晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AOB412L	-	询价	6361	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB412	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100伏	8.2A（Ta）、60A（Tc）	7V、10V	15.5毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±25V	50V时为3220pF	-	2.6W（Ta）、150W（Tc）
AO4854L_102	-	询价	2438	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOK065V65X2	8.9803	询价	5855	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK065	SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK065V65X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道	650伏	40.3A（温度）	15V	85毫欧@10A，15V	3.5V@10mA	58.8nC@15V	+15V，-5V	1762 pF @ 400 V	-	187.5W（塔）
AO3434TS	-	询价	5611	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3434TSTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@4.2A，10V	1.8V@250μA	10V时为7.2nC	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
AOD403_030	-	询价	2626	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD40	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6.2毫欧@20A，20V	3.5V@250μA	61nC@10V	±25V	3500pF@15V	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
AOWF10N60	0.8328	询价	3315	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF10	MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	25W（温度）
AOD474A	-	询价	8433	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD47	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	75V	2.5A（Ta）、10A（Tc）	4.5V、10V	130mOhm@5A，10V	1.6V@250μA	9nC@10V	±16V	280pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、28.5W（Tc）
AO6701	-	询价	9929	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO670	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	2.3A（塔）	2.5V、10V	135毫欧@2.3A，10V	1.4V@250μA	4.9nC@4.5V	±12V	409pF@15V	肖特基分散（隔离）	1.15W（塔）
AO4850L	-	询价	7413	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485	MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		75V	2.3A		130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	7nC@10V		380pF@30V	逻辑电平门
AO8814#A	-	询价	2517	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881	MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（双）共漏极		20V	-		16毫欧@7.5A，10V	1V@250μA	15.4nC@4.5V		1390pF@10V	逻辑电平门
AOTF10N60_003	-	询价	8216	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	50W（温度）
AOI423	0.3350	询价	3544	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI42	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		P沟道	30V	15A（Ta）、70A（Tc）	10V、20V	6.7毫欧@20A、20V	3.5V@250μA	65nC@10V	±25V	15V时为2760pF	-	2.5W（Ta）、90W（Tc）
AO4813_002	-	询价	8296	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		30V	7.1A（塔）		25mOhm@7A，10V	2.5V@250μA	19nC@10V		1250pF@15V	-
奥恩斯38203	0.9010	询价	7938	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯382	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS38203TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	25V	85A（Ta）、311A（Tc）	4.5V、10V	580毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	150nC@10V	±16V	12.5V时为8350pF	-	6.2W（Ta）、208W（Tc）
AOT14N50	1.8700	询价	5393	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT14	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1170-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	14A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
AO3480	-	询价	2185	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3480TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	5.7A（塔）	2.5V、10V	26.5毫欧@5.7A，10V	1.45V@250μA	10nC@4.5V	±12V	630pF@15V	-	1.4W（塔）
AO4822L_101	-	询价	6838	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO482	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	-
AOC3870S	0.3439	询价	6123	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极				AOC387				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOC3870STR			8,000
AOT600A70FL	0.8511	询价	7030	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT600	MOSFET（金属O化物）		TO-220	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT600A70FL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	700伏	8.5A（温度）	10V	600毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	900 pF @ 100 V	-	104W（温度）
AOSS32128	0.0667	询价	4111	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS321	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOSS32128TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	3.6A（塔）	1.8V、4.5V	75毫欧@3.6A，4.5V	1.3V@250μA	6nC@4.5V	±8V	190pF@10V	-	1.3W（塔）
AO4616L	-	询价	4638	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V	8.1A（塔）、7.1A（塔）		20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V	3V@250μA，2.7V@250μA	19.2nC@10V，30.9nC@10V		1250pF@15V，1573pF@15V	-
AOTF13N50L	-	询价	3808	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫13	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF13N50L			1		N沟道	500V	13A（Tj）	10V	510毫欧@6.5A，10V	4.5V@250μA	37nC@10V	±30V	1633pF@25V	-	50W（温度）
AOI11S60	1.2644	询价	8798	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区11	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	399毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	208W（温度）
AO4886	0.7000	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO488	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		100V	3.3A		80毫欧@3A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V		942pF@50V	逻辑电平门
AON6590_001	-	询价	2034	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安659	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AON6590_001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	67A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	0.99毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	100nC@10V	±20V	8320pF@20V	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AON6448L_001	-	询价	6343	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	爱安644	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	11A（Ta）、65A（Tc）	7V、10V	9.6毫欧@10A、10V	3.7V@250μA	53nC@10V	±25V	3100pF@40V	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AO8810	0.3091	询价	8234	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO881	MOSFET（金属O化物）	1.5W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极		20V	7A		20毫欧@7A，4.5V	1.1V@250μA	14nC@4.5V		1295pF@10V	逻辑电平门
奥特夫409	0.5450	询价	4312	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫40	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道	60V	5.4A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2953pF@30V	-	2.16W（Ta）、43W（Tc）
AO4842	0.6200	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	-		22毫欧@7.5A，10V	2.6V@250μA	11nC@10V		448pF@15V	逻辑电平门
AOD607A	0.4263	询价	8683	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-5、DPak（4引脚+片）、TO-252AD	AOD60	MOSFET（金属O化物）	19W（工作温度）、30W（工作温度）	TO-252-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道互补		30V	8A（温度）、12A（温度）		25mOhm @ 8A、10V、27mOhm @ 12A、10V	2.6V@250μA，2.4V@250μA	7nC@4.5V，12nC@4.5V		15V时为395pF，15V时为730pF	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²