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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AOB412L | - | ![]() | 6361 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | AOB412 | MOSFET(金属O化物) | TO-263(D2Pak) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 100伏 | 8.2A(Ta)、60A(Tc) | 7V、10V | 15.5毫欧@20A,10V | 3.8V@250μA | 54nC@10V | ±25V | 50V时为3220pF | - | 2.6W(Ta)、150W(Tc) | |||||
![]() | AO4854L_102 | - | ![]() | 2438 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO485 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A | 19毫欧@8A,10V | 2.4V@250μA | 18nC@10V | 888pF@15V | 逻辑电平门 | |||||||
![]() | AOK065V65X2 | 8.9803 | ![]() | 5855 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | AOK065 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-247 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 785-AOK065V65X2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N沟道 | 650伏 | 40.3A(温度) | 15V | 85毫欧@10A,15V | 3.5V@10mA | 58.8nC@15V | +15V,-5V | 1762 pF @ 400 V | - | 187.5W(塔) | ||||
![]() | AO3434TS | - | ![]() | 5611 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 785-AO3434TSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 3.5A(塔) | 4.5V、10V | 52毫欧@4.2A,10V | 1.8V@250μA | 10V时为7.2nC | ±20V | 15V时为340pF | - | 1W(塔) | |||
![]() | AOD403_030 | - | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | AOD40 | MOSFET(金属O化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | P沟道 | 30V | 15A(Ta)、70A(Tc) | 10V、20V | 6.2毫欧@20A,20V | 3.5V@250μA | 61nC@10V | ±25V | 3500pF@15V | - | 2.5W(Ta)、90W(Tc) | |||||
| AOWF10N60 | 0.8328 | ![]() | 3315 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | AOWF10 | MOSFET(金属O化物) | TO-262F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 600伏 | 10A(温度) | 10V | 750mOhm@5A,10V | 4.5V@250μA | 40nC@10V | ±30V | 1600pF@25V | - | 25W(温度) | |||||
![]() | AOD474A | - | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | AOD47 | MOSFET(金属O化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N沟道 | 75V | 2.5A(Ta)、10A(Tc) | 4.5V、10V | 130mOhm@5A,10V | 1.6V@250μA | 9nC@10V | ±16V | 280pF@37.5V | - | 2.1W(Ta)、28.5W(Tc) | |||||
![]() | AO6701 | - | ![]() | 9929 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | AO670 | MOSFET(金属O化物) | 6-TSOP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 2.3A(塔) | 2.5V、10V | 135毫欧@2.3A,10V | 1.4V@250μA | 4.9nC@4.5V | ±12V | 409pF@15V | 肖特基分散(隔离) | 1.15W(塔) | |||||
![]() | AO4850L | - | ![]() | 7413 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO485 | MOSFET(金属O化物) | 1.1W | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 75V | 2.3A | 130毫欧@3.1A,10V | 3V@250μA | 7nC@10V | 380pF@30V | 逻辑电平门 | |||||||
| AO8814#A | - | ![]() | 2517 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | AO881 | MOSFET(金属O化物) | 1.5W | 8-TSSOP | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(双)共漏极 | 20V | - | 16毫欧@7.5A,10V | 1V@250μA | 15.4nC@4.5V | 1390pF@10V | 逻辑电平门 | ||||||||
![]() | AOTF10N60_003 | - | ![]() | 8216 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 奥特夫10 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 600伏 | 10A(温度) | 10V | 750mOhm@5A,10V | 4.5V@250μA | 40nC@10V | ±30V | 1600pF@25V | - | 50W(温度) | |||||
![]() | AOI423 | 0.3350 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3 短截线,IPak | AOI42 | MOSFET(金属O化物) | TO-251A | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,500人 | P沟道 | 30V | 15A(Ta)、70A(Tc) | 10V、20V | 6.7毫欧@20A、20V | 3.5V@250μA | 65nC@10V | ±25V | 15V时为2760pF | - | 2.5W(Ta)、90W(Tc) | ||||
![]() | AO4813_002 | - | ![]() | 8296 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO481 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 个 P 沟道(双) | 30V | 7.1A(塔) | 25mOhm@7A,10V | 2.5V@250μA | 19nC@10V | 1250pF@15V | - | |||||||
![]() | 奥恩斯38203 | 0.9010 | ![]() | 7938 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerSMD,写入 | 奥恩斯382 | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 785-AONS38203TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 25V | 85A(Ta)、311A(Tc) | 4.5V、10V | 580毫欧@20A,10V | 2.1V@250μA | 150nC@10V | ±16V | 12.5V时为8350pF | - | 6.2W(Ta)、208W(Tc) | ||||
![]() | AOT14N50 | 1.8700 | ![]() | 5393 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | AOT14 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 785-1170-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 500V | 14A(温度) | 10V | 380毫欧@7A,10V | 4.5V@250μA | 51nC@10V | ±30V | 2297pF@25V | - | 278W(温度) | |||
![]() | AO3480 | - | ![]() | 2185 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 785-AO3480TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 30V | 5.7A(塔) | 2.5V、10V | 26.5毫欧@5.7A,10V | 1.45V@250μA | 10nC@4.5V | ±12V | 630pF@15V | - | 1.4W(塔) | |||
![]() | AO4822L_101 | - | ![]() | 6838 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO482 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A | 19毫欧@8A,10V | 2.4V@250μA | 18nC@10V | 888pF@15V | - | |||||||
![]() | AOC3870S | 0.3439 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | AOC387 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 785-AOC3870STR | 8,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | AOT600A70FL | 0.8511 | ![]() | 7030 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | aMOS5™ | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | AOT600 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 785-AOT600A70FL | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 700伏 | 8.5A(温度) | 10V | 600毫欧@2.5A,10V | 4V@250μA | 10V时为14.5nC | ±20V | 900 pF @ 100 V | - | 104W(温度) | |||
![]() | AOSS32128 | 0.0667 | ![]() | 4111 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AOSS321 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 785-AOSS32128TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 20V | 3.6A(塔) | 1.8V、4.5V | 75毫欧@3.6A,4.5V | 1.3V@250μA | 6nC@4.5V | ±8V | 190pF@10V | - | 1.3W(塔) | ||||
![]() | AO4616L | - | ![]() | 4638 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO461 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N 和 P 沟道 | 30V | 8.1A(塔)、7.1A(塔) | 20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V | 3V@250μA,2.7V@250μA | 19.2nC@10V,30.9nC@10V | 1250pF@15V,1573pF@15V | - | |||||||
![]() | AOTF13N50L | - | ![]() | 3808 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 最后一次购买 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 奥特夫13 | MOSFET(金属O化物) | TO-220F | - | REACH 不出行 | 785-AOTF13N50L | 1 | N沟道 | 500V | 13A(Tj) | 10V | 510毫欧@6.5A,10V | 4.5V@250μA | 37nC@10V | ±30V | 1633pF@25V | - | 50W(温度) | |||||||
![]() | AOI11S60 | 1.2644 | ![]() | 8798 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | aMOS™ | 管子 | 最后一次购买 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3 短截线,IPak | 兴趣区11 | MOSFET(金属O化物) | TO-251A | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,500人 | N沟道 | 600伏 | 11A(温度) | 10V | 399毫欧@3.8A,10V | 4.1V@250μA | 11nC@10V | ±30V | 545pF@100V | - | 208W(温度) | ||||
![]() | AO4886 | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO488 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 个 N 沟道(双) | 100V | 3.3A | 80毫欧@3A,10V | 2.7V@250μA | 20nC@10V | 942pF@50V | 逻辑电平门 | |||||||
| AON6590_001 | - | ![]() | 2034 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerSMD,写入 | 爱安659 | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 785-AON6590_001TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 40V | 67A(Ta)、100A(Tc) | 4.5V、10V | 0.99毫欧@20A,10V | 2.3V@250μA | 100nC@10V | ±20V | 8320pF@20V | - | 7.3W(Ta)、208W(Tc) | ||||
| AON6448L_001 | - | ![]() | 6343 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-PowerSMD,写入 | 爱安644 | MOSFET(金属O化物) | 8-DFN (5x6) | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N沟道 | 80V | 11A(Ta)、65A(Tc) | 7V、10V | 9.6毫欧@10A、10V | 3.7V@250μA | 53nC@10V | ±25V | 3100pF@40V | - | 2.5W(Ta)、83W(Tc) | ||||||
| AO8810 | 0.3091 | ![]() | 8234 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | AO881 | MOSFET(金属O化物) | 1.5W | 8-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2个N沟道(双)共漏极 | 20V | 7A | 20毫欧@7A,4.5V | 1.1V@250μA | 14nC@4.5V | 1295pF@10V | 逻辑电平门 | |||||||
![]() | 奥特夫409 | 0.5450 | ![]() | 4312 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3全包 | 奥特夫40 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P沟道 | 60V | 5.4A(Ta)、24A(Tc) | 4.5V、10V | 40毫欧@20A,10V | 2.4V@250μA | 52nC@10V | ±20V | 2953pF@30V | - | 2.16W(Ta)、43W(Tc) | ||||
![]() | AO4842 | 0.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | AO484 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | - | 22毫欧@7.5A,10V | 2.6V@250μA | 11nC@10V | 448pF@15V | 逻辑电平门 | ||||||
![]() | AOD607A | 0.4263 | ![]() | 8683 | 0.00000000 | 阿尔法与欧米茄半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-5、DPak(4引脚+片)、TO-252AD | AOD60 | MOSFET(金属O化物) | 19W(工作温度)、30W(工作温度) | TO-252-4L | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N 和 P 沟道互补 | 30V | 8A(温度)、12A(温度) | 25mOhm @ 8A、10V、27mOhm @ 12A、10V | 2.6V@250μA,2.4V@250μA | 7nC@4.5V,12nC@4.5V | 15V时为395pF,15V时为730pF | - |

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