晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOWF4N60	0.5875	询价	4465	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF4		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.3欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	10V时为14.5nC	±30V	640pF@25V	-	25W（温度）
AO4850	-	询价	7862	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO485		MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			75V	2.3A		130毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	7nC@10V		380pF@30V	逻辑电平门
AOD516_002	-	询价	3674	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	33nC@10V	±20V	1229pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO6400_201	-	询价	7524	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO6400_201TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	6.9A（塔）	2.5V、10V	28毫欧@6.9A，10V	1.45V@250μA	7nC@4.5V	±12V	630pF@15V	-	2W（塔）
AO6808_101	-	询价	5337	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO680		MOSFET（金属O化物）	800毫W	6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1	2个N沟道（双）共漏极			20V	4.6A		23毫欧@6A，4.5V	1V@250μA	21nC@10V		780pF@10V	逻辑电平门
AOI66406	0.2255	询价	2358	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI664		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOI66406TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		40V	25A（Ta）、60A（Tc）	4.5V、10V	6.1毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1480pF@20V	-	6.2W（Ta）、52W（Tc）
奥恩斯21113	0.7008	询价	5076	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯211		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS21113TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	44A（Ta）、70A（Tc）	2.5V、10V	2.2毫欧@20A，10V	1.1V@250μA	550nC@10V	±12V	18700pF@10V	-	6.2W（Ta）、138W（Tc）
AO4914_101	-	询价	3771	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO491		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		20.5毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		865pF@15V	-
AOD5N50	0.3289	询价	6933	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		500V	5A（温度）	10V	1.6欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	14nC@10V	±30V	670pF@25V	-	104W（温度）
AOK50B65M2	6.1800	询价	第232章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK50	标准		500W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1756	EAR99	8541.29.0095	240			400V，50A，6欧姆，15V											327纳秒	-	650伏	100A	150A	2.2V@15V，50A	2.09mJ（开），1.03mJ（关）	102纳克	46纳秒/182纳秒
AOD452AL_008	-	询价	4043	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD45		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		25V	55A（温度）	4.5V、10V	8毫欧@30A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	12.5V时为1450pF	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
奥安6594	0.2213	询价	7768	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安659		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	22A（Ta）、35A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	22nC@10V	±20V	1037pF@15V	-	5W（Ta）、39W（Tc）
AOD9N40	0.7655	询价	4633	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD9		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	8A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	760pF@25V	-	125W（温度）
AOK40B65H2AL	2.0845	询价	2981	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		260W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			600V，40A，7.5欧姆，15V											315纳秒	-	650伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	1.17mJ（开），540μJ（关）	61nC	30纳秒/117纳秒
AOW12N65	0.9866	询价	2507	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW12		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	12A（温度）	10V	720毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	48nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	278W（温度）
AOTF12N65A	-	询价	4883	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	奥特夫12				TO-220F	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
怡安7900	-	询价	8813	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安790		MOSFET（金属O化物）	1.8W	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	8A、13A		21毫欧@8A，10V	2.3V@250μA	11nC@10V		710pF@15V	逻辑电平门
AOD11S60	2.2300	询价	2	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD11		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	399毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	208W（温度）
AOT412	0.8770	询价	9994	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT41		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1241-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	8.2A（Ta）、60A（Tc）	7V、10V	15.8毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±25V	50V时为3220pF	-	2.6W（Ta）、150W（Tc）
AOTF2910L	1.2500	询价	28	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	AOTF2910		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1615-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	22A（温度）	4.5V、10V	24毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	15nC@10V	±20V	1190pF@50V	-	2.1W（Ta）、27W（Tc）
AOB66919L	1.1680	询价	3995	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB66919		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB66919LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	26A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	10W（Ta）、187W（Tc）
AON6414A	0.4700	询价	29	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安641		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	2.3W（Ta）、31W（Tc）
AO3495	-	询价	4691	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3495TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	5A（塔）	1.5V、4.5V	41毫欧@4A、4.5V	900mV@250μA	20nC@4.5V	±8V	751pF@10V	-	1.5W（塔）
AONR66620	0.8900	询价	9318	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR666		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		60V	17.5A（Ta）、24A（Tc）	8V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	25nC@10V	±20V	1070pF@30V	-	5W（Ta）、27W（Tc）
AOT10B60D	1.0867	询价	8665	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	奥特10	标准		163 W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，10A，30欧姆，15V											105纳秒	-	600伏	20A	40A	1.8V@15V，10A	260μJ（开），70μJ（关）	17.4nC	10纳秒/72纳秒
奥恩斯36352	-	询价	8371	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				奥恩斯363					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS36352TR	EAR99	8541.29.0095	3,000
冠安6514	-	询价	第1569章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安651		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	23A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	4.1W（Ta）、25W（Tc）
奥恩斯66916	3.4500	询价	8351	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	100A（温度）	6V、10V	3.6毫欧@20A，10V	3.6V@250μA	95nC@10V	±20V	5325pF@50V	-	215W（温度）
AOD66920	1.3400	询价	148	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	19.5A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	8.2毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	6.2W（Ta）、89W（Tc）
AOTF27S60L	4.0100	询价	5	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫27		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	27A（温度）	10V	160毫欧@13.5A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±30V	1294pF@100V	-	50W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²