晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
怡安1634	0.1286	询价	9216	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-PowerUFDFN	怡安16		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (1.6x1.6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	54mOhm@4A，10V	1.5V@250μA	10nC@10V	±12V	15V时为245pF	-	1.8W（塔）
怡安6382	0.4601	询价	5383	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON63		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	85A（温度）	4.5V、10V	1.85毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	65nC@10V	±20V	15V时为3100pF	-	50W（温度）
AO6604L_001	-	询价	3111	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO660		MOSFET（金属O化物）	1.1W	6-TSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道互补			20V	3.4A、2.5A		60毫欧@3.4A，4.5V	1V@250μA	3.8nC@4.5V		320pF@10V	逻辑电平门
AOK40B65H2AL	2.0845	询价	2981	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		260W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			600V，40A，7.5欧姆，15V											315纳秒	-	650伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	1.17mJ（开），540μJ（关）	61nC	30纳秒/117纳秒
AO4801	-	询价	3985	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4801TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			30V	5A（塔）		48毫欧@5A，10V	1.3V@250μA	7nC@4.5V		645pF@15V	-
AOTF29S50L	2.4108	询价	2734	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫29		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1444-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	29A（温度）	10V	150mOhm@14.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为26.6nC	±30V	1312pF@100V	-	37.9W（温度）
怡安7400AL	-	询价	2753	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（Ta）、25W（Tc）
奥努32320	-	询价	5757	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥努323		MOSFET（金属O化物）	5W（Ta）、16.5W（Tc）	8-DFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONU32320TR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 个 N 沟道（双）			30V	15A（Ta）、15A（Tc）		13毫欧@11A，10V	2.3V@250μA	40nC@10V		1500pF@15V	-
AOB66914L	4.3664	询价	9268	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB66914		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB66914LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	45A（Ta）、120A（Tc）	6V、10V	3.5毫欧@20A，6V	3.5V@250μA	220nC@10V	±20V	12500pF@50V	-	10W（Ta）、375W（Tc）
AOT22N50L	1.3444	询价	9201	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT22N50		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	22A（温度）	10V	260毫欧@11A，10V	4.5V@250μA	83nC@10V	±30V	3710pF@25V	-	417W（温度）
AOW12N65	0.9866	询价	2507	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW12		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	12A（温度）	10V	720毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	48nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	278W（温度）
AOTF12N65A	-	询价	4883	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	奥特夫12				TO-220F	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
怡安7900	-	询价	8813	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安790		MOSFET（金属O化物）	1.8W	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	8A、13A		21毫欧@8A，10V	2.3V@250μA	11nC@10V		710pF@15V	逻辑电平门
AOT9N70	0.6820	询价	5550	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT9		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		700伏	9A（温度）	10V	1.2欧姆@4.5A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1630pF@25V	-	236W（温度）
AOD4130	0.9500	询价	172	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	6.5A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	24毫欧@20A，10V	2.8V@250μA	34nC@10V	±20V	1900pF@30V	-	2.5W（Ta）、52W（Tc）
AO3401AL	-	询价	第1456章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	50mOhm@4A，10V	1.3V@250μA	14nC@10V	±12V	645pF@15V	-	1.4W（塔）
AOT12N30L	0.5702	询价	9554	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特12		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1409-5	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		300伏	11.5A（温度）	10V	420毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	790pF@25V	-	132W（温度）
AOD496	-	询价	第1757章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD49		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	62A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	23nC@10V	±20V	1200pF@15V	-	2.5W（Ta）、62.5W（Tc）
AOD4120	-	询价	8856	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		20V	25A（温度）	2.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2V@250μA	18nC@10V	±16V	900pF@10V	-	2.5W（Ta）、33W（Tc）
AO4914_101	-	询价	3771	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO491		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A		20.5毫欧@8A，10V	2.4V@250μA	18nC@10V		865pF@15V	-
AO4614BL_台达	-	询价	2445	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4614		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			40V	6A（塔）、5A（塔）		30mOhm @ 6A、10V、45mOhm @ 5A、10V	3V@250μA	10V时为10.8nC，10V时为22nC		650pF @ 20V, 1175pF @ 20V	-
AOI452A	-	询价	第1137章	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOI452		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		25V	55A（温度）	4.5V、10V	7.3毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	26nC@10V	±20V	12.5V时为1450pF	-	3.2W（Ta）、50W（Tc）
美国在线1404G	0.2262	询价	1925年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-PowerSMD，写入	美国在线14		MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	30A（Ta）、46A（Tc）	2.5V、4.5V	4.6毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	6.2W（Ta）、50W（Tc）
AO4449L	-	询价	2134	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	7A（塔）	4.5V、10V	34毫欧@7A，10V	2.4V@250μA	16nC@10V	±20V	910pF@15V	-	3.1W（塔）
AOTF296L	1.8900	询价	第887章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫296		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1772	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100伏	10A（Ta）、41A（Tc）	6V、10V	10毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	52nC@10V	±20V	2785pF@50V	-	2.2W（Ta）、36.5W（Tc）
AO4842L	-	询价	8317	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO484		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	-		22毫欧@7.5A，10V	2.6V@250μA	11nC@10V		448pF@15V	逻辑电平门
AOD9N40	0.7655	询价	4633	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD9		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	8A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	760pF@25V	-	125W（温度）
AOTF292L	1.7111	询价	4537	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	奥特夫292		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	70A（温度）	6V、10V	4.5毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	126nC@10V	±20V	50V时为6775pF	-	47W（温度）
AO3420L_103	-	询价	7381	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					6A（塔）
建安7522E	0.5700	询价	92	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	21A（Ta）、34A（Tc）	4.5V、10V	4mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V	±20V	1540pF@15V	-	3.1W（Ta）、31W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²