晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOM065V120X2Q	12.3888	询价	2408	阿尔法与欧米茄半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	AOM065		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOM065V120X2Q	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		1200伏	40.3A（温度）	15V	85毫欧@10A，15V	3.5V@10mA	62.3nC@15V	+15V，-5V	800V时为1716pF	-	187.5W（塔）
AO4718	-	询价	2807	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	15A（塔）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	32nC@10V	±20V	1950pF@15V	肖特基分化（体）	3.1W（塔）
怡安7401	-	询价	2158	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	12A（Ta）、35A（Tc）	6V、10V	14毫欧@9A，10V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（Ta）、29W（Tc）
怡安6270	-	询价	6871	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		75V	31.5A（Ta）、85A（Tc）	6V、10V	3.9毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	85nC@10V	±20V	4100pF@37.5V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）
冠安7262E	0.9800	询价	19	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	21A（Ta）、34A（Tc）	4.5V、10V	6.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V	±20V	1650pF@30V	-	5W（Ta）、43W（Tc）
AON7400AL_103	-	询价	9350	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（Ta）、25W（Tc）
冠安6242	2.2600	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	18.5A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	72nC@10V	±20V	6370pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOTF16N50L	-	询价	7304	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫16		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF16N50L			1		N沟道		500V	16A（温度）	10V	370毫欧@8A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W（温度）
怡安2802	0.1855	询价	5291	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	怡安280		MOSFET（金属O化物）	2.1W	6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	2A		60毫欧@2A，10V	1.5V@250μA	10nC@10V		245pF@15V	逻辑电平门
AOB11S60L	1.4333	询价	4128	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	奥布11		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	399毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	178W（温度）
AOI1R4A70	0.4939	询价	3586	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区1		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1819	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		700伏	3.8A（温度）	10V	1.4欧姆@1A，10V	4.1V@250μA	8nC@10V	±20V	100V时为354pF	-	48W（温度）
AOB282L	2.4019	询价	4074	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB282		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	18.5A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	3.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	178nC@10V	±20V	7765pF@40V	-	2.1W（Ta）、272.5W（Tc）
AO6424A	-	询价	8237	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO642		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	35mOhm@5A，10V	2.4V@250μA	12nC@10V	±20V	270pF@15V	-	2.5W（塔）
AOTF15B65M1	1.2235	询价	7264	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特夫15	标准		36W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1768	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，15A，20欧姆，15V											317纳秒	-	650伏	30A	45A	2.15V@15V，15A	290μJ（开），200μJ（关）	32nC	15纳秒/94纳秒
冠安6454A	-	询价	4923	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安645		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	31A（温度）	7V、10V	38毫欧@20A，10V	4.6V@250μA	40nC@10V	±20V	75V时为2055pF	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AO3421L	-	询价	8271	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	130毫欧@2.6A，10V	3V@250μA	9nC@10V	±20V	15V时为370pF	-	1.4W（塔）
AON6450L_001	-	询价	5174	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安645				8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					52A（温度）
AONE36132	0.7095	询价	2966	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	奥妮361		MOSFET（金属O化物）	2W（Ta）、25W（Tc）、2.5W（Ta）、35.5W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONE36132TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			25V	17A（Ta）、60A（Ta）、34A（Ta）、60A（Tc）		4.6毫欧@17A、10V、1.4毫欧@20A、10V	1.8V@250μA	21nC@10V，80nC@10V		12.5V时为880pF，12.5V时为3215pF	标准
AOB2618L	-	询价	3408	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2618		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	7A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	19毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	950pF@30V	-	2.1W（Ta）、41.5W（Tc）
怡安7514	-	询价	8936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	20A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	3W（Ta）、23W（Tc）
AOTF11N62	-	询价	5287	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		620伏	11A（温度）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1990pF@25V	-	50W（温度）
自动检测器2606	-	询价	7767	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	自动光学检测260		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	-		1（无限制）	REACH 不出行	785-1721-5	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		60V	14A（Ta）、46A（Tc）	10V	6.8毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	75nC@10V	±20V	4050pF@30V	-	2.5W（Ta）、150W（Tc）
AO3415	0.4700	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	43毫欧@4A、4.5V	1V@250μA	17.2nC@4.5V	±8V	1450pF@10V	-	1.5W（塔）
冠安6354	0.2817	询价	4094	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON63		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	83A（温度）	4.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	35nC@10V	±20V	1330pF@15V	-	36W（温度）
AO4480	0.7400	询价	153	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	14A（塔）	4.5V、10V	11.5毫欧@14A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	3.1W（塔）
奥恩斯66612	2.9700	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯666		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	46A（Ta）、100A（Tc）	6V、10V	1.65毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	110nC@10V	±20V	5300pF@30V	-	6.2W（Ta）、208W（Tc）
AOTF25S65	2.0360	询价	7494	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫25		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	50W（温度）
AOU3N50_002	-	询价	7402	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU3		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	-			REACH 不出行	785-AOU3N50_002			1		N沟道		500V	2.8A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	331pF@25V	-	57W（温度）
AOD558	0.6400	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD55		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	17A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	5.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V	±20V	1187pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AON7418A	-	询价	2158	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安741		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	50A（温度）	4.5V、10V	1.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	65nC@10V	±20V	2994pF@15V	-	83W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²