晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AOTF25S65L	-	询价	4635	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫25	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF25S65L			1		N沟道	650伏	25A（温度）	10V	190毫欧@12.5A，10V	4V@250μA	10V时为26.4nC	±30V	100V时为1278pF	-	40W
AO4826	-	询价	3205	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		60V	-		25毫欧@6.3A，10V	3V@250μA	58nC@10V		2300pF@30V	逻辑电平门
怡安7932	-	询价	4765	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	怡安793	MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（半桥）		30V	6.6A、8.1A		20毫欧@6.6A，10V	2.4V@250μA	6.5nC@10V		460pF@15V	逻辑电平门
怡安7412	-	询价	5024	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安741	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	10A（Ta）、16A（Tc）	4V、10V	20毫欧@10A、10V	2V@250μA	15nC@10V	±25V	15V时为466pF	-	3.1W（Ta）、20.8W（Tc）
AON7246_101	-	询价	6140	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	34.5A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	11nC@4.5V	±20V	1610pF@30V	-	34.7W（温度）
AOT66919L	0.9678	询价	5555	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT66919	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT66919LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100伏	25A（不锈钢）、105A（高温）	4.5V、10V	6.8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	10W（Ta）、187W（Tc）
奥恩斯66450	-	询价	3041	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-			奥恩斯664	-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS66450TR	过时的		3,000		-		-	-	-	-		-		-	-
AOI2210	-	询价	8732	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区22	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	200V	3A（Ta）、18A（Tc）	5V、10V	105毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	100V时为2065pF	-	2.5W（Ta）、100W（Tc）
AOD518_050	-	询价	4644	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	15A（Ta）、54A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOB125A60L	4.3900	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB125	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	600伏	28A（温度）	10V	125毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	39nC@10V	±20V	2993pF@100V	-	357W（温度）
AOD452	-	询价	1103	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	55A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	32nC@10V	±20V	12.5V时为1476pF	-	2.5W（Ta）、51.5W（Tc）
冠安6244	-	询价	1269	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	AON62	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	15A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	4.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	64nC@10V	±20V	4610pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOD450A70	0.7509	询价	6931	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD450A70TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	700伏	11A（温度）	10V	450毫欧@2.3A，10V	3.6V@250μA	20nC@10V	±20V	1115pF@100V	-	125W（温度）
奥恩斯660A70F	0.8051	询价	6695	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	奥恩斯660	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	700伏	1.7A（Ta）、9.6A（Tc）	10V	660毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	900 pF @ 100 V	-	4.1W（Ta）、138W（Tc）
AOW360A70	1.0612	询价	3199	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW360	MOSFET（金属O化物）		TO-262	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOW360A70	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	700伏	12A（温度）	10V	360mOhm@6A，10V	4V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	1360pF@100V	-	156W（温度）
AO6402A_201	-	询价	2532	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	7.5A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@7.5A，10V	2.6V@250μA	11nC@10V	±20V	448pF@15V	-	2W（塔）
AO5600EL	-	询价	8416	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	AO5600	MOSFET（金属O化物）	380毫W	SC-89-6	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道互补		20V	600毫安、500毫安		650mOhm @ 500mA，4.5V	1V@250μA	1nC@4.5V		45pF@10V	-
AOU4S60	0.7144	询价	7000	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU4	MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	600伏	4A（温度）	10V	900毫欧@2A，10V	4.1V@250μA	6nC@10V	±30V	100V时为263pF	-	56.8W（温度）
AO4441L	-	询价	3702	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	4A（塔）	4.5V、10V	100mOhm@4A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±20V	1120pF@30V	-	3.1W（塔）
AOTF12N50_007	-	询价	9262	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫12	MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		-	-	-	-		-		-	-
AO4485L_102	-	询价	6139	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	40V	10A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	55nC@10V	±20V	3000pF@20V	-	1.7W（塔）
AOD456	-	询价	1390	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	25V	50A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@30A，10V	3V@250μA	38nC@10V	±20V	2220pF@12.5V	-	3W（Ta）、50W（Tc）
AO4803A	0.7000	询价	46	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4803	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	5A		46mOhm@5A，10V	2.5V@250μA	11nC@10V		520pF@15V	逻辑电平门
AO6800L_003	-	询价	2169	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO680	MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	3.4A		60毫欧@3.4A，10V	1.5V@250μA	10nC@10V		235pF@15V	逻辑电平门
AOSP21357	1.2300	询价	6826	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP213	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	16A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@16A，10V	2.3V@250μA	70nC@10V	±25V	15V时为2830pF	-	3.1W（塔）
AOTF10N62	-	询价	5940	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				奥特夫10				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF10N62TR	过时的		1,000				-
AOT462_001	-	询价	2902	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3	AOT46			TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				70A（温度）
AOT12N65	-	询价	9448	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特12	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	650伏	12A（温度）	10V	720毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	48nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	278W（温度）
AO3494	-	询价	8066	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3494TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	3A（塔）	1.8V、4.5V	62毫欧@3A，4.5V	1V@250μA	10nC@4.5V	±8V	260pF@10V	-	1.4W（塔）
AOTF260L	1.6993	询价	1892年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫260	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	60V	19A（Ta）、92A（Tc）	6V、10V	2.6毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	210nC@10V	±20V	11800pF@30V	-	1.9W（Ta）、46.5W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²