电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AOW66613 | 1.6122 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW666 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOW6666613TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 38.5A(TA),120A (TC) | 8V,10V | 2.5MOHM @ 20A,10V | 3.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 5300 PF @ 30 V | - | 6.2W(260W)(260W)TC) | |||||||||||||||
![]() | AONR32320 | - | ![]() | 2446 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | - | - | AONR323 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 12A(TC) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF286L | 2.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF286 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1727-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 80 V | 13.5A(TA),56A (TC) | 6V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 3.3V @ 250µA | 63 NC @ 10 V | ±20V | 3142 PF @ 40 V | - | 2.2W(TA),37.5W(tc) | ||||||||||||||
![]() | AO4800BL | - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO480 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(TA) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AO4800Bltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 6.9a(ta) | 27mohm @ 6.9a,10v | 1.5V @ 250µA | 12nc @ 4.5V | 1100pf @ 15V | - | ||||||||||||||||
![]() | AON7520 | - | ![]() | 5932 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | aon75 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(TA),50A (TC) | 2.5V,10V | 1.8mohm @ 20a,10v | 1.2V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±12V | 4175 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),83.3w(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF10T60PL | - | ![]() | 1739年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1651-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 700MOHM @ 5A,10V | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1595 PF @ 100 V | - | 33W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AO4413 | - | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 15A(TA) | 10V,20V | 7mohm @ 15a,20v | 3.5V @ 250µA | 61 NC @ 10 V | ±25V | 3500 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
AON6780 | - | ![]() | 7560 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SRFET™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(30a),85A(tc) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±12V | 9600 PF @ 15 V | ((() | 2.5W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||||
AON6152 | - | ![]() | 1649年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon61 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 100A(TC) | 4.5V,10V | 1.15MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 8900 PF @ 22.5 V | - | 208W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOK75B65H1 | 3.7749 | ![]() | 4605 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK75 | 标准 | 556 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V,75a,4ohm,15V | 295 ns | - | 650 v | 150 a | 225 a | 2.4V @ 15V,75a | 3.77MJ(在)上,2.04MJ off) | 109 NC | 47NS/175NS | |||||||||||||||
AON6760 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon67 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 28a(28a),36a (TC) | 4.5V,10V | 3.9mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±12V | 3440 pf @ 15 V | - | 5W(5W),39W(tc) | |||||||||||||||||
![]() | AOTF10T60_001 | - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 10A(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7760 | - | ![]() | 4564 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | aon77 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 33A(ta),75A (TC) | 4.5V,10V | 2mohm @ 20a,10v | 2.2V @ 250µA | 76 NC @ 10 V | ±16V | 5520 PF @ 12.5 V | - | 4.1W(TA),34.5W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | aonp38324 | 0.5451 | ![]() | 1114 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aonp383 | MOSFET (金属 o化物) | 3.2W(69w(ta)(3.2W(ta)(46W(ta)TC) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONP38324TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 29A(ta),134a (TC),29a(ta(110a t c) | 2.4mohm @ 20a,10v,2.3Mohm @ 20a,10v | 1.8V @ 250µA,1.9V @ 250µA | 38nc @ 10V | 1940pf @ 15V,1890pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||||||
![]() | AO3421L | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 2.6a(ta) | 4.5V,10V | 130MOHM @ 2.6a,10V | 3V @ 250µA | 9 NC @ 10 V | ±20V | 370 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF20B65M1 | 2.7700 | ![]() | 579 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF20 | 标准 | 45 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1770 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,20a,15ohm,15V | 322 ns | - | 650 v | 60 a | 60 a | 2.15V @ 15V,20A | (470µJ)(在),270µJ(270µJ)上) | 46 NC | 26ns/122ns | ||||||||||||||
![]() | AOD456A | - | ![]() | 8590 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD45 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 50A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 30a,10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 2220 PF @ 12.5 V | - | (3w(ta),50W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOK27S60L | 4.0093 | ![]() | 3879 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK27S60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 27a(TC) | 10V | 160MOHM @ 13.5A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 1294 pf @ 100 V | - | 357W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AO3424 | 0.4600 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.8A(TA) | 2.5V,10V | 80mohm @ 2a,10v | 1.8V @ 250µA | 3.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 270 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||
AOW66616 | 1.3322 | ![]() | 6653 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW666 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1822 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 33A(TA),140A (TC) | 6V,10V | 3.2MOHM @ 20A,10V | 3.4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 2870 pf @ 30 V | - | 6.2W(ta),125W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AON4807_001 | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON480 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2(p 通道(双) | 30V | 4a | 68mohm @ 4A,10V | 2.3V @ 250µA | 10NC @ 10V | 290pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | AON7820 | - | ![]() | 9611 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON782 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 20V | - | - | 1V @ 250µA | 22nc @ 4.5V | 2065pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
AOL1413 | - | ![]() | 2126 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 3-PowersMD,平坦的铅 | AOL14 | MOSFET (金属 o化物) | Ultraso-8™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 38A(TC) | 5V,10V | 17mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±25V | 2200 PF @ 15 V | - | 2.1W(TA),38W(tc) | |||||||||||||||||
![]() | AO4294 | 1.1900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO42 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 11.5A(TA) | 4.5V,10V | 12mohm @ 11.5a,10v | 2.4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2420 PF @ 50 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AON4605 | - | ![]() | 1857年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | AON460 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道 | 30V | 4.3a,3.4a | 50mohm @ 4.3a,10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 10V | 210pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | AOU7S65 | - | ![]() | 1718年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 650MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 V | ±30V | 434 PF @ 100 V | - | 89W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AO4828L | - | ![]() | 9828 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO482 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 60V | - | 56mohm @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 10.5NC @ 10V | 540pf @ 30V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | AOB2910L | - | ![]() | 3392 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB2910 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 6A(6A),30a (TC) | 4.5V,10V | 23.5mohm @ 20a,10v | 2.7V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 50 V | - | 2.1W(ta),50W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOD4185L_DELTA | - | ![]() | 4275 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AOD418 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 40a(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF290L | 1.9757 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF290 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 72A(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 20A,10V | 4.1V @ 250µA | 126 NC @ 10 V | ±20V | 7180 pf @ 50 V | - | 48W(TC) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库