晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOB270AL	-	询价	2690	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB270		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		75V	21.5A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.4毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	206nC@10V	±20V	10830pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、500W（Tc）
AOTF42S60	-	询价	3088	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF42		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF42S60			1		N沟道		600伏	39A	10V	99毫欧@21A，10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±30V	100V时为2154pF	-	50W
AOD421	-	询价	7900	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD42		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		20V	12.5A（塔）	2.5V、4.5V	75毫欧@12.5A，10V	1.4V@250μA	4.5V时为4.6nC	±12V	620pF@10V	-	2W（Ta）、18.8W（Tc）
AON6266_101	-	询价	2324	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	30A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1340pF@30V	-	38W（温度）
奥卡72104E	0.3699	询价	3299	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡72104		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (2.98x1.49)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA72104ETR	EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道（双）共漏极			12V	30A（塔）		2.6毫欧@5A，4.5V	1.3V@250μA	45nC@4.5V		-	标准
AO3415AL_103	-	询价	2803	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					5A（塔）
怡安7566	0.2155	询价	9727	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	34A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	80nC@10V	±20V	15V时为3020pF	-	30W（温度）
怡安7934	0.4004	询价	2817	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-WDFN 裸露焊盘	怡安793		MOSFET（金属O化物）	2.5W	8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（半桥）			30V	13A、15A		10.2毫欧@13A，10V	2.2V@250μA	11nC@10V		485pF@15V	逻辑电平门
AOK40B120P1	5.8291	询价	4006	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		600W	TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK40B120P1	EAR99	8541.29.0095	240			600V，40A，7.5欧姆，15V												-	1200伏	80A	160A	2.3V@15V，40A	2.5mJ（开），1.3mJ（关）	202nC	53纳秒/210纳秒
AO4437L	-	询价	7629	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		12V	11A（塔）	1.8V、4.5V	16毫欧@11A，4.5V	1V@250μA	47nC@4.5V	±8V	4750pF@6V	-	3W（塔）
AOWF10N65	0.7871	询价	5517	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF10		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	10A（温度）	10V	1欧姆@5A，10V	4.5V@250μA	33nC@10V	±30V	1645pF@25V	-	25W（温度）
AOK40B65H1	4.2500	询价	57	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		300W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1754	EAR99	8541.29.0095	240			400V，40A，7.5欧姆，15V											346纳秒	-	650伏	80A	120A	2.4V@15V，40A	1.27mJ（开），460μJ（关）	63nC	41纳秒/130纳秒
美国在线1428A	-	询价	6428	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	12.4A（Ta）、49A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@12.4A，10V	2.6V@250μA	22nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	2.1W（Ta）、93W（Tc）
AOI450A70	0.7509	询价	7087	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI450		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOI450A70	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		700伏	11A（温度）	10V	450毫欧@2.3A，10V	3.6V@250μA	20nC@10V	±20V	1115pF@100V	-	125W（温度）
AON6424A	-	询价	3978	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	怡安642		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	11A（Ta）、41A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@20A，10V	1.7V@250μA	32nC@10V	±12V	1900pF@15V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
AOD403_030	-	询价	2626	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6.2毫欧@20A，20V	3.5V@250μA	61nC@10V	±25V	3500pF@15V	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
AONR32320	-	询价	2446	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-	-	-	AONR323		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-			12A（温度）	-	-	-		-		-	-
AOB412L	-	询价	6361	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB412		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	8.2A（Ta）、60A（Tc）	7V、10V	15.5毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±25V	50V时为3220pF	-	2.6W（Ta）、150W（Tc）
AO4854L_102	-	询价	2438	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOB2500L	4.1700	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2500		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		150伏	11.5A（Ta）、152A（Tc）	6V、10V	6.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	136nC@10V	±20V	6460pF@75V	-	2.1W（Ta）、375W（Tc）
AOWF10N60	0.8328	询价	3315	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF10		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	25W（温度）
AO3434TS	-	询价	5611	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3434TSTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.2A，10V	1.8V@250μA	10V时为7.2nC	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
AO4442L	-	询价	5512	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		75V	3.1A（塔）	4.5V、10V	130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	3.5nC@4.5V	±25V	350pF@37.5V	-	3.1W（塔）
AOB125A60L	4.3900	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB125		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	28A（温度）	10V	125毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	39nC@10V	±20V	2993pF@100V	-	357W（温度）
AOD452	-	询价	1103	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	55A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@30A，10V	3V@250μA	32nC@10V	±20V	12.5V时为1476pF	-	2.5W（Ta）、51.5W（Tc）
冠安6244	-	询价	1269	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	15A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	4.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	64nC@10V	±20V	4610pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOD450A70	0.7509	询价	6931	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD450A70TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		700伏	11A（温度）	10V	450毫欧@2.3A，10V	3.6V@250μA	20nC@10V	±20V	1115pF@100V	-	125W（温度）
AON6973A	-	询价	7940	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安697		MOSFET（金属O化物）	3.6W、4.3W	8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	22A、30A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		1037pF@15V	逻辑电平门
AON7548_101	-	询价	8441	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	14A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOB286L	1.3340	询价	3743	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB286		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	13A（Ta）、70A（Tc）	6V、10V	5.7毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	63nC@10V	±20V	3142pF@40V	-	2.1W（Ta）、167W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²