晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOK5N100	-	询价	2240	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK5		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		1000伏	4A（温度）	10V	4.2欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	23nC@10V	±30V	1150pF@25V	-	195W（温度）
AO4812L_101	-	询价	第1678章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO481		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	6A		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	-
AOCA33103E	1.0900	询价	5190	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡33103		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (2.52x2.52)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道（双）共漏极			12V	40A（塔）		1.8毫欧@5A，4.5V	1.3V@250μA	45nC@4.5V		-	-
AOSD32338C	0.1473	询价	第1556章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSD323		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOSD32338CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	6A（塔）		30mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	6.3nC@10V		310pF@15V	-
AOD2C60	-	询价	5320	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD2		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	3.3欧姆@500mA，10V	5V@250μA	10nC@10V	±30V	100V时为304pF	-	52W（温度）
AOD3N80	1.4900	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		800V	2.8A（温度）	10V	4.8欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	10nC@10V	±30V	510pF@25V	-	83W（温度）
AO4444	-	询价	8501	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	11A（塔）	7V、10V	12毫欧@11A，10V	3.8V@250μA	46nC@10V	±25V	2865pF@40V	-	3.1W（塔）
AO4882	0.7600	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO488		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	8A		19毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	12nC@10V		415pF@20V	逻辑电平门
AO4494H	-	询价	9620	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
冠安6536	-	询价	2217	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安653		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	22A（Ta）、55A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1210pF@15V	-	5.5W（Ta）、35.5W（Tc）
怡安7534	0.6300	询价	118	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	20A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V	±20V	1037pF@15V	-	3W（Ta）、23W（Tc）
AOT2144L	1.0036	询价	第1457章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2144		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOT2144LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	205A（高温）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	95nC@10V	±20V	5225pF@20V	-	8.3W（Ta）、187W（Tc）
AOT2918L	-	询价	9257	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2918		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1274-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100V	13A（Ta）、90A（Tc）	10V	7毫欧@20A，10V	3.9V@250μA	53nC@10V	±20V	50V时为3430pF	-	2.1W（Ta）、267W（Tc）
AOTF8N50L	-	询价	9904	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	785-AOTF8N50L			1		N沟道		500V	9A（天）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	38.5W（温度）
AO4616L_103	-	询价	4574	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO461		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			30V	8.1A（塔）、7.1A（塔）		20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V	3V@250μA，2.7V@250μA	19.2nC@10V，30.9nC@10V		1250pF@15V，1573pF@15V	-
AOY526	-	询价	2163	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY52		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		30V	18A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1550pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
怡安4705L	-	询价	6387	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安470		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		20V	4A（塔）	1.8V、4.5V	65mOhm@4A，4.5V	1V@250μA	11nC@4.5V	±8V	745pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.7W（塔）
奥恩斯18314	-	询价	5946	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极				奥恩斯183					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS18314TR			3,000
AO4614BL_201	-	询价	6316	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4614		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			40V	6A（塔）、5A（塔）		30mOhm @ 6A、10V、45mOhm @ 5A、10V	3V@250μA	10V时为10.8nC，10V时为22nC		650pF@20V，1175pF@20V	-
AOB2140L	1.8278	询价	2024年	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB21		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB2140LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	57A（Ta）、195A（Tc）	4.5V、10V	1.5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	180nC@10V	±20V	9985pF@20V	-	8.3W（Ta）、272W（Tc）
AOK50B65H1	3.1611	询价	5392	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK50	标准		375W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			400V，50A，6欧姆，15V											261纳秒	-	650伏	100A	150A	2.4V@15V，50A	1.92mJ（开），850μJ（关）	76 纳克	37纳秒/141纳秒
AOTF18N65	1.6405	询价	8359	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫18		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1431-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	18A（温度）	10V	390毫欧@9A，10V	4.5V@250μA	68nC@10V	±30V	3785pF@25V	-	50W（温度）
AO3456	-	询价	8172	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.6A（塔）	4.5V、10V	50毫欧@3.6A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	200pF@15V	-	1.4W（塔）
AOTF298L	-	询价	6133	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫298		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1382-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100V	9A（Ta）、33A（Tc）	10V	14.5毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	27nC@10V	±20V	1670pF@15V	-	2.1W（Ta）、33W（Tc）
AO3160_001	-	询价	5333	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AO3160		MOSFET（金属O化物）		SOT-23A-3	-			REACH 不出行	785-AO3160_001			1		N沟道		600伏	40毫安（塔）	4.5V、10V	500欧姆@16mA，10V	3.2V@8μA	1.5nC@10V	±20V	15pF@25V	-	1.39W（塔）
AOT600A60L	0.8024	询价	3606	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT600		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOT600A60L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	8A（温度）	10V	600毫欧@2.1A，10V	3.5V@250μA	11.5nC@10V	±20V	608pF@100V	-	27.5W（温度）
AOD514	0.5200	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	17A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
冠安6566P	-	询价	5461	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的		表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安656				8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
AOD66923	1.1200	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	16.5A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	35nC@10V	±20V	1725pF@50V	-	6.2W（Ta）、73W（Tc）
AONP36320	0.4240	询价	第1639章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONP363		MOSFET（金属O化物）	3.3W（Ta）、50W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONP36320TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极			30V	26A（Ta）、100A（Tc）、27A（Ta）、103A（Tc）		3.2毫欧@20A、10V、3毫欧@20A、10V	2.1V@250μA	40nC@10V		1700pF@15V，1650pF@15V	标准

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²