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![]() | AON6850 | 0.8165 | ![]() | 7098 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON685 | MOSFET (金属 o化物) | 1.7W | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 100V | 5a | 35mohm @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 29nc @ 10V | 1840pf @ 50V | - | |||||
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![]() | AON7412 | - | ![]() | 5024 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON741 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 10A(10A),16a (TC) | 4V,10V | 20mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±25V | 466 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA),20.8W(tc) | ||||
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![]() | AON7446 | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON744 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 60 V | 3.3A(3),8a tc(8a tc) | 7V,10V | 145MOHM @ 3A,10V | 3.3V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 V | ±20V | 285 pf @ 30 V | - | 3.1W(TA),16.7W(tc) | |||
![]() | AON7820 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON782 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | - | - | 1V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 2065pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | AON7902 | - | ![]() | 2400 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON790 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 8a,13a | 21mohm @ 8a,10v | 2.3V @ 250µA | 11NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | AOT10N65 | 0.7673 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 10A(TC) | 10V | 1欧姆 @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1645 PF @ 25 V | - | 250W(TC) | |||
![]() | AOT11S65L | 1.2424 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 11A(TC) | 10V | 399MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 13.2 NC @ 10 V | ±30V | 646 pf @ 100 V | - | 198W(TC) | |||
![]() | AOT12N65 | - | ![]() | 9448 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 720MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 2150 pf @ 25 V | - | 278W(TC) | |||
![]() | AOT14N50FD | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 470MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 47 NC @ 10 V | ±30V | 2010 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | |||
![]() | AOT470 | 0.7371 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT47 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 75 v | 10a(10A),100A(tc) | 10V | 10.5MOHM @ 30a,10v | 4V @ 250µA | 136 NC @ 10 V | ±25V | 5640 pf @ 30 V | - | 2.1W(268W)(268W)TC) | |||
![]() | AOTF12N65 | 0.9653 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 12A(TC) | 10V | 720MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 2150 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF14N50 | 0.9211 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF16N50 | 1.0079 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF16 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 370MOHM @ 8A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF20S60L | 3.2400 | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 4.1V @ 250µA | 19.8 NC @ 10 V | ±30V | 1038 PF @ 100 V | - | 37.8W(TC) | |||
![]() | AOTF25S65 | 2.0360 | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF25 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 25A(TC) | 10V | 190mohm @ 12.5a,10v | 4V @ 250µA | 26.4 NC @ 10 V | ±30V | 1278 PF @ 100 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF4126 | 0.6395 | ![]() | 2999 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 6A(6A),27a (TC) | 7V,10V | 24mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±25V | 2200 PF @ 50 V | - | 2.1W(ta),42W(tc) | |||
![]() | AOTF404 | - | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 105 v | 5.8A(TA),26a (TC) | 6V,10V | 28mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±25V | 2445 PF @ 25 V | - | 2.2W(TA),43W(tc) | |||
![]() | AOTF409 | 0.5450 | ![]() | 4312 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 60 V | 5.4A(TA),24a (TC) | 4.5V,10V | 40mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 2953 PF @ 30 V | - | 2.16W(ta),43W(tc) | |||
![]() | AOTF4185 | 0.5103 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 40 V | 34A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2550 pf @ 20 V | - | 33W(TC) | |||
![]() | AOTF472 | - | ![]() | 7580 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF47 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 75 v | 10a(10A),53A(tc) | 10V | 8.9MOHM @ 30a,10v | 3.9V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±20V | 4500 pf @ 30 V | - | 1.9W(TA),57.5W(tc) | ||||
![]() | AOTF5N50 | 0.4536 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±30V | 620 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||
![]() | AOTF7S65 | 0.8694 | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 650MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 V | ±30V | 434 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | |||
![]() | AOTF8N65 | 0.6804 | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 8A(TC) | 10V | 1.15OHM @ 4A,10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||
![]() | AOTF9N70 | 0.7450 | ![]() | 5599 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 9A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1630 PF @ 25 V | - | 50W(TC) |
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