晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AO4616L_102	-	询价	5770	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道			30V	8A、7A		20毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		888pF@15V	逻辑电平门
AOK60B65M3	4.0514	询价	5830	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK60	标准		500W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1757	EAR99	8541.29.0095	240			400V，60A，5欧姆，15V											346纳秒	-	650伏	120A	180A	2.45V@15V，60A	2.6mJ（开），1.3mJ（关）	106纳克	44纳秒/166纳秒
AO4498EL	-	询价	4785	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@18A，10V	2.3V@250μA	50nC@10V	±20V	2760pF@15V	-	3.1W（塔）
AOT8N50L	-	询价	2123	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT8		MOSFET（金属O化物）		TO-220	-			REACH 不出行	785-AOT8N50L			1		N沟道		500V	9A（温度）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	192W（温度）
怡安2409	0.6500	询价	706	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	32mOhm@8A，10V	2.3V@250μA	10V时为14.5nC	±20V	530pF@15V	-	2.8W（塔）
AOB418L	-	询价	4373	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB41		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100V	9.5A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	9.7毫欧@20A，10V	3.9V@250μA	83nC@10V	±12V	5200pF@50V	-	2.1W（Ta）、333W（Tc）
怡安7826	-	询价	3654	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安782		MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-DFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）			20V	9A		23毫欧@9A，10V	1.1V@250μA	15nC@10V		630pF @ 10V	逻辑电平门
AOD254	-	询价	9883	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD25		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		150伏	4.5A（Ta）、28A（Tc）	4.5V、10V	46毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	40nC@10V	±20V	2150pF@75V	-	2.5W（Ta）、115W（Tc）
AOTF11N70_001	-	询价	2192	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫11		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF11N70_001			1		N沟道		700伏	11A（温度）	10V	870毫欧@5.5A，10V	4.5V@250μA	45nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	50W（温度）
AO3406	0.4100	询价	222	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.6A（塔）	4.5V、10V	50毫欧@3.6A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V	±20V	15V时为210pF	-	1.4W（塔）
AONR32320C	0.4400	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR32320		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	9.5A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	21毫欧@9.5A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	650pF@15V	-	3.1W（Ta）、11W（Tc）
AOM033V120X2	17.9071	询价	1960年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	AOM033		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOM033V120X2	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		1200伏	68A（温度）	15V	43毫欧@20A，15V	2.8V@17.5mA	104nC@15V	+15V，-5V	800V时为2908pF	-	300W（塔）
怡安6586	-	询价	3582	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安658		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	20A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1150pF@15V	-	5W（Ta）、41W（Tc）
AOTF160A60L	3.2400	询价	615	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫160		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTF160A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	24A（天）	10V	160毫欧@12A，10V	3.6V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	34.7W（温度）
AO5803E	-	询价	5544	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	AO580		MOSFET（金属O化物）	400毫W	SC-89-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	-		800毫欧@600毫安，4.5伏	900mV@250μA	-		100pF@10V	逻辑电平门
AOK40B60D	3.9024	询价	7945	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		312.5W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1622-5	EAR99	8541.29.0095	240			400V，40A，7.5欧姆，15V											138纳秒	-	600伏	80A	160A	2.1V@15V，40A	1.72mJ（开），300μJ（关）	63.5nC	28纳秒/77纳秒
AON7264C	0.2503	询价	第1271章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON7264CTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	13A（Ta）、24A（Tc）	4.5V、10V	13.2毫欧@13A，10V	2.2V@250μA	21nC@10V	±20V	895pF@30V	-	4.1W（Ta）、24W（Tc）
AO3402	0.4600	询价	26	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	55mOhm@4A，10V	1.4V@250μA	4.34nC@4.5V	±12V	15V时为390pF	-	1.4W（塔）
怡安7280	1.7200	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	20A（Ta）、50A（Tc）	6V、10V	8.5毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	38nC@10V	±20V	1871pF@40V	-	6.3W（Ta）、83W（Tc）
AO3416L_103	-	询价	3755	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	6.5A（塔）	1.8V、4.5V	22毫欧@6.5A，4.5V	1V@250μA	16nC@4.5V	±8V	1160pF@10V	-	1.4W（塔）
AOD4102L	-	询价	5287	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	8A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	37毫欧@12A，10V	3V@250μA	10V时为8.1nC	±20V	15V时为432pF	-	4.2W（Ta）、21W（Tc）
AONR36326C	0.1538	询价	2729	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR363		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONR36326CTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	12A（Ta）、12A（Tc）	4.5V、10V	9.8毫欧@12A，10V	2.3V@250μA	15nC@10V	±20V	540pF@15V	-	3.1W（Ta）、20.5W（Tc）
AOTF66919L	0.9678	询价	4178	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF66919		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOTF66919LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100V	25A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	8.3W（Ta）、32W（Tc）
怡安2290	0.6100	询价	第291章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON22		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100V	4.5A（塔）	4.5V、10V	72毫欧@4.5A，10V	2.8V@250μA	12nC@10V	±20V	50V时为415pF	-	2.8W（塔）
AOY66920	0.5595	询价	6974	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY669		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOY66920	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		100V	19.5A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	8.2毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	6.2W（Ta）、89W（Tc）
怡安7702	-	询价	7695	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	13.5A（Ta）、36A（Tc）	4.5V、10V	10毫欧@13.5A，10V	3V@250μA	48nC@10V	±20V	4250pF@15V	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、23W（Tc）
怡安6578	0.4175	询价	7650	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安657		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	28A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	4.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	30nC@10V	±20V	1340pF@15V	-	5.6W（Ta）、35W（Tc）
AO4722	-	询价	3118	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	8.5A（塔）	4.5V、10V	14毫欧@11.6A，10V	2.5V@250μA	20nC@10V	±20V	1100pF@15V	肖特基分化（体）	1.7W（塔）
AO4484_101	-	询价	5552	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		40V	10A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@10A、10V	3V@250μA	37nC@10V	±20V	1950pF@20V	-	1.7W（塔）
AOTF15S65L	3.0400	询价	第872章	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫15		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	34W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²