晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AONR32320	-	询价	2446	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-	-	-	AONR323		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-			12A（温度）	-	-	-		-		-	-
AOB412L	-	询价	6361	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB412		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	8.2A（Ta）、60A（Tc）	7V、10V	15.5毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±25V	50V时为3220pF	-	2.6W（Ta）、150W（Tc）
AO4854L_102	-	询价	2438	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOB2500L	4.1700	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2500		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		150伏	11.5A（Ta）、152A（Tc）	6V、10V	6.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	136nC@10V	±20V	6460pF@75V	-	2.1W（Ta）、375W（Tc）
AOWF10N60	0.8328	询价	3315	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF10		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	25W（温度）
AO3434TS	-	询价	5611	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3434TSTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.2A，10V	1.8V@250μA	10V时为7.2nC	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
AO4442L	-	询价	5512	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		75V	3.1A（塔）	4.5V、10V	130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	3.5nC@4.5V	±25V	350pF@37.5V	-	3.1W（塔）
AOB125A60L	4.3900	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB125		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	28A（温度）	10V	125毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	39nC@10V	±20V	2993pF@100V	-	357W（温度）
AOD452	-	询价	1103	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	55A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	32nC@10V	±20V	12.5V时为1476pF	-	2.5W（Ta）、51.5W（Tc）
冠安6244	-	询价	1269	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	15A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	4.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	64nC@10V	±20V	4610pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOD450A70	0.7509	询价	6931	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD450A70TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		700伏	11A（温度）	10V	450毫欧@2.3A，10V	3.6V@250μA	20nC@10V	±20V	1115pF@100V	-	125W（温度）
AON6973A	-	询价	7940	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安697		MOSFET（金属O化物）	3.6W、4.3W	8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	22A、30A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		1037pF@15V	逻辑电平门
AON7548_101	-	询价	8441	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	14A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOB286L	1.3340	询价	3743	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB286		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	13A（Ta）、70A（Tc）	6V、10V	5.7毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	63nC@10V	±20V	3142pF@40V	-	2.1W（Ta）、167W（Tc）
AOTF2N60L	-	询价	5797	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫2		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11.4nC@10V	±30V	325pF@25V	-	31W（温度）
AOK20B135E1	2.6493	询价	5301	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		250W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1751	EAR99	8541.29.0095	240			600V，20A，15欧姆，15V												-	1350伏	40A	80A	2.3V@15V，20A	800μJ（关闭）	58nC	-/134ns
AOD2908	-	询价	1884年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD290		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	9A（Ta）、52A（Tc）	10V	13.5毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	27nC@10V	±20V	1670pF@50V	-	2.5W（Ta）、75W（Tc）
AO6704	-	询价	7906	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO670		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.6A（塔）	2.5V、10V	65毫欧@3.6A，10V	1.8V@250μA	3.6nC@4.5V	±12V	270pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.39W（塔）
AOTF10T60_001	-	询价	9518	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3全包	奥特夫10				TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000					10A（温度）
AOTF42S60L	6.6400	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF42		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	39A（温度）	10V	99毫欧@21A，10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±30V	100V时为2154pF	-	37.9W（温度）
AOB482L	1.5100	询价	15	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB482		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	11A（Ta）、105A（Tc）	7V、10V	6.9毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	10V时为81nC	±25V	4870pF@40V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
AOK29S50L	3.9899	询价	3529	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK29S50		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1445-5	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		500V	29A（温度）	10V	150mOhm@14.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为26.6nC	±30V	1312pF@100V	-	357W（温度）
AO6409A	0.4600	询价	9557	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	5.5A（塔）	1.8V、4.5V	41毫欧@5.5A，4.5V	900mV@250μA	11nC@4.5V	±8V	905pF@10V	-	2.1W（塔）
AO4840L	-	询价	6569	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	6A（塔）		31mOhm@6A，10V	3V@250μA	8.3nC@10V		404pF@20V	-
AOB5B65M1	1.5100	询价	245	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB5B65	标准		83 W	TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，5A，60欧姆，15V											195纳秒	-	650伏	10A	15A	1.98V@15V，5A	80μJ（开），70μJ（关）	14nC	8.5纳秒/106纳秒
AOK065V65X2	8.9803	询价	5855	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK065		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK065V65X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		650伏	40.3A（温度）	15V	85毫欧@10A，15V	3.5V@10mA	58.8nC@15V	+15V，-5V	1762 pF @ 400 V	-	187.5W（塔）
AOTF16N50	1.0079	询价	3204	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫16		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	16A（温度）	10V	370毫欧@8A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W（温度）
AOB2910L	-	询价	3392	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2910		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	6A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	23.5毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	25nC@10V	±20V	1190pF@50V	-	2.1W（Ta）、50W（Tc）
冠安6266E	0.6000	询价	5824	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	24A（温度）	4.5V、10V	13.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10nC@4.5V	±20V	755pF@30V	-	26W（温度）
AO3406L_104	-	询价	5804	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					3.6A（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²