μA	60nC@4.5V		-	标准
冠安6332	-	询价	5478	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AON63					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AON6332TR	过时的		3,000					-
怡安6980	0.4263	询价	2352	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安698		MOSFET（金属O化物）	3.5W、4.1W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	18A、27A		6.8毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		1095pF@15V	逻辑电平门
AOD206_001	-	询价	5073	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD20		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1333pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOD3C60	-	询价	9198	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	3A（温度）	10V	1.4欧姆@1A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	648pF@100V	-	89W（温度）
怡安7760	-	询价	4564	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		25V	33A（Ta）、75A（Tc）	4.5V、10V	2mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	76nC@10V	±16V	5520pF@12.5V	-	4.1W（Ta）、34.5W（Tc）
AOK042A60FD	8.2507	询价	7336	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK042		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK042A60FD	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		600伏	70A（温度）	10V	42毫欧@25A，10V	4.2V@250μA	175nC@10V	±20V	9165pF@100V	-	500W（温度）
AON7804_102	-	询价	2939	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安780		MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	9A		21毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOD528	-	询价	1843年	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD52		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	17A（Ta）、50A（Tc）		5.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		1400pF@15V	-
怡安6914	-	询价	5698	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的				爱安691					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²