晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AO6N7S65	-	询价	1406	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买								-			REACH 不出行	785-AO6N7S65			1
AOCR32326	1.0608	询价	9451	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	最后一次购买	-55℃～150℃	表面贴装	8-SMD，无铅	AOCR323	MOSFET（金属O化物）	2.75W	8-刚性CSP (6x2.5)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCR32326TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道		30V	28A		-	2.3V@250μA	142nC@10V		-	标准
怡安7244	-	询价	4727	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	20A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	32nC@10V	±20V	2435pF@30V	-	6.2W（Ta）、83W（Tc）
AON4605_001	-	询价	9788	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安460	MOSFET（金属O化物）	1.9W	8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道		30V	4.3A、3.4A		50毫欧@4.3A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V		210pF@15V	逻辑电平门
AOSD32334C	0.5400	询价	169	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSD323	MOSFET（金属O化物）	1.7W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	7A（塔）		20毫欧@7A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V		600pF@15V	-
怡安7524	0.6700	询价	194	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	25A（Ta）、28A（Tc）	2.5V、10V	3.3毫欧@20A，10V	1.2V@250μA	50nC@10V	±12V	2250pF@15V	-	3.1W（Ta）、32W（Tc）
AO4406AL	-	询价	6441	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	13A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	17nC@10V	±20V	910pF@15V	-	3.1W（温度）
冠安6912A	0.4234	询价	5066	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安6912	MOSFET（金属O化物）	1.9W、2.1W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）		30V	10A、13.8A		13.7毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	17nC@10V		910pF@15V	逻辑电平门
AOI4286	0.6300	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI42	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1647-5	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道	100V	4A（Ta）、14A（Tc）	4.5V、10V	68毫欧@5A，10V	2.9V@250μA	10nC@10V	±20V	50V时为390pF	-	2.5W（Ta）、30W（Tc）
AOD4185_台达	-	询价	2858	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AOD418				下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人				40A（温度）
AOTF8N65L	-	询价	1032	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF8N65L			1		N沟道	650伏	8A（温度）	10V	1.15欧姆@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1400pF@25V	-	50W
建安7532E	-	询价	1020	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	安安75	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	30.5A（Ta）、28A（Tc）	4.5V、10V	3.5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	40nC@10V	±20V	1950pF@15V	-	5W（Ta）、28W（Tc）
AOT2142L	1.4281	询价	第1387章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2142	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	40V	120A（温度）	4.5V、10V	1.9毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	100nC@10V	±20V	8320pF@20V	-	312W（温度）
AON6411_001	-	询价	8969	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安641	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	20V	47A（Ta）、85A（Tc）	2.5V、10V	2.1毫欧@20A，10V	1.3V@250μA	330nC@10V	±12V	10V时为10290pF	-	7.3W（Ta）、156W（Tc）
AOT2916L	-	询价	3193	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2916	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	100V	5A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	34mOhm@10A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	870pF@50V	-	2.1W（Ta）、41.5W（Tc）
奥卡36102E	0.4671	询价	6010	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡36102	MOSFET（金属O化物）	3.1W	10-AlphaDFN (3.4x1.96)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA36102ETR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道		22V	30A		2.8毫欧@5A，4.5V	1.25V@250μA	37nC@4.5V		-	标准
AOT270AL	-	询价	2096	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT270	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	75V	21.5A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	2.6毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	206nC@10V	±20V	10830pF@37.5V	-	2.1W（Ta）、500W（Tc）
AOB416	-	询价	8500	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB41	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100V	6.2A（Ta）、45A（Tc）	7V、10V	36mOhm@20A，10V	4V@250μA	24nC@10V	±25V	1450pF@50V	-	2.5W（Ta）、150W（Tc）
怡安2290	0.6100	询价	第291章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON22	MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	4.5A（塔）	4.5V、10V	72毫欧@4.5A，10V	2.8V@250μA	12nC@10V	±20V	50V时为415pF	-	2.8W（塔）
AOT380A60CL	1.8300	询价	25	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT380	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT380A60CL	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	380毫欧@5.5A，10V	3.8V@250μA	20nC@10V	±20V	955pF@100V	-	131W（温度）
AOI360A70	0.8392	询价	5743	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI360	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOI360A70	EAR99	8541.29.0095	70		N沟道	700伏	12A（温度）	10V	360mOhm@6A，10V	4V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	1360pF@100V	-	138W（温度）
奥恩斯32314	0.1628	询价	6519	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯323	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS32314TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	18.5A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	8.7毫欧@20A，10V	2.25V@250μA	32nC@10V	±20V	1420pF@15V	-	5W（Ta）、25W（Tc）
AOW7S60	1.0216	询价	4426	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW7	MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为8.2nC	±30V	100V时为372pF	-	104W（温度）
AOTF4N90_002	-	询价	2138	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF4	MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		-	-	-	-		-		-	-
AOM033V120X2	17.9071	询价	1960年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	AOM033	SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOM033V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道	1200伏	68A（温度）	15V	43毫欧@20A，15V	2.8V@17.5mA	104nC@15V	+15V，-5V	800V时为2908pF	-	300W（塔）
AOTF160A60L	3.2400	询价	615	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫160	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF160A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	24A（天）	10V	160毫欧@12A，10V	3.6V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	34.7W（温度）
AONR32320C	0.4400	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR32320	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	9.5A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	21毫欧@9.5A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	650pF@15V	-	3.1W（Ta）、11W（Tc）
怡安6586	-	询价	3582	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安658	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	20A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1150pF@15V	-	5W（Ta）、41W（Tc）
AO4447A_201	-	询价	8043	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4447A_201TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	18.5A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@18.5A，10V	2.2V@250μA	130nC@10V	±20V	5020pF@15V	-	3.1W（塔）
AONR36326C	0.1538	询价	2729	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR363	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONR36326CTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	12A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	9.8毫欧@12A，10V	2.3V@250μA	15nC@10V	±20V	540pF@15V	-	3.1W（Ta）、20.5W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²