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（2247）
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| AONS21357 | 0.6800 | | 93 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AONS213 | MOSFET （金属 o化物） | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 21a（21a），36a （TC） | 4.5V，10V | 7.8mohm @ 20a，10v | 2.3V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±25V | 2830 pf @ 15 V | - | 5W（5W），48W（（（（（ | |||
 | AOL1404G | 0.2262 | | 1925年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 3-PowersMD，平坦的铅 | AOL14 | MOSFET （金属 o化物） | Ultraso-8™ | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 30a（30a），46A （TC） | 2.5V，4.5V | 4.6mohm @ 20a，4.5V | 1.25V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 V | ±12V | 3300 PF @ 10 V | - | 6.2W（ta），50W（TC） | |||
| AOC3870A | 0.3687 | | 6592 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-SMD，没有铅 | AOC387 | MOSFET （金属 o化物） | 2.3W（ta） | 10-Alphadfn（3.01x1.52） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 12V | 22a（22a） | 3.7MOHM @ 5A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | |||||
| AOC3870 | - | | 4591 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 10-SMD，没有铅 | AOC387 | MOSFET （金属 o化物） | 2.2W（ta） | 10-Alphadfn（3.01x1.52） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8,000 | 2 n 通道（双）公共排水 | 12V | 25A（TA） | 2.8mohm @ 5A，4.5V | 1.1V @ 250µA | 32nc @ 4.5V | - | - | |||||
| AON7426_101 | - | | 1771年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON742 | MOSFET （金属 o化物） | 8-DFN-EP（3x3） | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 18A（18A），40A （TC） | 4.5V，10V | 5.5MOHM @ 18A，10V | 2.35V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2120 PF @ 15 V | - | 3.1W（ta），29W（tc） | ||||
| AO4435_201 | - | | 2003 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AO44 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P通道 | 30 V | 10.5a（ta） | 5V，20V | 14mohm @ 11a，20v | 3V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±25V | 1400 pf @ 15 V | - | 3.1W（TA） | |||
 | aon6912als_102 | - | | 7789 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powervdfn | AON6912 | MOSFET （金属 o化物） | （1.9W）（22W ta）（22w tc），2.1W（ta（30W ta）（30W）TC） | 8-DFN（5x6） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 30V | 10a（10a），34a（tc），13.8a ta（52a ta）（TC） | 13.7MOHM @ 10a，10v，7.3Mohm @ 20a，10v | 2.5V @ 250µA | 17nc @ 10v，20nc @ 10V | 910pf @ 15V，1300pf @ 15V | - | |||||
 | AOD3N50_002 | - | | 5770 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -50°C〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | AOD3 | MOSFET （金属 o化物） | TO-252（DPAK） | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 2.8A（TC） | 10V | 3ohm @ 1.5A，10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±30V | 331 PF @ 25 V | - | 57W（TC） | ||||
| AOTF11S60_900 | - | | 3600 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | AOTF11 | MOSFET （金属 o化物） | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
| AOTF20S60_001 | - | | 7146 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | AOTF20 | MOSFET （金属 o化物） | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | - | - | - | - | - | - | - | |||||||
| AOD1R4A70 | 0.4939 | | 4333 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | AMOS™ | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | AOD1R4 | MOSFET （金属 o化物） | TO-252（DPAK） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 700 v | 3.8A（TC） | 10V | 1.4OHM @ 1A，10V | 4.1V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±20V | 354 pf @ 100 V | - | 48W（TC） | |||
| AONS66920 | 1.3700 | | 132 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | AONS669 | MOSFET （金属 o化物） | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 17.5A（ta），48a tc） | 4.5V，10V | 8.2MOHM @ 20A，10V | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2500 PF @ 50 V | - | 5W（5W），56.5W（TC） | |||
 | AONX38168 | 2.1800 | | 1 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | Xspairfet™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | AONX381 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（TA），20W（tc），3.2W（ta（69w（ta）（TC） | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 25V | 25a（25a），62a（tc（62a），50a（ta（85a tc）（TC） | 3.3mohm @ 20a，10v，0.8Mohm @ 20a，10v | 1.9V @ 250µA，1.8V @ 250µA | 24nc @ 10v，85nc @ 10v | 1150pf @ 12.5V，4520pf @ 12.5V | - | |||||
 | Aony36354 | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-powersmd，平面线 | Aony363 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W（3.1W），21W（（（（（（），3.1W ta（31.5w ta），TC） | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道（双） | 30V | 18.5a（ta），49a （TC），27a ta（85a ta）（85a tc） | 5.3MOHM @ 20a，10v，2.6Mohm @ 20a，10v | 2.1V @ 250µA，1.9V @ 250µA | 20NC @ 10V，40NC @ 10V | 820pf @ 15V，1890pf @ 15V | - | |||||
| AOSP66923 | 0.9600 | | 11 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | Alplosgt™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | AOSP669 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 12a（12a） | 4.5V，10V | 11mohm @ 12a，10v | 2.6V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 1725 PF @ 50 V | - | 3.1W（TA） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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