晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
奥恩斯66609	2.8200	询价	5142	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯666		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	50A（不锈钢）、304A（高温）	8V、10V	1.25毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	126nC@10V	±20V	6350pF@30V	-	6.2W（Ta）、215W（Tc）
AO4474	-	询价	6814	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13.4A（塔）	4.5V、10V	11.5毫欧@13.4A，10V	2.5V@250μA	28nC@10V	±12V	1452pF@15V	-	3.7W（塔）
冠安7444L	-	询价	4666	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	卷带式 (TR)	过时的				怡安744					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
AOD486A	0.7700	询价	8448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD48		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	50A（温度）	4.5V、10V	9.8毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±20V	1920pF@20V	-	2W（Ta）、50W（Tc）
怡安7412	-	询价	5024	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安741		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	10A（Ta）、16A（Tc）	4V、10V	20毫欧@10A、10V	2V@250μA	15nC@10V	±25V	15V时为466pF	-	3.1W（Ta）、20.8W（Tc）
怡安7932	-	询价	4765	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	怡安793		MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（半桥）			30V	6.6A、8.1A		20毫欧@6.6A，10V	2.4V@250μA	6.5nC@10V		460pF@15V	逻辑电平门
AO4826	-	询价	3205	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			60V	-		25毫欧@6.3A，10V	3V@250μA	58nC@10V		2300pF@30V	逻辑电平门
AOW66616	1.3322	询价	6653	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW666		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1822	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	33A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	3.2毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	60nC@10V	±20V	2870pF@30V	-	6.2W（Ta）、125W（Tc）
AOTF25S65L	-	询价	4635	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫25		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF25S65L			1		N沟道		650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	40W
AO3403	0.4700	询价	173	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.6A（塔）	2.5V、10V	115毫欧@2.6A，10V	1.4V@250μA	10V时为7.2nC	±12V	15V时为315pF	-	1.4W（塔）
奥恩斯62814T	1.1110	询价	1693	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯628		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS62814TTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	40A（Ta）、100A（Tc）	6V、10V	2.6毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	100nC@10V	±20V	4940pF@40V	-	8.8W（Ta）、258W（Tc）
AOD504	-	询价	6163	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD50		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		25V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1333pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOD6B65MQ1E	0.4499	询价	3254	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD6	标准		96W	TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD6B65MQ1ETR	EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，6A，50欧姆，15V											81纳秒	-	650伏	12A	18A	2.4V@15V，6A	110μJ（开），80μJ（关）	13.5纳克	9纳秒/91纳秒
AOTF2210L	-	询价	8582	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫22		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		200V	6.5A（Ta）、13A（Tc）	5V、10V	90毫欧@13A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	100V时为2065pF	-	8.3W（Ta）、36.5W（Tc）
美国在线1206	-	询价	9571	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线12		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	16A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	6毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	10V时为23.5nC	±20V	1670pF@15V	-	2.7W（Ta）、62W（Tc）
AOUS66923	0.7071	询价	7572	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-PowerSMD，读写	奥乌斯669		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	16.5A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	35nC@10V	±20V	1725pF@50V	-	6.2W（Ta）、73W（Tc）
冠安6532P	-	询价	5207	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	-	爱安653		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	68A（温度）	10V	4.1毫欧@20A，10V	710mV@1A	17.2nC@10V	±20V	1080pF@15V	-	35.5W（温度）
AO4629	0.4400	询价	243	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO462		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道，共漏极			30V	6A、5.5A		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	逻辑电平门
AOT416_002	-	询价	1033	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的		通孔	TO-220-3	AOT41				TO-220	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50					-
AOD403L	-	询价	6702	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6毫欧@20A，20V	3.5V@250μA	120nC@10V	±25V	5300pF@15V	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
AO4924L	-	询价	5327	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO492		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	-		15.8毫欧@9A，10V	2.4V@250μA	31nC@10V		1885pF@15V	逻辑电平门
AOT10T60L	-	询价	7918	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1635-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	700毫欧@5A，10V	5V@250μA	35nC@10V	±30V	1346pF@100V	-	208W（温度）
AOB282L	2.4019	询价	4074	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB282		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	18.5A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	3.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	178nC@10V	±20V	7765pF@40V	-	2.1W（Ta）、272.5W（Tc）
AOI1R4A70	0.4939	询价	3586	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区1		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1819	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		700伏	3.8A（温度）	10V	1.4欧姆@1A，10V	4.1V@250μA	8nC@10V	±20V	100V时为354pF	-	48W（温度）
AOTF16N50L	-	询价	7304	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫16		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF16N50L			1		N沟道		500V	16A（温度）	10V	370毫欧@8A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W（温度）
AO6424A	-	询价	8237	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO642		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	35mOhm@5A，10V	2.4V@250μA	12nC@10V	±20V	270pF@15V	-	2.5W（塔）
AON7400AL_103	-	询价	9350	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（Ta）、25W（Tc）
冠安7262E	0.9800	询价	19	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	21A（Ta）、34A（Tc）	4.5V、10V	6.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V	±20V	1650pF@30V	-	5W（Ta）、43W（Tc）
奥恩斯66520	3.1300	询价	4347	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯665		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	17A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	9.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	65nC@10V	±20V	3200pF@75V	-	6.2W（Ta）、215W（Tc）
怡安7401	-	询价	2158	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	12A（Ta）、35A（Tc）	6V、10V	14毫欧@9A，10V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（Ta）、29W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²