晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
奥恩斯66402	0.7174	询价	5671	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯664		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	Q12456119B	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	49A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.6毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	105nC@10V	±20V	5570pF@20V	-	6.2W（Ta）、119W（Tc）
AOB440	-	询价	7488	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB44		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		60V	75A（温度）	10V	7.5毫欧@30A，10V	4V@250μA	88nC@10V	±20V	4560pF@30V	-	150W（温度）
AOT7N65	0.6127	询价	5091	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特7		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	7A（温度）	10V	1.56欧姆@3.5A，10V	4.5V@250μA	23nC@10V	±30V	1060pF@25V	-	192W（温度）
怡安6400	-	询价	5465	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安640		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	31A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	170nC@10V	±20V	15V时为8300pF	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOB470L	1.0437	询价	7037	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB470		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	10A（Ta）、100A（Tc）	10V	10.2毫欧@30A，10V	4V@250μA	136nC@10V	±25V	5640pF@30V	-	2.1W（Ta）、268W（Tc）
AO8830	-	询价	9936	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO883		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			20V	-		27毫欧@6A，10V	1V@1mA	5.2nC@4.5V		290pF@10V	逻辑电平门
怡安6500	1.7200	询价	16	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安650		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	71A（Ta）、200A（Tc）	4.5V、10V	0.95毫欧@20A，10V	2V@250μA	145nC@10V	±20V	7036pF@15V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）
怡安4421	0.2360	询价	5493	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@8A，10V	1.8V@250μA	21nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	2.5W（塔）
奥安6362	0.2588	询价	9691	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON63		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	27A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	13nC@10V	±20V	15V时为820pF	-	6.2W（Ta）、31W（Tc）
AO4724	-	询价	2228	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	7.7A（塔）	4.5V、10V	17.5毫欧@10.5A，10V	2V@250μA	16nC@10V	±20V	900pF@15V	肖特基分化（体）	1.7W（塔）
AO6604	0.5200	询价	103	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO660		MOSFET（金属O化物）	1.1W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道互补			20V	3.4A、2.5A		65毫欧@3.4A，4.5V	1V@250μA	3.8nC@4.5V		320pF@10V	逻辑电平门，4.5V驱动
AOTF9N90	1.3154	询价	5988	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF9		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	9A（温度）	10V	1.3欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	58nC@10V	±30V	25V时为2560pF	-	50W（温度）
AO4407L	-	询价	7317	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	12A（塔）	5V、20V	14毫欧@10A，10V	3V@250μA	45nC@10V	±25V	2500pF@15V	-	3.1W（塔）
怡安7410	0.4300	询价	第338章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安741		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	9.5A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	660pF@15V	-	3.1W（Ta）、20W（Tc）
AOC4810	-	询价	6722	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-XFLGA 裸露焊盘	AOC481		MOSFET（金属O化物）	900毫W	8-AlphaDFN (3.2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极			-	-		-	-	20nC@10V		1130pF@15V	逻辑电平门
怡安6998	0.4748	询价	9847	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安699		MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	19A、26A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	13nC@10V		820pF@15V	-
AOK20B120E2	2.7846	询价	9007	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		250W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			600V，20A，15欧姆，15V												-	1200伏	40A	80A	2.2V@15V，20A	820μJ（关闭）	53.5nC	-/123ns
AOK40B65HQ3	2.0160	询价	3359	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		312W	TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK40B65HQ3	EAR99	8541.29.0095	240			400V，40A，7.5欧姆，15V											106纳秒	-	650伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	1.19mJ（开），380μJ（关）	61nC	31纳秒/110纳秒
AO4354	0.7600	询价	167	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO43		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	49nC@10V	±20V	2010pF@15V	-	3.1W（塔）
AO4821	-	询价	8938	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			12V	9A		19毫欧@9A，4.5V	850mV@250μA	23nC@4.5V		2100pF@6V	逻辑电平门
AOD5N50_001	-	询价	9851	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-			REACH 不出行	785-AOD5N50_001			1		N沟道		500V	5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	14nC@10V	±30V	670pF@25V	-	104W（温度）
AOI4TL60	-	询价	7336	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的				兴趣区4					-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	70					-
AOB292L	1.9487	询价	8164	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB292		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	14.5A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	4.1毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	126nC@10V	±20V	50V时为6775pF	-	2.1W（Ta）、300W（Tc）
AOT29S50L	2.4696	询价	4878	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT29		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1440-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	29A（温度）	10V	150mOhm@14.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为26.6nC	±30V	1312pF@100V	-	357W（温度）
AO9926BL_101	-	询价	6790	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO9926		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	7.6A		23毫欧@7.6A，10V	1.1V@250μA	12.5nC@10V		630pF@15V	-
AOI518_001	-	询价	9563	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	AOI51		MOSFET（金属O化物）		-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
冠安6234	0.4851	询价	2637	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	20A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	41nC@10V	±20V	2805pF@20V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
怡安6782	-	询价	6395	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	24A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2V@250μA	51nC@10V	±12V	6780pF@15V	肖特基分化（体）	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AOSS62934	0.4500	询价	第596章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS629		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100V	2A（塔）	4.5V、10V	140毫欧@2A，10V	2.7V@250μA	3.8nC@10V	±20V	250pF@50V	-	1.4W（塔）
AOD3N40	0.2725	询价	7779	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	2.6A（温度）	10V	3.1欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	5.1nC@10V	±30V	225pF@25V	-	50W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²