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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
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![]() | AONS66405 | 1.0512 | ![]() | 2326 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS664 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS66405TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 68A(TA),310a (TC) | 8V,10V | 0.95Mohm @ 20a,10v | 3.4V @ 250µA | 165 NC @ 10 V | ±20V | 9700 PF @ 20 V | - | 7.3W(ta),215W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AONR66924 | 0.7900 | ![]() | 7923 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AONR669 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 100 v | 13a(TA),32a (TC) | 4.5V,10V | 13.5MOHM @ 20A,10V | 2.6V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1450 pf @ 50 V | - | (5W)(TA),30W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AONR66820 | 0.5451 | ![]() | 3192 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt2™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AONR668 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONR66820TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 80 V | 17a(17a),50A(tc) | 8V,10V | 8.8mohm @ 17a,8v | 4.1V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 1950 pf @ 40 V | - | 4.1W(ta),104W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOB66919L | 1.1680 | ![]() | 3995 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | AOB66919 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOB66919LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 100 v | 26a(26a),105a(tc) | 4.5V,10V | 6.5MOHM @ 20A,10V | 2.6V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±20V | 3420 PF @ 50 V | - | 10W(10W),187W((tc) | |||||||||||||||
![]() | AOK50B65GL1 | 2.6182 | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alphaigbt™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK50 | 标准 | 312 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AOK50B65GL1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 300V,50A,100OHM,15V | - | 650 v | 100 a | 300 a | 2V @ 15V,50a | 3.37mj(在)上,1.59mj off) | 120 NC | 282NS/915NS | ||||||||||||||||
AOL1404G | 0.2262 | ![]() | 1925年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-PowersMD,平坦的铅 | AOL14 | MOSFET (金属 o化物) | Ultraso-8™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 30a(30a),46A (TC) | 2.5V,4.5V | 4.6mohm @ 20a,4.5V | 1.25V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 V | ±12V | 3300 PF @ 10 V | - | 6.2W(ta),50W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOC3870A | 0.3687 | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 10-SMD,没有铅 | AOC387 | MOSFET (金属 o化物) | 2.3W(ta) | 10-Alphadfn(3.01x1.52) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双)公共排水 | 12V | 22a(22a) | 3.7MOHM @ 5A,4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | AON7426_101 | - | ![]() | 1771年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON742 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 18A(18A),40A (TC) | 4.5V,10V | 5.5MOHM @ 18A,10V | 2.35V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2120 PF @ 15 V | - | 3.1W(ta),29W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOSS21115C | 0.4900 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AOSS211 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.5A(ta) | 1.8V,4.5V | 40mohm @ 4.5A,4.5V | 950mv @ 250µA | 17 NC @ 4.5 V | ±8V | 930 PF @ 10 V | - | 1.3W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AOC2840 | - | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AOC284 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AOC2840TR | 过时的 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AONS36312 | 0.4514 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS363 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AONS36312TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 42.5a(ta),85a tc) | 4.5V,10V | 2.1MOHM @ 20A,10V | 1.9V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±12V | 2500 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),48W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4482L_101 | - | ![]() | 4342 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AO44 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 6a(6a) | 4.5V,10V | 37mohm @ 6a,10v | 2.7V @ 250µA | 44 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 50 V | - | 3.1W(TA) | ||||||||||||||||
![]() | AON6108FD | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | - | AON6108 | - | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AON6108FDTR | 过时的 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | AON7432 | - | ![]() | 4107 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON743 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 10.5A(ta),18A(tc) | 2.5V,10V | 15mohm @ 10.5a,10v | 1.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±12V | 813 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA),20.8W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO3442 | 0.4000 | ![]() | 428 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 1A(1A) | 4.5V,10V | 630MOHM @ 1A,10V | 2.9V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±20V | 100 pf @ 50 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||
AOL1418 | - | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 3-PowersMD,平坦的铅 | AOL14 | MOSFET (金属 o化物) | Ultraso-8™ | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | (15A)(ta),85a tc) | 4.5V,10V | 6mohm @ 20a,10v | 2.6V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 V | ±20V | 1600 pf @ 15 V | - | 2.08W(TA),100W(TC) | |||||||||||||||||
![]() | AOU7S60 | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | aou7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 600MOHM @ 3.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 V | ±30V | 372 PF @ 100 V | - | 83W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOK40B60D1 | 4.2000 | ![]() | 7288 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK40 | 标准 | 278 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1623-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,7.5Ohm,15V | 127 ns | - | 600 v | 80 a | 140 a | 2.4V @ 15V,40a | 1.55MJ(在)上,300µJ off) | 45 NC | 29NS/74NS | ||||||||||||||
![]() | AOD4TL60 | - | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | AOD4 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOK20B135D1 | 4.6200 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK20 | 标准 | 340 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1687-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,20a,15ohm,15V | - | 1350 v | 40 a | 80 a | 1.8V @ 15V,20A | 1.05MJ() | 66 NC | - /156ns | |||||||||||||||
![]() | AOK10B60D | 2.0865 | ![]() | 6425 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK10 | 标准 | 163 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1593-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,10A,30OHM,15V | 105 ns | - | 600 v | 20 a | 40 a | 1.8V @ 15V,10a | (260µJ)(在70µj(()上 | 17.4 NC | 10NS/72NS | ||||||||||||||
![]() | AOD5N50 | 0.3289 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 670 pf @ 25 V | - | 104W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOT5N60 | - | ![]() | 5974 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1188-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 5A(TC) | 10V | 1.8Ohm @ 2.5a,10v | 4.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 700 pf @ 25 V | - | 132W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AO3400A | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,SOT-23-3变体 | AO34 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 5.7A(ta) | 2.5V,10V | 26.5MOHM @ 5.7A,10V | 1.5V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 V | ±12V | 630 pf @ 15 V | - | 1.4W(TA) | |||||||||||||||
![]() | AO8801L | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | - | AO880 | MOSFET (金属 o化物) | 1.4W | 8-tssop | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 4.7a(ta) | 42MOHM @ 4.7A,4.5V | 1V @ 250µA | 17.2nc @ 10V | 1450pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||
AONS66966 | 2.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AONS669 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 31.3a(TA),100A(tc) | 6V,10V | 3.6mohm @ 20a,10v | 3.6V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 5325 PF @ 50 V | - | 6.2W(TA),215W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON7418 | 1.1000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | AON741 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 46a(ta),50a(tc) | 4.5V,10V | 1.7MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 2994 pf @ 15 V | - | 6.2W(ta),83W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOK30B120D2 | 3.3651 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | AOK30 | 标准 | 340 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 240 | 600V,30a,10ohm,15V | - | 1200 v | 60 a | 120 a | 2.2V @ 15V,30a | 1.28MJ() | 67 NC | - /115ns | ||||||||||||||||
![]() | AOT282L | 2.0257 | ![]() | 3422 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT282 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 80 V | 18.5A(ta),105A(tc) | 6V,10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 7765 PF @ 40 V | - | 2.1W(TA),272.5W(TC) | |||||||||||||||
AOW12N60 | 0.9287 | ![]() | 8861 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | AOW12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 550MOHM @ 6A,10V | 4.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2100 PF @ 25 V | - | 278W(TC) |
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