晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AOTL66608	6.8600	询价	13	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN	AOTL666		MOSFET（金属O化物）		托拉	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	73.5A（Ta）、400A（Tc）	6V、10V	0.85毫欧@20A，10V	3.3V@250μA	300nC@10V	±20V	14200pF@30V	-	8.3W（Ta）、500W（Tc）
AOB66918L	4.3664	询价	8306	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB66918		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOB66918LTR	EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	33A（Ta）、120A（Tc）	8V、10V	5毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	105nC@10V	±20V	6500pF@50V	-	10W（Ta）、375W（Tc）
奥恩斯66909	1.4206	询价	7234	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS66909TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	30A（Ta）、160A（Tc）	8V、10V	4.2毫欧@20A，10V	3.7V@250μA	75nC@10V	±20V	50V时为4100pF	-	7.3W（Ta）、208W（Tc）
AOD442G	0.7600	询价	222	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD44		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	13A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	68nC@10V	±20V	1920pF@30V	-	6.2W（Ta）、60W（Tc）
AO8807	-	询价	3053	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	AO880		MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-TSSOP	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			12V	6.5A		20毫欧@6.5A，4.5V	850mV@250μA	23nC@4.5V		2100pF@6V	逻辑电平门
AOT266L	2.4200	询价	第865章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT266		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1415-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	18A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	3.5毫欧@20A，10V	3.2V@250μA	90nC@10V	±20V	5650pF@30V	-	2.1W（Ta）、268W（Tc）
怡安7596	-	询价	2630	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				安安75					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AON7596TR	过时的		5,000					-
AOWF11S60	1.1876	询价	5151	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	最后一次购买	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOWF11		MOSFET（金属O化物）		TO-262F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	11A（温度）	10V	399毫欧@3.8A，10V	4.1V@250μA	11nC@10V	±30V	545pF@100V	-	28W（温度）
AOT12N65_001	-	询价	4142	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特12		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	12A（温度）	10V	720毫欧@6A，10V	4.5V@250μA	48nC@10V	±30V	2150pF@25V	-	278W（温度）
奥恩斯66919	1.5500	询价	第1159章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯669		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	23A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	5.9毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	6.2W（Ta）、113W（Tc）
AOD413	-	询价	8609	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD41		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		40V	24A（塔）	4.5V、10V	45毫欧@12A，10V	3V@250μA	14.1nC@10V	±20V	850pF@20V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AO4290A	0.7088	询价	6606	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	15.5A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@15.5A，10V	2.3V@250μA	95nC@10V	±20V	50V时为4525pF	-	3.1W（塔）
AO4286	0.2299	询价	2204	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO42		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	4A（温度）	4.5V、10V	68毫欧@4A，10V	2.9V@250μA	10nC@10V	±20V	50V时为390pF	-	2.5W（塔）
AO4476A	0.6800	询价	109	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	15A（塔）	4.5V、10V	7.7毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1380pF@15V	-	3.1W（塔）
奥恩斯66405	1.0512	询价	2326	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	奥恩斯664		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS66405TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	68A（Ta）、310A（Tc）	8V、10V	0.95毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	165nC@10V	±20V	9700pF@20V	-	7.3W（Ta）、215W（Tc）
AO4312	-	询价	6773	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO43		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		36V	23A（塔）	4.5V、10V	4.5毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	34nC@10V	±20V	18V时为2345pF	-	4.2W（塔）
AO6409A_102	-	询价	9120	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的				AO640					下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000					5.5A（塔）
AO3401A	0.4600	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	44毫欧@4.3A，10V	1.3V@250μA	12.2nC@4.5V	±12V	1200pF@15V	-	1.4W（塔）
AOT10B65M2	2.0500	询价	第837章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	奥特10	标准		150W	TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1762	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V，10A，30欧姆，15V											262纳秒	-	650伏	20A	30A	2V@15V，10A	180μJ（开），130μJ（关）	24nC	12纳秒/91纳秒
AO4406AL_103	-	询价	2115	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	17nC@10V	±20V	910pF@15V	-	3.1W（温度）
AOU7S60	-	询价	2077	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU7		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	80		N沟道		600伏	7A（温度）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.9V@250μA	10V时为8.2nC	±30V	100V时为372pF	-	83W（温度）
AOSP66406	0.2267	询价	6295	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP664		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOSP66406TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	17A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@17A，10V	2.5V@250μA	30nC@10V	±20V	1480pF@20V	-	3.1W（塔）
AOW125A60	4.3900	询价	7	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	AOW125		MOSFET（金属O化物）		TO-262	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AOW125A60	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	28A（温度）	10V	125毫欧@14A，10V	4.5V@250μA	39nC@10V	±20V	2993pF@100V	-	312.5W（温度）
AOC3862	0.4036	询价	8090	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XDFN	AOC386		MOSFET（金属O化物）	2.5W	6-DFN (3.55x1.77)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极			-	-		-	1.25V@250μA	46nC@4.5V		-	-
AOK53S60	6.2118	询价	9054	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK53		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		600伏	53A（温度）	10V	70毫欧@26.5A，10V	3.8V@250μA	59nC@10V	±30V	3034pF@100V	-	520W（温度）
AOK20B135D1	4.6200	询价	171	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	AOK20	标准		340W	TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1687-5	EAR99	8541.29.0095	30			600V，20A，15欧姆，15V												-	1350伏	40A	80A	1.8V@15V，20A	1.05mJ（关闭）	66 纳克	-/156ns
AOU3N50_001	-	询价	7990	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	AOU3		MOSFET（金属O化物）		TO-251-3	-			REACH 不出行	785-AOU3N50_001			1		N沟道		500V	2.8A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.5V@250μA	8nC@10V	±30V	331pF@25V	-	57W（温度）
AON2707_001	-	询价	8540	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	AON27				6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000					4A（塔）
AO4423L	-	询价	7181	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	17A（塔）	6V、20V	6.2毫欧@15A，20V	2.6V@250μA	57nC@10V	±25V	3033pF@15V	-	3.1W（塔）
AOB10T60PL	-	询价	1037	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	奥布10		MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		600伏	10A（温度）	10V	700毫欧@5A，10V	5V@250μA	40nC@10V	±30V	1595pF@100V	-	208W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²