晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AO3454	-	询价	6476	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3454TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	5.8A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@5.8A，10V	2.6V@250μA	18nC@10V	±20V	15V时为373pF	-	1.4W（塔）
奥恩斯32302	1.2500	询价	14	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯323		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	56A（Ta）、220A（Tc）	4.5V、10V	1.35毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	150nC@10V	±20V	6060pF@15V	-	119W（温度）
AOSS32136C	0.4800	询价	第379章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS321		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	6.5A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@6.5A，4.5V	1.25V@250μA	14nC@4.5V	±12V	660pF@10V	-	1.3W（塔）
AOU2N60	0.2634	询价	2852	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	奥乌2		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	325pF@25V	-	56.8W（温度）
AOU4N60_001	-	询价	8954	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU4		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	-			REACH 不出行	785-AOU4N60_001			1		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.3欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	10V时为14.5nC	±30V	640pF@25V	-	104W（温度）
AO4407A	0.7100	询价	102	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	12A（塔）	6V、20V	11毫欧@12A，20V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（塔）
AOWF240	-	询价	1386	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF24		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	21A（Ta）、83A（Tc）	4.5V、10V	2.6毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	3510pF@20V	-	2.1W（Ta）、33.3W（Tc）
AOTF12N50_007	-	询价	9262	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AO4485L_102	-	询价	6139	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		40V	10A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	55nC@10V	±20V	3000pF@20V	-	1.7W（塔）
AO4441L	-	询价	3702	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		60V	4A（塔）	4.5V、10V	100mOhm@4A，10V	3V@250μA	20nC@10V	±20V	1120pF@30V	-	3.1W（塔）
AOK40B120M1	-	询价	5406	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		600W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30			600V，40A，7.5欧姆，15V											340纳秒	-	1200伏	80A	120A	2.45V@15V，40A	3.87mJ（开），1.25mJ（关）	140℃	90纳秒/226纳秒
AO3419	0.4100	询价	第459章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	3.5A（塔）	1.8V、10V	85毫欧@3.5A，10V	1.4V@250μA	4.4nC@4.5V	±12V	400pF@10V	-	1.4W（塔）
AOT380A60L	1.7111	询价	7484	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT380		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1806	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	380毫欧@5.5A，10V	3.8V@250μA	20nC@10V	±20V	955pF@100V	-	131W（温度）
AOU4S60	0.7144	询价	7000	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU4		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	900毫欧@2A，10V	4.1V@250μA	6nC@10V	±30V	100V时为263pF	-	56.8W（温度）
AO5600EL	-	询价	8416	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	AO5600		MOSFET（金属O化物）	380毫W	SC-89-6	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道互补			20V	600毫安、500毫安		650mOhm @ 500mA，4.5V	1V@250μA	1nC@4.5V		45pF@10V	-
AOT2N60	-	询价	7820	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT2		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1185-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.4欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11.4nC@10V	±30V	325pF@25V	-	74W（温度）
AOI4T60	-	询价	3347	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区4		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.1欧姆@1A，10V	5V@250μA	15nC@10V	±30V	460pF@100V	-	83W（温度）
AOTF8N65	0.6804	询价	9786	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	8A（温度）	10V	1.15欧姆@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1400pF@25V	-	50W（温度）
AOTF8N50_002	-	询价	6346	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AO6400	0.4900	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6.9A（塔）	2.5V、10V	28毫欧@6.9A，10V	1.4V@250μA	12nC@4.5V	±12V	1030pF@15V	-	2W（塔）
AO4296	0.6365	询价	7835	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	13.5A（塔）	4.5V、10V	8.3毫欧@13.5A，10V	2.3V@250μA	60nC@10V	±20V	50V时为3130pF	-	3.1W（塔）
AOT10N65	0.7673	询价	4748	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	10A（温度）	10V	1欧姆@5A，10V	4.5V@250μA	33nC@10V	±30V	1645pF@25V	-	250W（温度）
AOD538	0.3715	询价	1428	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD53		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	34A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3.1毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	42nC@10V	±20V	15V时为2160pF	-	4.2W（Ta）、24W（Tc）
AO4884L_001	-	询价	6364	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO488		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			40V	10A		13毫欧@10A，10V	2.7V@250μA	33nC@10V		1950pF@20V	逻辑电平门
怡安7902	-	询价	2400	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安790		MOSFET（金属O化物）	1.8W	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（半桥）			30V	8A、13A		21毫欧@8A，10V	2.3V@250μA	11nC@10V		710pF@15V	逻辑电平门
AOD9T40P	-	询价	4569	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD9		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	6.6A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	5V@250μA	18nC@10V	±30V	530 pF @ 100 V	-	83W（温度）
AOT296L	1.0064	询价	6824	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT296		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	9.5A（Ta）、70A（Tc）	6V、10V	10毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2785pF@50V	-	2.1W（Ta）、107W（Tc）
AOI206_002	-	询价	2416	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	自动检测器206		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1333pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOTF20S60L	3.2400	询价	6654	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	199毫欧@10A，10V	4.1V@250μA	19.8nC@10V	±30V	1038pF@100V	-	37.8W（温度）
冠安6232	-	询价	3727	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	AON62		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	22A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	51nC@10V	±20V	3800pF@20V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²