晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOT8N50	1.2500	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT8		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1171-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	8A（温度）	10V	850mOhm@4A，10V	4.5V@250μA	28nC@10V	±30V	1042pF@25V	-	192W（温度）
怡安2405	0.2051	询价	7274	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	8A（塔）	1.5V、4.5V	32mOhm@8A，4.5V	900mV@250μA	18nC@4.5V	±8V	10V时为1025pF	-	2.8W（塔）
AO3453	-	询价	4727	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO3453TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	2.6A（塔）	2.5V、10V	115毫欧@2.6A，10V	1.4V@250μA	15nC@10V	±12V	260pF@15V	-	1.4W（塔）
AOTF12T50PL	-	询价	9381	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		500V	12A（温度）	10V	500mOhm@6A，10V	5V@250μA	32nC@10V	±30V	100V时为1477pF	-	33W（温度）
AON7410L_105	-	询价	3864	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安741		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	8A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	20毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	12nC@10V	±20V	660pF@15V	-	1.7W（Ta）、20W（Tc）
建安7522E	0.5700	询价	92	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	21A（Ta）、34A（Tc）	4.5V、10V	4mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V	±20V	1540pF@15V	-	3.1W（Ta）、31W（Tc）
AO3420L_103	-	询价	7381	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO34					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					6A（塔）
怡安7140	0.7300	询价	2389	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	怡安714		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	50A（温度）	4.5V、10V	2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	60nC@10V	±20V	3350pF@20V	-	46W（温度）
AO4427	-	询价	9530	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	12.5A（塔）	4.5V、10V	12毫欧@12.5A，20V	3V@250μA	52nC@10V	±25V	2900pF@15V	-	3W（塔）
奥恩斯66817	0.7231	询价	9788	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT2™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯668		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS66817TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		80V	28A（Ta）、120A（Tc）	8V、10V	4.1毫欧@20A，10V	3.8V@250μA	54nC@10V	±20V	2860pF@40V	-	6.2W（Ta）、113W（Tc）
AOTF12N60	0.8252	询价	9357	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫12		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	12A（温度）	10V	550mOhm@6A，10V	4.5V@250μA	50nC@10V	±30V	2100pF@25V	-	50W（温度）
冠安6264E	0.3091	询价	9575	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62				8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					28A（温度）
AONR66922	1.4400	询价	27	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	AONR669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	15A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	9毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	46nC@10V	±20V	2180pF@50V	-	4.1W（Ta）、52W（Tc）
AOD8N25	0.4160	询价	7088	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD8		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		250伏	8A（温度）	10V	560毫欧@1.5A，10V	4.3V@250μA	10V时为7.2nC	±30V	306pF@25V	-	78W（温度）
奥卡32106E	0.2489	询价	4978	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡32106		MOSFET（金属O化物）	2.8W（塔）	10-AlphaDFN (1.84x1.96)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA32106ETR	EAR99	8541.29.0095	8,000	2 N 沟道			12V	25A（塔）		3.4欧姆@5A，4.5V	1.1V@250μA	23nC@4.5V		-	标准
AO5401EL	-	询价	1150	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	AO5401		MOSFET（金属O化物）		SC-89-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	500mA（塔）	1.8V、4.5V	800毫欧@500毫安，4.5伏	900mV@250μA		±8V	100pF@10V	-	280毫W（塔）
怡安6910A	-	询价	9859	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安6910		MOSFET（金属O化物）	1.9W、2W	8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	9.1A、16A		14毫欧@9.1A，10V	2.4V@250μA	9nC@10V		670pF@15V	逻辑电平门
奥恩克斯36372	0.9880	询价	4608	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极			-	奥恩克斯363					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	3,000					-
AO4405E	-	询价	2198	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	6A（塔）	4.5V、10V	45毫欧@6A，10V	1.5V@250μA	16nC@10V	±20V	495pF@15V	-	2.5W（塔）
AOI530	-	询价	8675	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI53		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1649-5	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	23A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	62nC@10V	±20V	15V时为3130pF	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AO7414_001	-	询价	2099	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	AO741		MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		20V	2A（塔）	1.8V、4.5V	62毫欧@2A，4.5V	1V@250μA	3.8nC@4.5V	±8V	10V时为320pF	-	350毫W（塔）
AOT440	-	询价	第1742章	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT44		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	15.5A（Ta）、105A（Tc）	4.5V、10V	4.7毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	90nC@10V	±20V	5600pF@20V	-	2.1W（Ta）、150W（Tc）
AO5404E	0.3700	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-89、SOT-490	AO5404		MOSFET（金属O化物）		SC-89-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	500mA（塔）	1.8V、4.5V	550mOhm @ 500mA，4.5V	1V@250μA	1nC@4.5V	±8V	45pF@10V	-	280毫W（塔）
AOD4182_001	-	询价	6225	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD418				TO-252（DPAK）	-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	2,500人					-
AOT15B60D	1.4125	询价	1748	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT15	标准		167 W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1590-5	EAR99	8541.29.0095	50			400V，15A，20欧姆，15V											196纳秒	-	600伏	30A	60A	1.8V@15V，15A	420μJ（开），110μJ（关）	25.4nC	21纳秒/73纳秒
AOSS21115C	0.4900	询价	58	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS211		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	4.5A（塔）	1.8V、4.5V	40mOhm@4.5A，4.5V	950mV@250μA	17nC@4.5V	±8V	930pF@10V	-	1.3W（塔）
AOW14N50_001	-	询价	4361	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW14		MOSFET（金属O化物）		TO-262	-			REACH 不出行	785-AOW14N50_001			1		N沟道		500V	14A（温度）	10V	380毫欧@7A，10V	4.5V@250μA	51nC@10V	±30V	2297pF@25V	-	278W（温度）
AOD496	-	询价	第1757章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD49		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	62A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	23nC@10V	±20V	1200pF@15V	-	2.5W（Ta）、62.5W（Tc）
AOD4120	-	询价	8856	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		20V	25A（温度）	2.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2V@250μA	18nC@10V	±16V	900pF@10V	-	2.5W（Ta）、33W（Tc）
AOK20B120E1	2.8140	询价	9352	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		333 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1750	EAR99	8541.29.0095	240			600V，20A，15欧姆，15V												-	1200伏	40A	80A	2.1V@15V，20A	830μJ（关闭）	60.5纳克	-/134ns

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²