晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOD66919	0.6619	询价	4969	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD66919TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	22A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	6.2W（Ta）、156W（Tc）
AOTF7T60L	-	询价	3071	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF7		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	1.1欧姆@3.5A，10V	5V@250μA	24nC@10V	±30V	962pF@100V	-	29W（温度）
AOY2N60	0.2634	询价	2207	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY2		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		600伏	2A（温度）	10V	4.7欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	295pF@25V	-	57W（温度）
AO4485_102	-	询价	6506	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		40V	10A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	55.4nC@10V	±20V	3000pF@20V	-	1.7W（塔）
AO4409	-	询价	1100	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	15A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@15A，10V	2.7V@250μA	120nC@10V	±20V	6400pF@15V	-	3.1W（塔）
AOD66616	0.7119	询价	4018	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD66616TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	70A（温度）	6V、10V	3.7毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	60nC@10V	±20V	2870pF@30V	-	113W（温度）
AONR36368	0.5100	询价	1265	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONR363		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	23A（Ta）、32A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.1V@250μA	25nC@10V	±20V	1305pF@15V	-	4.1W（Ta）、24W（Tc）
AO4803AL	-	询价	第1132章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO4803		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 P 沟道（双）			30V	5A		46mOhm@5A，10V	2.5V@250μA	11nC@10V		520pF@15V	逻辑电平门
怡安6400L	-	询价	3765	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安640				8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000					85A（温度）
AOY526	-	询价	2163	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY52		MOSFET（金属O化物）		TO-251B	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		N沟道		30V	18A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	33nC@10V	±20V	1550pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOK50B65H1	3.1611	询价	5392	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK50	标准		375W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240			400V，50A，6欧姆，15V											261纳秒	-	650伏	100A	150A	2.4V@15V，50A	1.92mJ（开），850μJ（关）	76 纳克	37纳秒/141纳秒
AON7702B	-	询价	5533	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	13.5A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	9.5毫欧@13.5A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	15V时为810pF	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、23W（Tc）
怡安7502	0.2537	询价	1940年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	21A（Ta）、30A（Tc）	6V、10V	4.7毫欧@20A，10V	3V@250μA	22nC@10V	±25V	1022pF@15V	-	3.1W（Ta）、31W（Tc）
怡安4705L	-	询价	6387	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	怡安470		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		20V	4A（塔）	1.8V、4.5V	65mOhm@4A，4.5V	1V@250μA	11nC@4.5V	±8V	745pF@10V	肖特基分散（隔离）	1.7W（塔）
建安7422G	0.6000	询价	1604	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安742		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	32A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	60nC@10V	±20V	2300pF@15V	-	28W（温度）
自动检测器508	-	询价	5889	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI50		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载		1（无限制）	REACH 不出行	785-1457-5	EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道		30V	22A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@20A，10V	2.2V@250μA	49nC@10V	±20V	2010pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
奥慕66414Q	1.4670	询价	4111	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	奥牧66414		MOSFET（金属O化物）	6.2W（Ta）、68W（Tc）、6.2W（Ta）、65W（Tc）	8-DFN (8x5)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOMU66414QTR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道			40V	40A（Ta）、85A（Tc）		2.3毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	60nC@10V		3350pF @ 20V	标准
AOD418	-	询价	2353	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	13.5A（Ta）、36A（Tc）	4.5V、10V	7.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOWF160A60	1.6199	询价	9824	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF160		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOWF160A60	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	24A（温度）	10V	160毫欧@12A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±20V	100V时为2340pF	-	27.7W（温度）
AOK40N30L	2.1911	询价	9177	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK40		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1447-5	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		300伏	40A（温度）	10V	85毫欧@20A，10V	4.1V@250μA	72nC@10V	±30V	3270pF@25V	-	357W（温度）
AONP36320	0.4240	询价	第1639章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONP363		MOSFET（金属O化物）	3.3W（Ta）、50W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONP36320TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）共漏极			30V	26A（Ta）、100A（Tc）、27A（Ta）、103A（Tc）		3.2毫欧@20A、10V、3毫欧@20A、10V	2.1V@250μA	40nC@10V		1700pF@15V，1650pF@15V	标准
怡安2803G	0.2331	询价	3769	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极				怡安280					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AON2803GTR			3,000
AOU3N60	0.3076	询价	9424	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU3		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1182-5	EAR99	8541.29.0095	80		N沟道		600伏	2.5A（温度）	10V	3.5欧姆@1.25A，10V	4.5V@250μA	12nC@10V	±30V	370pF@25V	-	56.8W（温度）
AOSD62666E	1.1600	询价	15	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSD62666		MOSFET（金属O化物）	2.5W（塔）	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			60V	9.5A（塔）		14.5毫欧@9.5A，10V	2.2V@250μA	10nC@4.5V		755pF@30V	逻辑电平门
AOD66923	1.1200	询价	12	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	16.5A（Ta）、58A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	35nC@10V	±20V	1725pF@50V	-	6.2W（Ta）、73W（Tc）
AOD514	0.5200	询价	10	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD51		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		30V	17A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
冠安6566P	-	询价	5461	阿尔法与欧米茄半导体公司	*	大部分	过时的		表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安656				8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
AOTF4N90_002	-	询价	2138	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-	-	-	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		-	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			-	-	-	-		-		-	-
AOT2916L	-	询价	3193	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT2916		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		100V	5A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	34mOhm@10A，10V	2.7V@250μA	20nC@10V	±20V	870pF@50V	-	2.1W（Ta）、41.5W（Tc）
奥卡36102E	0.4671	询价	6010	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	10-SMD，无铅	奥卡36102		MOSFET（金属O化物）	3.1W	10-AlphaDFN (3.4x1.96)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOCA36102ETR	EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道			22V	30A		2.8毫欧@5A，4.5V	1.25V@250μA	37nC@4.5V		-	标准

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²