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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AOC2421 | 0.2101 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | AOC24 | MOSFET (金属 o化物) | 4-Alphadfn(0.97x0.97) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | P通道 | 8 V | 2.5a(ta) | 1.2V,2.5V | 62MOHM @ 1.5A,2.5V | 700MV @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | ±5V | 752 PF @ 4 V | - | 600MW(TA) | |||||||||||||||
![]() | AOD2210 | 0.6689 | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | AOD22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 3A(3A),18A (TC) | 5V,10V | 105mohm @ 18a,10v | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2065 PF @ 100 V | - | 2.5W(TA),100W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AON2803 | 0.2376 | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | AON280 | MOSFET (金属 o化物) | 1.5W | 6-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 3.8a | 70MOHM @ 3.8A,4.5V | 1V @ 250µA | 12nc @ 4.5V | 560pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
AON6524 | - | ![]() | 4182 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON652 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 27A(27A),68a tc(TC) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.3V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1080 pf @ 15 V | - | 5.7W(TA),35.5W(tc) | ||||||||||||||||
AON6538 | - | ![]() | 7085 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON653 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(30a),75a tc(TC) | 4.5V,10V | 4mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 1315 PF @ 15 V | - | 5.6W(TA),35.5W(TC) | ||||||||||||||||
AON6566 | 0.2360 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON656 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 29A(ta),32a(tc) | 4.5V,10V | 5mohm @ 20a,10v | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 15 V | - | 6W(6W),25W(25W)TC) | ||||||||||||||||
![]() | AON6928 | - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON692 | MOSFET (金属 o化物) | 3.6W,4.3W | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 17a,30a | 8.2MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 24NC @ 10V | 1150pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||
AON7296 | 0.6400 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | aon72 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 100 v | (5A ta),12.5A(TC) | 4.5V,10V | 66mohm @ 5a,10v | 2.8V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 415 PF @ 50 V | - | 3.1W(TA),20.8W(tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON7409 | - | ![]() | 9125 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON740 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | (16A)(TA),32a(tc) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 16a,10v | 2.7V @ 250µA | 58 NC @ 10 V | ±25V | 2142 PF @ 15 V | - | 3.1W(ta),96W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOT2610L | 0.6710 | ![]() | 4721 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT2610 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | (9A)(ta),55a tc(TC) | 4.5V,10V | 10.7MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2007 PF @ 30 V | - | 2.1W(ta),75W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOT282L | 2.0257 | ![]() | 3422 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT282 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 80 V | 18.5A(ta),105A(tc) | 6V,10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 7765 PF @ 40 V | - | 2.1W(TA),272.5W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOT284L | 1.3215 | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT284 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 80 V | 16a(16a),105a(tc) | 6V,10V | 4.5MOHM @ 20A,10V | 3.3V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 5154 pf @ 40 V | - | 2.1W(250W)(250W)TC) | |||||||||||||||
![]() | AOTF10B60D | 1.0267 | ![]() | 7745 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF10 | 标准 | 42 W | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,10A,30OHM,15V | 105 ns | - | 600 v | 20 a | 40 a | 1.8V @ 15V,10a | (260µJ)(在70µj(()上 | 17.4 NC | 10NS/72NS | |||||||||||||||
![]() | AOTF11C60 | - | ![]() | 4383 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF11 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 400MOHM @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±30V | 2010 PF @ 50 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF256L | 0.6899 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF256 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 150 v | (3a ta),12a(tc) | 4.5V,10V | 85mohm @ 10a,10v | 2.8V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1165 PF @ 75 V | - | 2.1W(TA),33W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF2916L | 0.5387 | ![]() | 3712 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF2916 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | (5A)(17a tc)(TC) | 4.5V,10V | 34mohm @ 10a,10v | 2.7V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 870 pf @ 50 V | - | 2.1W(TA),23.5W(tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF3N100 | 0.9470 | ![]() | 1773年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 1000 v | 2.8A(TC) | 10V | 6ohm @ 1.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 830 pf @ 25 V | - | 38W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOTF5N50FD | 0.7056 | ![]() | 1982 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.8Ohm @ 2.5a,10v | 4.2V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 530 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOI2N60A | 0.2634 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 不适合新设计 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3存根线,IPAK | AOI2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1646-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 600 v | 2A(TC) | 10V | 4.7ohm @ 1A,10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±30V | 295 pf @ 25 V | - | 57W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AOT2500L | 4.1700 | ![]() | 7122 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOT2500 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1650-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 150 v | 11.5A(TA),152a (TC) | 6V,10V | 6.5MOHM @ 20A,10V | 3.5V @ 250µA | 136 NC @ 10 V | ±20V | 6460 pf @ 75 V | - | 2.1W(TA),375W(tc) | ||||||||||||||
![]() | AOTF12T50P | - | ![]() | 1138 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1652-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 500mohm @ 6a,10v | 5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1477 PF @ 100 V | - | 43W(TC) | ||||||||||||||
![]() | AOTF7T60PL | 0.7900 | ![]() | 808 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1653-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.1OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 965 PF @ 100 V | - | 29W(TC) | |||||||||||||||
![]() | AOWF10T60P | - | ![]() | 1777年 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3完整包,i²pak | AOWF10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-262F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1655-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 700MOHM @ 5A,10V | 5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1595 PF @ 100 V | - | 28W(TC) | ||||||||||||||
AON6294 | 1.6400 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon62 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | (17a)(52A(ta)(TC) | 6V,10V | 10mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2265 PF @ 50 V | - | 6.2W(ta),57W(tc) | ||||||||||||||||
AON6518 | - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON651 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 48A(ta),85A(tc) | 4.5V,10V | 1.75MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 3700 PF @ 15 V | - | 6.2W(ta),56w(tc) | |||||||||||||||||
AON6558 | 0.5200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON655 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 25a(25A),28a (TC) | 4.5V,10V | 5.1MOHM @ 20A,10V | 2.2V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1128 PF @ 15 V | - | (5W)(24W)(24W)TC) | ||||||||||||||||
![]() | AON6946 | 0.2406 | ![]() | 6433 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON694 | MOSFET (金属 o化物) | 3.5W,3.9W | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(半桥) | 30V | 14a,18a | 11.6mohm @ 13A,10V | 2.2V @ 250µA | 15nc @ 10V | 485pf @ 15V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||
![]() | AON7254 | 1.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | alphamos | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | aon72 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 150 v | 5.5a(ta),17a (TC) | 4.5V,10V | 54mohm @ 5A,10V | 2.7V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±20V | 675 PF @ 75 V | - | 4.1W(TA),39W(tc) | |||||||||||||||
AON6590_002 | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | AON659 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-AON6590_002TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 40 V | 67A(TA),100A(tc) | 4.5V,10V | 0.99mohm @ 20a,10v | 2.3V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 8320 PF @ 20 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) | |||||||||||||||
aon6152a | 2.7300 | ![]() | 2075 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-powersmd,平面线 | aon61 | MOSFET (金属 o化物) | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 58a(ta),100a(tc) | 4.5V,10V | 1.15MOHM @ 20A,10V | 2.3V @ 250µA | 155 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 22.5 V | - | 7.3W(ta),208W(tc) |
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