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AON6264E | 0.3091 | ![]() | 9575 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 28a(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF5N50FD_001 | - | ![]() | 1269 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | AOTF5 | MOSFET (金属 o化物) | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
![]() | AO4407B | - | ![]() | 2973 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 12a(12a) | 10V | 13mohm @ 12a,20v | 2.8V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±25V | 2600 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | AO4801 | - | ![]() | 3985 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO480 | MOSFET (金属 o化物) | 2W(TA) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AO4801TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 5A(5A) | 48mohm @ 5a,10v | 1.3V @ 250µA | 7NC @ 4.5V | 645pf @ 15V | - | |||||||||||||||
![]() | AOTS21319C | 0.1490 | ![]() | 6747 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | AOTS21319 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOTS21319CTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.7a(ta) | 4.5V,10V | 100mohm @ 2.7a,10v | 2.2V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 320 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) | |||||||||||||
![]() | AON7409 | - | ![]() | 9125 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON740 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | (16A)(TA),32a(tc) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 16a,10v | 2.7V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±25V | 2142 PF @ 15 V | - | 3.1W(ta),96W(tc) | ||||||||||||||
![]() | AOK20B135D1 | 4.6200 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK20 | 标准 | 340 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1687-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,20a,15ohm,15V | - | 1350 v | 40 a | 80 a | 1.8V @ 15V,20A | 1.05MJ() | 66 NC | - /156ns | ||||||||||||||
![]() | AO4443L | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 6.5A(TA) | 4.5V,10V | 42MOHM @ 6A,10V | 3V @ 250µA | 14.2 NC @ 10 V | ±20V | 657 PF @ 20 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AO3418L | - | ![]() | 5617 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 3.8A(TA) | 2.5V,10V | 60mohm @ 3.8A,10V | 1.8V @ 250µA | 3.6 NC @ 4.5 V | ±12V | 270 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||
AOW15S65 | 1.6346 | ![]() | 4042 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 7.5A,10V | 4V @ 250µA | 17.2 NC @ 10 V | ±30V | 841 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AON7440 | - | ![]() | 8226 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON744 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 28a(28a),50a(tc) | 4.5V,10V | 2.8mohm @ 20a,10v | 2.3V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2820 PF @ 15 V | - | 4.2W(42W),42W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOB190A60CL | 2.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB190 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190MOHM @ 7.6A,10V | 4.6V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±30V | 1935 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AOSP62626E | 0.2331 | ![]() | 1641年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP626 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOSP62626ETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13.5mohm @ 11a,10v | 2.3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 900 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||
![]() | AOB10N60L | 0.8618 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1600 pf @ 25 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AON4407_003 | - | ![]() | 4096 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | aon44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN (3x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 12 v | 9a(9a) | 1.5V,4.5V | 20mohm @ 9a,4.5V | 850mv @ 250µA | 23 NC @ 4.5 V | ±8V | 2100 PF @ 6 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AONS850A70 | 1.0331 | ![]() | 6264 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AONS850 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS850A70TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 700 v | 1.5A(ta),7.6a(7.6a)TC) | 10V | 850MOHM @ 1.4A,10V | 4.1V @ 250µA | 11.5 NC @ 10 V | ±20V | 675 PF @ 100 V | - | 4.1W(ta),113W(tc) | ||||||||||||||
![]() | AO4423_101 | - | ![]() | 2734 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 17A(TA) | 6V,20V | 6.2MOHM @ 15a,20v | 2.6V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ±25V | 3033 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AOTF256L | 0.6899 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF256 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 150 v | (3a ta),12a(tc) | 4.5V,10V | 85mohm @ 10a,10v | 2.8V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1165 PF @ 75 V | - | 2.1W(TA),33W(tc) | ||||||||||||||
![]() | AO4606L_DELTA | - | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO46 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n和p通道互补 | 30V | 6a | 30mohm @ 6a,10v | 2.4V @ 250µA | 6NC @ 10V | 310pf @ 15V | - | |||||||||||||||||
![]() | AOTF3N80 | 0.7812 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1639-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 2.8A(TC) | 10V | 4.8OHM @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±30V | 510 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||
![]() | AOD9N52 | - | ![]() | 9958 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | - | 到达不受影响 | 785-AOD9N52 | 1 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 860MOHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1160 pf @ 25 V | - | 178W | |||||||||||||||||
AOWF4S60 | 0.7182 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOWF4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 900MOHM @ 2A,10V | 4.1V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±30V | 263 pf @ 100 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AONS62920 | 0.7703 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS629 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS62920TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 22a(22A),48a tc(48a tc) | 4.5V,10V | 6.3MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 4525 pf @ 50 V | - | 6.2W(ta),113.5W(TC) | ||||||||||||||
AON6522 | 0.7853 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON652 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 71a(ta),200a(tc) | 4.5V,10V | 0.95Mohm @ 20a,10v | 2V @ 250µA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 7036 pf @ 15 V | - | 7.3W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AONX38168 | 2.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Xspairfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | AONX381 | MOSFET (金属 o化物) | 3.1W(TA),20W(tc),3.2W(ta(69w(ta)(TC) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 25V | 25a(25a),62a(tc(62a),50a(ta(85a tc)(TC) | 3.3mohm @ 20a,10v,0.8Mohm @ 20a,10v | 1.9V @ 250µA,1.8V @ 250µA | 24nc @ 10v,85nc @ 10v | 1150pf @ 12.5V,4520pf @ 12.5V | - | ||||||||||||||||
![]() | AO4304_001 | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO43 | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 4.5V,10V | ±20V | |||||||||||||||||||||||||
AON6452L | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON645 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 6.5A(TA),26a (TC) | 7V,10V | 25mohm @ 20a,10v | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 V | ±25V | 2200 PF @ 50 V | - | 2W(TA),35W(tc)(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AON7202_101 | - | ![]() | 2657 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aon72 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 20A(20A),40a tc(TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.3V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA),36W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOB411L_001 | - | ![]() | 9380 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB411 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 60 V | 8a(8a ta),78a tc(78a tc) | 4.5V,10V | 16.5MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6400 PF @ 30 V | - | 187W(TC) |
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