晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
奥恩斯66450	-	询价	3041	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-			奥恩斯664		-			-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS66450TR	过时的		3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
怡安7404	0.9000	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		20V	20A（Ta）、40A（Tc）	2.5V、4.5V	6毫欧@20A，4.5V	1.6V@250μA	43nC@10V	±12V	4630pF@10V	-	3.1W（Ta）、40W（Tc）
AOC2802_001	-	询价	2880	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-UFBGA、WLCSP	AOC280		MOSFET（金属O化物）	1.3W	4-WLCSP (1.57x1.57)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极			20V	6A		35mOhm@3A，4.5V	1.5V@250μA	10.4nC@4.5V		1200pF@10V	-
AOT66919L	0.9678	询价	5555	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT66919		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT66919LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	25A（不锈钢）、105A（高温）	4.5V、10V	6.8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	10W（Ta）、187W（Tc）
AOTF14N50	0.9211	询价	第1376章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫14		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	14A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	50W（温度）
AO6405	0.4800	询价	60	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	5A（塔）	4.5V、10V	52mOhm@5A，10V	3V@250μA	18nC@10V	±20V	15V时为840pF	-	2W（塔）
奥恩斯66521	3.0400	询价	7280	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯665		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		150伏	16A（Ta）、100A（Tc）	8V、10V	9.8毫欧@20A，10V	4.5V@250μA	45nC@10V	±20V	2600pF@75V	-	6.2W（Ta）、215W（Tc）
AO8804L	-	询价	7218	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO880		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）共漏极			20V	-		13毫欧@8A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AOTF10T60PL	-	询价	第1739章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1651-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	700毫欧@5A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1595pF@100V	-	33W（温度）
AOK20B60D1	2.0924	询价	4477	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		167 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			400V，20A，15欧姆，15V											107纳秒	-	600伏	40A	74A	2.4V@15V，20A	760μJ（开），180μJ（关）	24.6nC	20纳秒/66纳秒
美国在线1404	-	询价	7825	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	18A（Ta）、45A（Tc）	2.5V、4.5V	4毫欧@20A，4.5V	1.6V@250μA	43nC@10V	±12V	4630pF@10V	-	2.1W（Ta）、60W（Tc）
AOB66920L	2.4100	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB66920		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	22.5A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	8.3W（Ta）、100W（Tc）
AOI2210	-	询价	8732	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区22		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		200V	3A（Ta）、18A（Tc）	5V、10V	105毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	100V时为2065pF	-	2.5W（Ta）、100W（Tc）
AOD516_050	-	询价	6558	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	33nC@10V	±20V	1229pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOT10T60PL	-	询价	6642	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	700毫欧@5A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1595pF@100V	-	208W（温度）
AON6912ALS	-	询价	8709	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的				怡安6912					-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
AOW418	-	询价	3483	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW41		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	9.5A（Ta）、105A（Tc）	7V、10V	10毫欧@20A，10V	3.9V@250μA	83nC@10V	±25V	5200pF@50V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
怡安6884L	-	询价	6534	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安688		MOSFET（金属O化物）	21W	8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	34A（温度）		11.3毫欧@10A、10V	2.7V@250μA	16nC@4.5V		1950pF@20V	-
怡安6508	-	询价	8914	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安650		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	29A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	3.2毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	49nC@10V	±20V	2010pF@15V	-	4.2W（Ta）、41W（Tc）
冠安6932A	0.5439	询价	7661	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AON693		MOSFET（金属O化物）	3.6W、4.3W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	22A、36A		5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V		1037pF@15V	逻辑电平门
AO3414L_105	-	询价	3685	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					4.2A（塔）
怡安7408L	-	询价	第2259章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	7.5A（塔）、20A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@9A，10V	3V@250μA	8nC@4.5V	±20V	15V时为820pF	-	1.7W（Ta）、20W（Tc）
AON7246_101	-	询价	6140	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	34.5A（温度）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	11nC@4.5V	±20V	1610pF@30V	-	34.7W（温度）
AOC2403	-	询价	7374	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	AOC24		MOSFET（金属O化物）		4-阿尔法DFN (0.97x0.97)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	5,000		P沟道		20V	1.8A（塔）	1.5V、4.5V	95毫欧@1A，4.5V	1V@250μA	4.8nC@4.5V	±8V	405pF@10V	-	450毫W（塔）
AOT11S65L	1.2424	询价	3261	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特11		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	11A（温度）	10V	399毫欧@5.5A，10V	4V@250μA	13.2nC@10V	±30V	646pF@100V	-	198W（温度）
AO6402A_201	-	询价	2532	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	7.5A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@7.5A，10V	2.6V@250μA	11nC@10V	±20V	448pF@15V	-	2W（塔）
AOB9N70L	1.1925	询价	6112	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB9N70		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		700伏	9A（温度）	10V	1.2欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1630pF@25V	-	236W（温度）
AO4850L	-	询价	7413	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			75V	2.3A		130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	7nC@10V		380pF@30V	逻辑电平门
AO8814#A	-	询价	2517	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881		MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 N 沟道（双）共漏极			20V	-		16毫欧@7.5A，10V	1V@250μA	15.4nC@4.5V		1390pF@10V	逻辑电平门
AO6701	-	询价	9929	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO670		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.3A（塔）	2.5V、10V	135毫欧@2.3A，10V	1.4V@250μA	4.9nC@4.5V	±12V	409pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.15W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²