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![]() | AON4420 | - | ![]() | 6501 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | aon44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN (3x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 660 pf @ 15 V | - | 1.6W(TA) | |||
![]() | AON4605 | - | ![]() | 1857年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON460 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.3a,3.4a | 50mohm @ 4.3a,10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
AON6454A | - | ![]() | 4923 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON645 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 31a(TC) | 7V,10V | 38mohm @ 20a,10v | 4.6V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2055 PF @ 75 V | - | 2.3W(TA),83W(tc) | |||||
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AON6534 | - | ![]() | 5025 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON653 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 20A(20A),30a (TC) | 4.5V,10V | 8mohm @ 20a,10v | 2.6V @ 250µA | 22.5 NC @ 10 V | ±20V | 951 PF @ 15 V | - | 4.1W(TA),25W(TC) | |||||
AON6780 | - | ![]() | 7560 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(30a),85A(tc) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±12V | 9600 PF @ 15 V | ((() | 2.5W(ta),83W(tc) | |||||
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![]() | AON6884 | 0.5410 | ![]() | 5667 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON688 | MOSFET (金属 o化物) | 1.6W | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 40V | 9a | 11.3mohm @ 10a,10v | 2.7V @ 250µA | 33nc @ 10V | 1950pf @ 20V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | AON6908A | - | ![]() | 7528 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON6908 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W,2.1W | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 11.5a,17a | 8.9mohm @ 11.5a,10v | 2.4V @ 250µA | 15nc @ 10V | 1110pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | AON7220 | - | ![]() | 8343 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | aon72 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 37A(TA),50A (TC) | 4.5V,10V | 3mohm @ 20a,10v | 1.8V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ±12V | 3554 PF @ 12.5 V | - | 6.2W(ta),83W(tc) | ||||
![]() | AON7412 | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON741 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 10A(10A),16a (TC) | 4V,10V | 20mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±25V | 466 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA),20.8W(tc) | ||||
![]() | AON7424 | - | ![]() | 6644 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON742 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 18A(18A),40A (TC) | 4.5V,10V | 5.2MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3450 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA),36W(TC) | ||||
![]() | AON7426 | - | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON742 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 18A(18A),40A (TC) | 4.5V,10V | 5.5MOHM @ 18A,10V | 2.35V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±20V | 2120 PF @ 15 V | - | 3.1W(ta),29W(tc) | ||||
![]() | AON7446 | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON744 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 60 V | 3.3A(3),8a tc(8a tc) | 7V,10V | 145MOHM @ 3A,10V | 3.3V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 V | ±20V | 285 pf @ 30 V | - | 3.1W(TA),16.7W(tc) | |||
![]() | AON7820 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON782 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | - | - | 1V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 2065pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | AON7902 | - | ![]() | 2400 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON790 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 8a,13a | 21mohm @ 8a,10v | 2.3V @ 250µA | 11NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | AOT10N65 | 0.7673 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 10A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1645 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||
![]() | AOT11S65L | 1.2424 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 399MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 13.2 NC @ 10 V | ±30V | 646 pf @ 100 V | - | 198W(TC) | |||
![]() | AOT12N65 | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 720MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 2150 pf @ 25 V | - | 278W(TC) | |||
![]() | AOT13N50 | 0.8770 | ![]() | 3075 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 13A(TC) | 10V | 510MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 1633 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||
![]() | AOT14N50FD | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 470MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±30V | 2010 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | |||
![]() | AOT20N60L | 1.5073 | ![]() | 6880 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 370MOHM @ 10a,10v | 4.5V @ 250µA | 74 NC @ 10 V | ±30V | 3680 pf @ 25 V | - | 417W(TC) | |||
![]() | AOT470 | 0.7371 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT47 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 75 v | 10a(10A),100A(tc) | 10V | 10.5MOHM @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 136 NC @ 10 V | ±25V | 5640 pf @ 30 V | - | 2.1W(268W)(268W)TC) | |||
![]() | AOT500 | - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 33 V | 80A(TC) | 10V | 5.3MOHM @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | - | 5500 PF @ 15 V | - | 115W(TC) | |||
![]() | AOT7S65L | 2.0500 | ![]() | 373 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT7S65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 650MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 V | ±30V | 434 PF @ 100 V | - | 104W(TC) | |||
![]() | AOTF10N65 | 0.7673 | ![]() | 1428 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 10A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1645 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF12N65 | 0.9653 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 720MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 2150 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF14N50 | 0.9211 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF16N50 | 1.0079 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF16 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 370MOHM @ 8A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 50W(TC) |
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