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![]() | AOCA32108E | 0.8700 | ![]() | 1639年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | AOCA32108 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W(TA) | 10-Alphadfn(3.01x1.52) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 12V | 25A(TA) | 3.8mohm @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | |||||||||||||||||
AOWF360A70 | 1.0612 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF360 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOWF360A70 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 12A(TJ) | 10V | 360MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±20V | 1360 pf @ 100 V | - | 29.5W(TC) | |||||||||||||||
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![]() | AOE8910 | - | ![]() | 7150 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | AOE891 | - | 到达不受影响 | 785-AOE8910 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF5N50L | - | ![]() | 3318 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF5N50L | 1 | n通道 | 500 v | 5A(TJ) | 10V | 1.5OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 620 pf @ 25 V | - | 35W | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF8N65_003 | - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF8N65_003 | 1 | n通道 | 650 v | 8A(TC) | 10V | 1.15OHM @ 4A,10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF12N50L | - | ![]() | 8838 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF12N50L | 1 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W | ||||||||||||||||||
![]() | AOD1N60M | - | ![]() | 9248 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | - | 到达不受影响 | 785-AOD1N60M | 1 | n通道 | 600 v | 1.3A(TC) | 10V | 9ohm @ 650mA,10v | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 160 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF10N60_002 | - | ![]() | 3561 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF10N60_002 | 1 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1600 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOU3N50_002 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | - | 到达不受影响 | 785-AOU3N50_002 | 1 | n通道 | 500 v | 2.8A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 331 PF @ 25 V | - | 57W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF12N50_006 | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF12N50_006 | 1 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF42S60 | - | ![]() | 3088 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF42 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF42S60 | 1 | n通道 | 600 v | 39a | 10V | 99mohm @ 21a,10v | 3.8V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 2154 PF @ 100 V | - | 50W | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF13N50_002 | - | ![]() | 2001 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF13N50_002 | 1 | n通道 | 500 v | 13A(TC) | 10V | 510MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF13N50L | - | ![]() | 3808 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF13N50L | 1 | n通道 | 500 v | 13A(TJ) | 10V | 510MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF9N50L | - | ![]() | 1783年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF9N50L | 1 | n通道 | 500 v | 9A(9A)(TJ) | 10V | 850MOHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1042 PF @ 25 V | - | 38.5W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF12N50_008 | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF12N50_008 | 1 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 520MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF11N60 | - | ![]() | 5601 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF11N60 | 1 | n通道 | 600 v | 11a | 10V | 650MOHM @ 5.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 30.6 NC @ 10 V | ±30V | 1656 PF @ 25 V | - | 50W | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF15S60 | - | ![]() | 8341 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF15S60 | 1 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 7.5A,10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 NC @ 10 V | ±30V | 717 PF @ 100 V | - | 27.8W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOI2NL60 | - | ![]() | 5407 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | AOI2 | - | 到达不受影响 | 785-AOI2NL60 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF8N65_006 | - | ![]() | 4299 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF8N65_006 | 1 | n通道 | 650 v | 8A(TC) | 10V | 1.15OHM @ 4A,10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF10N60CL_0C1 | - | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF10N60CL_0C1 | 1 | n通道 | 600 v | 10a(TJ) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1500 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOU4N60_001 | - | ![]() | 8954 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | - | 到达不受影响 | 785-AOU4N60_001 | 1 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.3OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 640 pf @ 25 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF16N50L | - | ![]() | 7304 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF16 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF16N50L | 1 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 370MOHM @ 8A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF9N70_002 | - | ![]() | 5232 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF9N70_002 | 1 | n通道 | 700 v | 9A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1630 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF25S65L | - | ![]() | 4635 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF25S65L | 1 | n通道 | 650 v | 25A(TC) | 10V | 190mohm @ 12.5a,10v | 4V @ 250µA | 26.4 NC @ 10 V | ±30V | 1278 PF @ 100 V | - | 40W | ||||||||||||||||||
![]() | AONS66612T | 3.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 48A(ta),100A(tc) | 6V,10V | 1.65MOHM @ 20A,10V | 3.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5300 PF @ 30 V | - | 7.5W(ta),250W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOB66811L | 3.0700 | ![]() | 9285 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB66811 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOB66811L | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 80 V | 44A(TA),140A (TC) | 8V,10V | 2.7MOHM @ 20A,10V | 3.8V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5750 PF @ 40 V | - | 10W(10W),310W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AOD6B65MQ1E | 0.4499 | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alphaigbt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD6 | 标准 | 96 W | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOD6B65MQ1ETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V,6A,50OHM,15V | 81 ns | - | 650 v | 12 a | 18 a | 2.4V @ 15V,6a | 110µJ(在)上,80µJ(80µJ) | 13.5 NC | 9NS/91NS | |||||||||||||||
![]() | AOCA24106C | 0.9700 | ![]() | 2289 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,没有铅 | AOCA24106 | MOSFET (金属 o化物) | 2.7W(TA) | 6-Alphadfn(1.9x1.6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 12V | 20A(TA) | 5.6MOHM @ 4A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 16nc @ 4.5V | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | AOK065V65X2 | 8.9803 | ![]() | 5855 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK065 | SIC (硅碳化物交界晶体管) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOK065V65X2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 650 v | 40.3A(TC) | 15V | 85mohm @ 10a,15v | 3.5V @ 10mA | 58.8 NC @ 15 V | +15V,-5V | 1762 PF @ 400 V | - | 187.5W(TA) |
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