晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AO4886	0.7000	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO488	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	3.3A		80毫欧@3A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V		942pF@50V	逻辑电平门
怡安7468	-	询价	9154	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				怡安746				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AON7468TR	过时的		5,000				-
AON6590_001	-	询价	2034	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安659	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AON6590_001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	67A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	0.99毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	100nC@10V	±20V	8320pF@20V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AON6448L_001	-	询价	6343	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安644	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	11A（Ta）、65A（Tc）	7V、10V	9.6毫欧@10A、10V	3.7V@250μA	53nC@10V	±25V	3100pF@40V	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AO8810	0.3091	询价	8234	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881	MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极		20V	7A		20毫欧@7A，4.5V	1.1V@250μA	14nC@4.5V		1295pF@10V	逻辑电平门
奥特夫409	0.5450	询价	4312	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫40	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	60V	5.4A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2953pF@30V	-	2.16W（Ta）、43W（Tc）
AO4842	0.6200	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	-		22毫欧@7.5A，10V	2.6V@250μA	11nC@10V		448pF@15V	逻辑电平门
AOD607A	0.4263	询价	8683	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	AOD60	MOSFET（金属O化物）	19W（工作温度）、30W（工作温度）	TO-252-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道互补		30V	8A（温度）、12A（温度）		25mOhm @ 8A、10V、27mOhm @ 12A、10V	2.6V@250μA，2.4V@250μA	7nC@4.5V，12nC@4.5V		15V时为395pF，15V时为730pF	-
AOD4120L	-	询价	2657	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	20V	25A（温度）	2.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2V@250μA	18nC@10V	±16V	900pF@10V	-	2.5W（Ta）、33W（Tc）
AO4852L	-	询价	1024	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485	MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		60V	3A		90毫欧@3A，10V	2.6V@250μA	9.2nC@10V		450pF@30V	逻辑电平门
AOTF12N50_008	-	询价	1303	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF12N50_008			1		N沟道	500V	12A（温度）	10V	520毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1633pF@25V	-	50W（温度）
AOU7S65	-	询价	1718	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU7	MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道	600伏	7A（温度）	10V	650毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	9.2nC@10V	±30V	100V时为434pF	-	89W（温度）
AO3403L_102	-	询价	5925	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	2.6A（塔）	2.5V、10V	130毫欧@2.6A，10V	1.4V@250μA	5.3nC@4.5V	±12V	500pF@15V	-	1.4W（塔）
AOW14N50	0.9653	询价	3401	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW14	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	14A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
美国在线1414	-	询价	1815	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	14A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2V@250μA	24nC@4.5V	±12V	15V时为2520pF	-	2.08W（Ta）、100W（Tc）
AO4822AL	-	询价	5265	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AO6409_台达	-	询价	4848	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO640				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				5.5A（塔）
AOTS26108	0.1820	询价	4627	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	奥特斯261	MOSFET（金属O化物）	1.25W（塔）	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOTS26108TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道互补		30V、20V	3.8A（塔）、4.5A（塔）		50mOhm@3.8A、10V、44mOhm@4.5A、4.5V	1.5V@250μA，950mV@250μA	16nC@10V，17nC@4.5V		15V时为340pF，10V时为930pF	标准
AO4448	-	询价	4223	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行	Q10279032	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	10A（塔）	7V、10V	16毫欧@10A，10V	4.2V@250μA	34nC@10V	±25V	2005pF@40V	-	3.1W（塔）
AO3415AL_103	-	询价	2803	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				5A（塔）
AOW11S60	1.1876	询价	1941年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW11	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	399毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	178W（温度）
奥卡72104E	0.3699	询价	3299	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡72104	MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (2.98x1.49)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA72104ETR	EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道（双）共漏极		12V	30A（塔）		2.6毫欧@5A，4.5V	1.3V@250μA	45nC@4.5V		-	标准
AON7804_102	-	询价	2939	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安780	MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	9A		21毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AON6266_101	-	询价	2324	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON62	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	30A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	15nC@4.5V	±20V	1340pF@30V	-	38W（温度）
AOT10N60L	-	询价	第1452章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	250W（温度）
AO4292E	0.3624	询价	9751	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42			8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000				8A（塔）
AOTF42S60	-	询价	3088	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF42	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF42S60			1		N沟道	600伏	39A	10V	99毫欧@21A，10V	3.8V@250μA	40nC@10V	±30V	100V时为2154pF	-	50W
奥安6444	-	询价	2741	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安644	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	14A（Ta）、81A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	96nC@10V	±20V	5800pF@30V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AOD512	-	询价	3325	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	27A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2V@250μA	64nC@10V	±20V	15V时为3430pF	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AOI444	0.2619	询价	5197	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI44	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	60V	4A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	60毫欧@12A，10V	3V@250μA	10nC@10V	±20V	540pF@30V	-	2.1W（Ta）、20W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²