晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AO3413	0.4300	询价	32	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	97毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	6.1nC@4.5V	±8V	540pF@10V	-	1.4W（塔）
AOTF25S65	2.0360	询价	7494	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫25		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	50W（温度）
AOU3N50_002	-	询价	7402	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU3		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	-			REACH 不出行	785-AOU3N50_002			1		N沟道		500V	2.8A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	331pF@25V	-	57W（温度）
AOTF20C60P	-	询价	5541	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	250mOhm@10A，10V	5V@250μA	80nC@10V	±30V	100V时为3607pF	-	50W（温度）
AO3418L_101	-	询价	4445	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.8A（塔）	2.5V、10V	60毫欧@3.8A，10V	1.8V@250μA	3.6nC@4.5V	±12V	270pF@15V	-	1.4W（塔）
怡安7408	0.1172	询价	8476	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	10A（Ta）、18A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@10A、10V	2.6V@250μA	8.6nC@4.5V	±20V	448pF@15V	-	3.1W（Ta）、11W（Tc）
AOI1N60	-	询价	7082	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区1		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	1.3A（温度）	10V	9欧姆@650mA，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	160pF@25V	-	45W（温度）
冠安6104FD	-	询价	3175	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	-	-	怡安6104		-		-	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON6104FDTR	过时的		3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
冠安6152	-	询价	第1649章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON61		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		45V	100A（温度）	4.5V、10V	1.15毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	125nC@10V	±20V	8900pF@22.5V	-	208W（温度）
建安7404G	0.5800	询价	2201	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		20V	20A（Ta）、20A（Tc）	2.5V、4.5V	5.3毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	5W（Ta）、28W（Tc）
AOE6936	0.6542	询价	6875	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	AOE693		MOSFET（金属O化物）	24W、39W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	55A（温度）、85A（温度）		5mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V	2.2V@250μA，2.1V@250μA	15nC@4.5V，25nC@4.5V		1150pF @ 15V, 2270pF @ 15V	-
怡安7202L	-	询价	8256	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	33nC@10V	±20V	2200pF@15V	-	3.1W（Ta）、36W（Tc）
AOW290	-	询价	9728	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW29		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1729-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	17.5A（Ta）、140A（Tc）	10V	3.2毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	126nC@10V	±20V	7180pF@50V	-	1.9W（Ta）、500W（Tc）
AOD609	0.9700	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	AOD60		MOSFET（金属O化物）	2W	TO-252-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道，共漏极			40V	12A		30毫欧@12A，10V	3V@250μA	10.8nC@10V		650pF@20V	逻辑电平门
AOD2916	-	询价	7416	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD291		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	5.5A（Ta）、25A（Tc）	4.5V、10V	34mOhm@10A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	870pF@50V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO6704	-	询价	7906	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO670		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.6A（塔）	2.5V、10V	65毫欧@3.6A，10V	1.8V@250μA	3.6nC@4.5V	±12V	270pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.39W（塔）
AOB15B60D	1.7140	询价	2412	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB15	标准		167 W	TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，15A，20欧姆，15V											196纳秒	-	600伏	30A	60A	1.8V@15V，15A	420μJ（开），110μJ（关）	25.4nC	21纳秒/73纳秒
AO4407A_102	-	询价	3169	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	12A（塔）	6V、20V	11毫欧@12A，20V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（塔）
AOTF7T60	-	询价	6368	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF7		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	1.1欧姆@3.5A，10V	5V@250μA	24nC@10V	±30V	962pF@100V	-	38W（温度）
AOD522P	-	询价	6099	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD52		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	17A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5.2毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V	±20V	1500pF@15V	-	2.5W（Ta）、53W（Tc）
美国在线1413	-	询价	2126	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	38A（温度）	5V、10V	17毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	2.1W（Ta）、38W（Tc）
AO4822AL_102	-	询价	7517	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOUS66414	0.7428	询价	6853	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-PowerSMD，读写	奥乌斯664		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	40A（Ta）、92A（Tc）	4.5V、10V	2.2毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	80nC@10V	±20V	4350pF@20V	-	6.2W（Ta）、92W（Tc）
AOT20C60L	-	询价	8669	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT20		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	250mOhm@10A，10V	5V@250μA	74nC@10V	±30V	100V时为3440pF	-	463W（温度）
AOTS40B65H1	2.9100	询价	1661	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOTS40	标准		300W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1774	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，40A，7.5欧姆，15V												-	650伏	80A	120A	2.4V@15V，40A	1.27mJ（开），460μJ（关）	63nC	41纳秒/130纳秒
AO4946	-	询价	9155	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO494		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	-		16毫欧@8.6A，10V	2.4V@250μA	31nC@10V		1885pF@15V	逻辑电平门
AOD2HC60	-	询价	9535	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD2		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	2.5A（温度）	10V	2欧姆@800mA，10V	5V@250μA	10nC@10V	±30V	466pF@100V	-	74W（温度）
AOW14N50	0.9653	询价	3401	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW14		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	14A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
怡安6702	-	询价	8953	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	26A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2mOhm@20A，10V	2.4V@250μA	123nC@10V	±20V	7080pF@15V	肖特基分化（体）	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOD240	1.5600	询价	14	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD24		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	23A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	60nC@10V	±20V	4300pF@20V	-	2.7W（Ta）、150W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²