晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOWF25S65	2.1447	询价	5770	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF25		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	28W（温度）
AO4807_101	-	询价	7786	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 P 沟道（双）			30V	6A		35mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	16nC@10V		760pF@15V	逻辑电平门
AON6266_101	-	询价	2324	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	30A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1340pF@30V	-	38W（温度）
AOD2544	1.1600	询价	203	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD25		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		150伏	6.5A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	54mOhm@5A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	675pF@75V	-	6.2W（Ta）、75W（Tc）
AO3421	0.1172	询价	2053	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	110毫欧@2.6A，10V	2.4V@250μA	5.2nC@10V	±20V	240pF@15V	-	1.4W（塔）
AOTF380A60CL	1.7300	询价	989	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫380		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF380A60CL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	11A（天）	10V	380毫欧@5.5A，10V	3.8V@250μA	20nC@10V	±20V	955pF@100V	-	27W（温度）
AOB10B65M1	1.2466	询价	1149	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	奥布10	标准		150W	TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，10A，30欧姆，15V											262纳秒	-	650伏	20A	30A	2V@15V，10A	180μJ（开），130μJ（关）	24nC	12纳秒/91纳秒
怡安2260	0.6100	询价	907	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON22		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	6A（塔）	4.5V、10V	44毫欧@6A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	426pF@30V	-	2.8W（塔）
AON6403L_APP	-	询价	4448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安640		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	21A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.1毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	196nC@10V	±20V	9120pF@15V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
怡安6560	1.0107	询价	7361	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安656		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	84A（Ta）、200A（Tc）	4.5V、10V	0.62毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	325nC@10V	±20V	11500pF@15V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
怡安7401	-	询价	2158	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	12A（Ta）、35A（Tc）	6V、10V	14毫欧@9A，10V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（Ta）、29W（Tc）
美国在线1413	-	询价	2126	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	38A（温度）	5V、10V	17毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	2.1W（Ta）、38W（Tc）
AO4813	0.8700	询价	69	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			30V	7.1A		25毫欧@7.1A，10V	2.5V@250μA	19nC@10V		1250pF@15V	逻辑电平门
AO8804	-	询价	1894年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO880		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			20V	-		13毫欧@8A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AO7401L	-	询价	9819	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AO740		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	1.2A（塔）	2.5V、10V	150mOhm@1.2A，10V	1.4V@250μA	5.06nC@4.5V	±12V	409pF@15V	-	350毫W（塔）
AOT160A60L	1.5964	询价	5710	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT160		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT160A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3.6V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	250W（温度）
AO4821L	-	询价	9072	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 P 沟道（双）			12V	9A		19毫欧@9A，4.5V	850mV@250μA	23nC@4.5V		2100pF@6V	逻辑电平门
AON7804_101	-	询价	2405	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安780		MOSFET（金属O化物）	3.1W（Ta）、17W（Tc）	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	9A（Ta）、22A（Tc）		21毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	-
AO3496	-	询价	5013	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3496TR	过时的		3,000					-
AOD2610E	0.3471	询价	8255	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD26				TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
怡安6270	-	询价	6871	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		75V	31.5A（Ta）、85A（Tc）	6V、10V	3.9毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	85nC@10V	±20V	4100pF@37.5V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AOTF10N60CL_0C1	-	询价	6689	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF10N60CL_0C1			1		N沟道		600伏	10A（Tj）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	30nC@10V	±30V	1500pF@25V	-	50W（温度）
AOB2500L	4.1700	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2500		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		150伏	11.5A（Ta）、152A（Tc）	6V、10V	6.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	136nC@10V	±20V	6460pF@75V	-	2.1W（Ta）、375W（Tc）
AOD403L	-	询价	6702	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6毫欧@20A，20V	3.5V@250μA	120nC@10V	±25V	5300pF@15V	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
怡安7430L	-	询价	4134	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安743		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	9A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	12毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	17nC@10V	±20V	910pF@15V	-	1.7W（Ta）、25W（Tc）
美国在线1432A	-	询价	第1537章	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		25V	12A（Ta）、44A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	12.5V时为1450pF	-	2.1W（Ta）、30W（Tc）
AOTF260L	1.6993	询价	1892年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫260		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		60V	19A（Ta）、92A（Tc）	6V、10V	2.6毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	210nC@10V	±20V	11800pF@30V	-	1.9W（Ta）、46.5W（Tc）
AO6801A	-	询价	7792	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO680		MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			30V	2.3A		115毫欧@2.3A，10V	1.4V@250μA	7nC@10V		315pF@15V	逻辑电平门
AO4801AS	-	询价	4157	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的		-	-	AO480		-		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1												-
AOI950A70	1.3900	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI950		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1820	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		700伏	5A（温度）	10V	950mOhm@1A，10V	4.1V@250μA	10nC@10V	±20V	461pF@100V	-	56.5W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²