晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
冠安6454A	-	询价	4923	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安645	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	31A（温度）	7V、10V	38毫欧@20A，10V	4.6V@250μA	40nC@10V	±20V	75V时为2055pF	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOB2618L	-	询价	3408	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2618	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	60V	7A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	19毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	950pF@30V	-	2.1W（Ta）、41.5W（Tc）
怡安7514	-	询价	8936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	20A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	3W（Ta）、23W（Tc）
AOTF11N62	-	询价	5287	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	620伏	11A（温度）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1990pF@25V	-	50W（温度）
自动检测器2606	-	询价	7767	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	自动光学检测260	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	-		1（无限制）	REACH 不出行	785-1721-5	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道	60V	14A（Ta）、46A（Tc）	10V	6.8毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	75nC@10V	±20V	4050pF@30V	-	2.5W（Ta）、150W（Tc）
AO3415	0.4700	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	43毫欧@4A、4.5V	1V@250μA	17.2nC@4.5V	±8V	1450pF@10V	-	1.5W（塔）
冠安6354	0.2817	询价	4094	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON63	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	83A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	35nC@10V	±20V	1330pF@15V	-	36W（温度）
AO4480	0.7400	询价	153	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	14A（塔）	4.5V、10V	11.5毫欧@14A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	3.1W（塔）
奥恩斯66612	2.9700	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯666	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	46A（Ta）、100A（Tc）	6V、10V	1.65毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	110nC@10V	±20V	5300pF@30V	-	6.2W（Ta）、208W（Tc）
AOTF25S65	2.0360	询价	7494	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫25	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	50W（温度）
AOU3N50_002	-	询价	7402	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU3	MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	-			REACH 不出行	785-AOU3N50_002			1		N沟道	500V	2.8A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	331pF@25V	-	57W（温度）
AOD558	0.6400	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD55	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	17A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	5.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V	±20V	1187pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AON7418A	-	询价	2158	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安741	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	50A（温度）	4.5V、10V	1.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	65nC@10V	±20V	2994pF@15V	-	83W（温度）
AO3413	0.4300	询价	32	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	97毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	6.1nC@4.5V	±8V	540pF@10V	-	1.4W（塔）
AOTF20C60P	-	询价	5541	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫20	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	20A（温度）	10V	250mOhm@10A，10V	5V@250μA	80nC@10V	±30V	100V时为3607pF	-	50W（温度）
AO3418L_101	-	询价	4445	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.8A（塔）	2.5V、10V	60毫欧@3.8A，10V	1.8V@250μA	3.6nC@4.5V	±12V	270pF@15V	-	1.4W（塔）
怡安7408	0.1172	询价	8476	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	10A（Ta）、18A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@10A、10V	2.6V@250μA	8.6nC@4.5V	±20V	448pF@15V	-	3.1W（Ta）、11W（Tc）
AOI1N60	-	询价	7082	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区1	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	600伏	1.3A（温度）	10V	9欧姆@650mA，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	160pF@25V	-	45W（温度）
AOSN32338C	0.0982	询价	6467	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AOSN32338	MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOSN32338CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.7A（塔）	2.5V、10V	51毫欧@3.7A，10V	1.5V@250μA	16nC@10V	±12V	15V时为340pF	-	1.1W（塔）
冠安6104FD	-	询价	3175	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	-	-	怡安6104	-		-	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON6104FDTR	过时的		3,000		-		-	-	-	-		-		-	-
冠安6152	-	询价	第1649章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON61	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	45V	100A（温度）	4.5V、10V	1.15毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	125nC@10V	±20V	8900pF@22.5V	-	208W（温度）
建安7404G	0.5800	询价	2201	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	20V	20A（Ta）、20A（Tc）	2.5V、4.5V	5.3毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	5W（Ta）、28W（Tc）
AOE6936	0.6542	询价	6875	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	AOE693	MOSFET（金属O化物）	24W、39W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价		30V	55A（温度）、85A（温度）		5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V	2.2V@250μA，2.1V@250μA	15nC@4.5V，25nC@4.5V		1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V	-
怡安7202L	-	询价	8256	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	33nC@10V	±20V	2200pF@15V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
AO4720	-	询价	3297	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	13A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@13A，10V	2V@250μA	30nC@10V	±20V	1600pF@15V	肖特基分化（体）	3.1W（塔）
AOW290	-	询价	9728	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW29	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1729-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100V	17.5A（Ta）、140A（Tc）	10V	3.2毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	126nC@10V	±20V	7180pF@50V	-	1.9W（Ta）、500W（Tc）
AOD609	0.9700	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	AOD60	MOSFET（金属O化物）	2W	TO-252-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道，共漏极		40V	12A		30毫欧@12A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²