晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AO6414	-	询价	1933年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO641		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		55V	2.3A（塔）	2.5V、4.5V	160毫欧@2.4A，4.5V	2V@250μA	3.3nC@4.5V	±12V	300pF@25V	-	1.56W（塔）
AOT160A60L	1.5964	询价	5710	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT160		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT160A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3.6V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	250W（温度）
AO3409L	-	询价	1920年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.6A（塔）	4.5V、10V	130毫欧@2.6A，10V	3V@250μA	9nC@10V	±20V	15V时为370pF	-	1.4W（塔）
怡安5816	0.2977	询价	2112	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WFDFN 裸露焊盘	怡安581		MOSFET（金属O化物）	1.7W	6-DFN-EP (2x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）共漏极			20V	12A（塔）		6.5毫欧@12A，4.5V	1.3V@250μA	35nC@4.5V		2170pF@10V	-
AOTF380A60L	3.2400	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫380		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1804	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	380毫欧@5.5A，10V	3.8V@250μA	20nC@10V	±20V	955pF@100V	-	27W（温度）
奥恩克斯36324	0.6417	询价	8264	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	奥恩克斯363		MOSFET（金属O化物）	3.5W（Ta）、24W（Tc）、3.5W（Ta）、39W（Tc）	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONX36324TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	21A（Ta）、55A（Tc）、32A（Ta）、85A（Tc）		4.95毫欧@20A，10V，1.95毫欧@20A，10V	2.2V@250μA，2.1V@250μA	25nC@10V，50nC@10V		1145pF@15V，2265pF@15V	标准
AO7401L	-	询价	9819	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AO740		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	1.2A（塔）	2.5V、10V	150mOhm@1.2A，10V	1.4V@250μA	5.06nC@4.5V	±12V	409pF@15V	-	350毫W（塔）
奥特夫404	-	询价	2745	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫40		MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		105V	5.8A（Ta）、26A（Tc）	6V、10V	28毫欧@20A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±25V	2445pF@25V	-	2.2W（Ta）、43W（Tc）
AO4425	1.2100	询价	104	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		38V	14A（塔）	10V、20V	10毫欧@14A，20V	3.5V@250μA	63nC@10V	±25V	3800pF@20V	-	3.1W（塔）
AOK75B65H1	3.7749	询价	4605	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK75	标准		556 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			400V，75A，4欧姆，15V											295纳秒	-	650伏	150A	第225章	2.4V@15V，75A	3.77mJ（开），2.04mJ（关）	109nC	47纳秒/175纳秒
奥恩斯62530	0.5696	询价	第1649章	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯625		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS62530TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	6.2A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	58毫欧@5A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	675pF@75V	-	5W（Ta）、48W（Tc）
AOK60B60D1	4.3397	询价	9742	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK60	标准		417 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1625-5	EAR99	8541.29.0095	240			400V，60A，5欧姆，15V											137纳秒	-	600伏	120A	210A	2.4V@15V，60A	3.1mJ（开），730μJ（关）	75℃	32纳秒/74纳秒
奥卡32108E	0.8700	询价	第1639章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡32108		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.01x1.52)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道（双）共漏极			12V	25A（塔）		3.8毫欧@5A，4.5V	1.1V@250μA	32nC@4.5V		-	-
AO7400	0.4000	询价	第422章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AO740		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	1.7A（塔）	2.5V、10V	85毫欧@1.5A，10V	1.4V@250μA	4.82nC@4.5V	±12V	15V时为390pF	-	350毫W（塔）
怡安6528	-	询价	2352	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安652		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	30A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V	±20V	1037pF@15V	-	25W（温度）
怡安6992	1.1800	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安699		MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	19A、31A		5.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	13nC@10V		820pF@15V	逻辑电平门
AOW15S60	1.3703	询价	8953	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW15		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	3.8V@250μA	15.6nC@10V	±30V	100V时为717pF	-	208W（温度）
AO4498	0.2634	询价	1800	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（温度）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	10V时为44.5nC	±20V	2300pF@15V	-	3.1W（塔）
AOB412L	-	询价	6361	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB412		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	8.2A（Ta）、60A（Tc）	7V、10V	15.5毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±25V	50V时为3220pF	-	2.6W（Ta）、150W（Tc）
AO4854L_102	-	询价	2438	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOK065V65X2	8.9803	询价	5855	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK065		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK065V65X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		650伏	40.3A（温度）	15V	85毫欧@10A，15V	3.5V@10mA	58.8nC@15V	+15V，-5V	1762 pF @ 400 V	-	187.5W（塔）
AOB2500L	4.1700	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB2500		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		150伏	11.5A（Ta）、152A（Tc）	6V、10V	6.2毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	136nC@10V	±20V	6460pF@75V	-	2.1W（Ta）、375W（Tc）
AO3434TS	-	询价	5611	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3434TSTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.2A，10V	1.8V@250μA	10V时为7.2nC	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
AONR32320	-	询价	2446	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-	-	-	AONR323		-		-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		-			12A（温度）	-	-	-		-		-	-
AOD403_030	-	询价	2626	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6.2毫欧@20A，20V	3.5V@250μA	61nC@10V	±25V	3500pF@15V	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
AOWF10N60	0.8328	询价	3315	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF10		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	25W（温度）
AOD474A	-	询价	8433	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD47		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		75V	2.5A（Ta）、10A（Tc）	4.5V、10V	130mOhm@5A，10V	1.6V@250μA	9nC@10V	±16V	280pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、28.5W（Tc）
AO6701	-	询价	9929	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO670		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.3A（塔）	2.5V、10V	135毫欧@2.3A，10V	1.4V@250μA	4.9nC@4.5V	±12V	409pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.15W（塔）
AO4850L	-	询价	7413	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			75V	2.3A		130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	7nC@10V		380pF@30V	逻辑电平门
AO8814#A	-	询价	2517	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）共漏极			20V	-		16毫欧@7.5A，10V	1V@250μA	15.4nC@4.5V		1390pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²