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![]() | AON2701L#a | - | ![]() | 7564 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | AON27 | MOSFET (金属 o化物) | 6-DFN(2x2) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 20 v | 3A(3A) | 1.8V,4.5V | 120MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ±8V | 700 pf @ 10 V | Schottky 二极管(孤立) | 1.5W(TA) | |||||
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![]() | AO6402AL | - | ![]() | 5852 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AO640 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 7a(ta) | 4.5V,10V | 27mohm @ 7a,10v | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 820 pf @ 15 V | - | 2W(TA) | |||||
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![]() | AO4476AL_101 | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 15A(TA) | 4.5V,10V | 7.7MOHM @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1380 pf @ 15 V | - | 3.1W(TA) | ||||
![]() | AO4566 | 0.1628 | ![]() | 6309 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO45 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 12a(12a) | 4.5V,10V | 11mohm @ 12a,10v | 2.3V @ 250µA | 12.2 NC @ 10 V | ±20V | 542 pf @ 15 V | - | 2.5W(TA) | ||||
![]() | AOI4T60 | - | ![]() | 3347 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.1OHM @ 1A,10V | 5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 460 pf @ 100 V | - | 83W(TC) | |||||
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![]() | AOD4144_003 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | (13a)(ta),55a(tc) | 4.5V,10V | 8mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1430 pf @ 15 V | - | 2.3W(TA),50W(TC) | |||||
![]() | AOT27S60L | 4.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT27S60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1252-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 27a(TC) | 10V | 160MOHM @ 13.5A,10V | 4V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±30V | 1294 pf @ 100 V | - | 357W(TC) | |||
![]() | AOI4126 | 0.4395 | ![]() | 6320 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,500 | n通道 | 100 v | 7.5A(TA),43A(tc) | 7V,10V | 24mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±25V | 2200 PF @ 50 V | - | (3W)(100W)(100W)TC) | ||||
![]() | AOTF4185 | 0.5103 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF41 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 40 V | 34A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 20a,10v | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2550 pf @ 20 V | - | 33W(TC) | ||||
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![]() | AOD2610_001 | - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD26 | TO-252(DPAK) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | - | |||||||||||||||||
![]() | AON7421 | 1.1200 | ![]() | 256 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON742 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 30a(30a),50a(tc) | 2.5V,10V | 4.6mohm @ 20a,10v | 1.2V @ 250µA | 114 NC @ 10 V | ±12V | 4550 pf @ 10 V | - | 6.2W(ta),83W(tc) | ||||
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