晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
怡安6794	0.3213	询价	6243	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	39A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	1.9V@250μA	10V时为37.5nC	±12V	15V时为2150pF	-	6.2W（Ta）、42W（Tc）
奥恩斯21303C	0.5968	询价	5741	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯213		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AONS21303CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	38A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	320nC@10V	±20V	13240pF@15V	-	6.2W（Ta）、138W（Tc）
AO6405L	-	询价	7174	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	5A（塔）	4.5V、10V	52mOhm@5A，10V	3V@250μA	18nC@10V	±20V	15V时为840pF	-	2W（塔）
AOC2401	-	询价	9073	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-SMD，无铅	AOC24		MOSFET（金属O化物）		4-AlphaDFN (1.57x1.57)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	3A（塔）	2.5V、10V	41毫欧@1.5A，10V	1.3V@250μA	40nC@10V	±12V	1327pF@15V	-	550毫W（塔）
AOTS32334C	0.0803	询价	4961	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AOTS32334		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOTS32334CTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@8A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	600pF@15V	-	2.5W（塔）
冠安6162	1.3438	询价	7962	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON61		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	100A（温度）	6V、10V	2.1毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	100nC@10V	±20V	4850pF@30V	-	215W（温度）
AO4726	-	询价	8454	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO47		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	20A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	73nC@10V	±12V	3800pF@15V	肖特基分化（体）	1.7W（塔）
AO3415B	-	询价	8326	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的			-	AO34		-		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1												-
AO4488L_101	-	询价	7854	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	15A（塔）	4.5V、10V	4.6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	112nC@10V	±20V	6800pF@15V	-	1.7W（塔）
AO4419_003	-	询价	7585	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	9.7A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@9.7A，10V	2.7V@250μA	32nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
AOSP66919	0.6503	询价	9342	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP669		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOSP66919TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	16A（塔）	4.5V、10V	6.5毫欧@16A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	3.1W（塔）
AOTF66920L	0.9759	询价	2010年	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF66920		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1839	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	22.5A（Ta）、41A（Tc）	4.5V、10V	8.2毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	8.3W（Ta）、27.5W（Tc）
AO4404B	0.2148	询价	9928	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	8.5A（塔）	2.5V、10V	24毫欧@8.5A，10V	1.5V@250μA	12nC@4.5V	±12V	1100pF@15V	-	3.1W（塔）
建安7422GS	-	询价	8087	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	卷带式 (TR)	的积极				怡安742					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
AOD4136L	-	询价	1248	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		25V	25A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	16.8nC@10V	±20V	734pF@12.5V	-	2.1W（Ta）、30W（Tc）
AOT4N60	1.0500	询价	第941章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT4		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1187-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.2欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	18nC@10V	±30V	615pF@25V	-	104W（温度）
冠安6526	-	询价	8011	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安652		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	24A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	33nC@10V	±20V	1229pF@15V	-	6W（Ta）、25W（Tc）
怡安6946	0.2406	询价	6433	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安694		MOSFET（金属O化物）	3.5W、3.9W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（半桥）			30V	14A、18A		11.6毫欧@13A，10V	2.2V@250μA	15nC@10V		485pF@15V	逻辑电平门
AO3400	-	询价	2412	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	5.8A（塔）	2.5V、10V	28毫欧@5.8A，10V	1.45V@250μA	7nC@4.5V	±12V	630pF@15V	-	1.4W（塔）
AON6500_001	-	询价	3080	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安650		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	71A（Ta）、200A（Tc）	4.5V、10V	0.95毫欧@20A，10V	2V@250μA	145nC@10V	±20V	7036pF@15V	-	7.3W（Ta）、83W（Tc）
AON4407L_002	-	询价	第1478章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		12V	9A（塔）	1.5V、4.5V	20毫欧@9A，4.5V	850mV@250μA	23nC@4.5V	±8V	2100pF@6V	-	2.5W（塔）
怡安7402L	-	询价	2439	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	13.5A（Ta）、39A（Tc）	4.5V、10V	10毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	17.8nC@10V	±20V	770pF@15V	-	3.1W（Ta）、26W（Tc）
AOB298L	-	询价	3356	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB298		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	9A（Ta）、58A（Tc）	10V	14.5毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	27nC@10V	±20V	1670pF@50V	-	2.1W（Ta）、100W（Tc）
AOTF4S60	0.6993	询价	9030	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	900毫欧@2A，10V	4.1V@250μA	6nC@10V	±30V	100V时为263pF	-	31W（温度）
AOK40B60D1	4.2000年	询价	7288	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK40	标准		278 W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1623-5	EAR99	8541.29.0095	30			400V，40A，7.5欧姆，15V											127纳秒	-	600伏	80A	140A	2.4V@15V，40A	1.55mJ（开），300μJ（关）	45℃	29纳秒/74纳秒
冠安6108FH	-	询价	6232	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-	-	-	怡安6108		-		-	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON6108FHTR	过时的		3,000		-			-	-	-	-		-		-	-
AOTF4N60_台达	-	询价	9321	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-			REACH 不出行	第785章			1		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.2欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	18nC@10V	±30V	615pF@25V	-	35W（温度）
AO4264_台达	-	询价	2487	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	12A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	20nC@4.5V	±20V	2007pF@30V	-	3.1W（塔）
AOB284L	-	询价	第1187章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB284		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		80V	16A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	4.3毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	100nC@10V	±20V	5154pF@40V	-	2.1W（Ta）、250W（Tc）
奥卡32317	0.3699	询价	2285	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡323		MOSFET（金属O化物）	3.1W（塔）	10-AlphaDFN (3.37x1.47)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA32317TR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极			30V	17A（塔）		7.3毫欧@5A，10V	2V@250μA	70nC@10V		-	标准

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²