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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AONS66916 | 3.4500 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS669 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 100A(TC) | 6V,10V | 3.6mohm @ 20a,10v | 3.6V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 5325 PF @ 50 V | - | 215W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOSP66919 | 0.6503 | ![]() | 9342 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AOSP669 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOSP66919TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 16A(TA) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 16a,10v | 2.6V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 3420 PF @ 50 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AONS66620 | 1.0100 | ![]() | 1098 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS666 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 17.5a(TA),24a (TC) | 8V,10V | 9mohm @ 20a,10v | 3.6V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1070 pf @ 30 V | - | 5W(5W),36.5W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOK065A60 | 5.3423 | ![]() | 6535 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK065 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOK065A60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | n通道 | 600 v | 4.1a(TA),20A(tc) | 10V | - | - | 34 NC @ 10 V | 20V | 1935 PF @ 100 V | - | 8.3W(ta),208w(tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4294A | 0.4961 | ![]() | 5541 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO42 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AO4294ATR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 11.5A(TA) | 4.5V,10V | 12mohm @ 11.5a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2305 PF @ 50 V | - | 3.1W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AOK60B65H2AL | 2.8545 | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alphaigbt™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK60 | 标准 | 416 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOK60B65H2AL | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V,60a,5ohm,15V | 318 ns | - | 650 v | 120 a | 180 a | 2.5V @ 15V,60a | 2.36mj(在)上,1.17MJ OFF) | 84 NC | 35NS/168NS | |||||||||||||||
![]() | AONS66817 | 0.7231 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt2™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS668 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS66817TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 28a(28a),120A(tc) | 8V,10V | 4.1MOHM @ 20A,10V | 3.8V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 2860 pf @ 40 V | - | 6.2W(ta),113W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOT780A70L | 0.7092 | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS5™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT780 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOT780A70LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 7A(TC) | 10V | 780MOHM @ 1.4A,10V | 4.1V @ 250µA | 11.5 NC @ 10 V | ±20V | 675 PF @ 100 V | - | 89W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AONR32318 | 0.8600 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AONR323 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 50A(TC) | 4.5V,10V | 2.2MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 6360 pf @ 15 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOT10B65MQ2 | 0.9932 | ![]() | 4798 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alphaigbt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT10 | 标准 | 150 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOT10B65MQ2TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,10A,30OHM,15V | 106 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | |||||||||||||||
![]() | AOCA32106E | 0.2489 | ![]() | 4978 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | AOCA32106 | MOSFET (金属 o化物) | 2.8W(ta) | 10-Alphadfn(1.84x1.96) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOCA32106ETR | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n通道 | 12V | 25A(TA) | 3.4OHM @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 23nc @ 4.5V | - | 标准 | |||||||||||||||||
![]() | AONS66909 | 1.4206 | ![]() | 7234 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS669 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS66909TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 30a(TA),160A (TC) | 8V,10V | 4.2MOHM @ 20A,10V | 3.7V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 4100 PF @ 50 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOB410L | - | ![]() | 5132 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | SDMOS™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB410 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOB410L | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | (12A)(TA),150A (TC) | 7V,10V | 6.5MOHM @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 129 NC @ 10 V | ±25V | 7950 pf @ 50 V | - | 1.9W(TA),333W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOD1N60_001 | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | - | 到达不受影响 | 785-AOD1N60_001 | 1 | n通道 | 600 v | 1.3A(TC) | 10V | 9ohm @ 650mA,10v | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 160 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOD9N52 | - | ![]() | 9958 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD9 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | - | 到达不受影响 | 785-AOD9N52 | 1 | n通道 | 500 v | 9A(TC) | 10V | 860MOHM @ 4.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±30V | 1160 pf @ 25 V | - | 178W | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF4N60_DELTA | - | ![]() | 9321 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF4N60_DELTA | 1 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.2OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 V | ±30V | 615 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF12N60_001 | - | ![]() | 4836 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF12N60_001 | 1 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 550MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF3N50L | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF3N50L | 1 | n通道 | 500 v | 3A(TJ) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 331 PF @ 25 V | - | 31W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT7N60_001 | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | - | 到达不受影响 | 785-AOT7N60_001 | 1 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 3.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1035 PF @ 25 V | - | 192W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOW14N50_001 | - | ![]() | 4361 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW14 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | - | 到达不受影响 | 785-AOW14N50_001 | 1 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 380MOHM @ 7A,10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 2297 PF @ 25 V | - | 278W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOTF7S65L | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 大部分 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | - | 到达不受影响 | 785-AOTF7S65L | 1 | n通道 | 650 v | 7A(TC) | 10V | 650MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 9.2 NC @ 10 V | ±30V | 434 pf @ 25 V | - | 27W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOU3N50_001 | - | ![]() | 7990 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | - | 到达不受影响 | 785-AOU3N50_001 | 1 | n通道 | 500 v | 2.8A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 331 PF @ 25 V | - | 57W(TC) | ||||||||||||||||||
![]() | AOB15S60L | 1.6538 | ![]() | 6102 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 290MOHM @ 7.5A,10V | 3.8V @ 250µA | 15.6 NC @ 10 V | ±30V | 717 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOD11S60 | 2.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 399MOHM @ 3.8A,10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 545 pf @ 100 V | - | 208W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOT7S60L | 0.8952 | ![]() | 1537年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1269-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 600MOHM @ 3.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±30V | 372 PF @ 100 V | - | 104W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AOD4S60 | 1.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 900MOHM @ 2A,10V | 4.1V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±30V | 263 pf @ 100 V | - | 56.8W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOB4S60L | 0.8858 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB4S60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 900MOHM @ 2A,10V | 4.1V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±30V | 263 pf @ 100 V | - | 83W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AON7900 | - | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON790 | MOSFET (金属 o化物) | 1.8W | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 8a,13a | 21mohm @ 8a,10v | 2.3V @ 250µA | 11NC @ 10V | 710pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
![]() | AOT20S60L | 3.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 4.1V @ 250µA | 19.8 NC @ 10 V | ±30V | 1038 PF @ 100 V | - | 266W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOTF12N30 | 0.5103 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1385-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 300 v | 11.5A(TC) | 10V | 420MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 790 pf @ 25 V | - | 36W(TC) |
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