晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
怡安7232	0.4484	询价	7031	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	37A（温度）	4.5V、10V	13.5毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	40nC@10V	±20V	1770pF@50V	-	39W（温度）
AOT440L	-	询价	8812	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的		通孔	TO-220-3	AOT44				TO-220	-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	50					-
AONP36332	1.2000年	询价	第1594章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	AONP363		MOSFET（金属O化物）	3.4W（Ta）、33W（Tc）、3.1W（Ta）、30W（Tc）	8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	24A（Ta）、50A（Tc）、20A（Ta）、50A（Tc）		3.7毫欧@20A、10V、4.7毫欧@20A、10V	1.9V@250μA	40nC@10V，30nC@10V		1520pF@15V	标准
AOT440L_001	-	询价	5267	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	管子	过时的		通孔	TO-220-3	AOT44				TO-220	-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	50					-
AON6718L_101	-	询价	3551	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-DFN	爱安67		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	18A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	72nC@10V	±20V	15V时为4463pF	肖特基分化（体）	2.1W（Ta）、83W（Tc）
AOK040A60	6.7519	询价	6361	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	AOK040		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOK040A60	EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		600伏	70A（温度）	10V	40毫欧@25A，10V	3.6V@250μA	175nC@10V	±20V	9320pF@100V	-	500W（温度）
AOE6932	0.7598	询价	4328	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	AOE693		MOSFET（金属O化物）	24W、52W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价			30V	55A（温度）、85A（温度）		5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V	2.2V@250μA，1.9V@250μA	15nC@4.5V，50nC@4.5V		1150pF@15V，4180pF@15V	-
AO5803E	-	询价	5544	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	AO580		MOSFET（金属O化物）	400毫W	SC-89-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	-		800毫欧@600毫安，4.5伏	900mV@250μA	-		100pF@10V	逻辑电平门
AO4806L	-	询价	3926	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			20V	-		14毫欧@9.4A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AOI21357	0.7500	询价	5283	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	兴趣区21		MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	70		P沟道		30V	23A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	70nC@10V	±25V	15V时为2830pF	-	6.2W（Ta）、78W（Tc）
AOC3868	0.3076	询价	第1322章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XDFN	AOC386		MOSFET（金属O化物）	2.5W	6-DFN (2.7x1.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极			-	-		-	1.1V@250μA	50nC@4.5V		-	-
AO3406	0.4100	询价	222	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	3.6A（塔）	4.5V、10V	50毫欧@3.6A，10V	2.5V@250μA	5nC@10V	±20V	15V时为210pF	-	1.4W（塔）
AOC3864	-	询价	2079	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XDFN	AOC386		MOSFET（金属O化物）	2.4W	6-DFN (2.7x1.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2个N沟道（双）共漏极			-	-		-	1.3V@250μA	38nC@4.5V		-	-
AO5800E	-	询价	3096	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	AO580		MOSFET（金属O化物）	400毫W	SC-89-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			60V	-		1.6欧姆@400mA，10V	2.5V@250μA	-		50pF@30V	逻辑电平门
AOC2804	-	询价	6403	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	4-XDFN	AOC280		MOSFET（金属O化物）	700毫W	4-DFN (1.5x1.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			-	-		-	-	9.5nC@4.5V		-	-
AOB15B65M1	2.3600	询价	2392	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB15	标准		214W	TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800			400V，15A，20欧姆，15V											317纳秒	-	650伏	30A	45A	2.15V@15V，15A	290μJ（开），200μJ（关）	32nC	13纳秒/116纳秒
AO4419L	-	询价	1090	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	9.7A（塔）	4.5V、10V	20毫欧@9.7A，10V	2.7V@250μA	32nC@10V	±20V	1900pF@15V	-	3.1W（塔）
AON7702B	-	询价	5533	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安77		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	13.5A（Ta）、20A（Tc）	4.5V、10V	9.5毫欧@13.5A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	15V时为810pF	肖特基分化（体）	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOD256_001	-	询价	6662	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD25		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	3A（Ta）、19A（Tc）	4.5V、10V	85毫欧@10A，10V	2.8V@250μA	22nC@10V	±20V	75V时为1165pF	-	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AO6601	0.1546	询价	3249	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO660		MOSFET（金属O化物）	1.15W	6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道互补			30V	3.4A、2.3A		60毫欧@3.4A，10V	1.5V@250μA	12nC@10V		285pF@15V	逻辑电平门
AOTF2146L	1.1619	询价	4981	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF2146		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOTF2146LTR	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		40V	42A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	2.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	70nC@10V	±20V	3830pF@20V	-	8.3W（Ta）、29.5W（Tc）
AOTF4N60L	0.9700	询价	28	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF4		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1790	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	4A（温度）	10V	2.2欧姆@2A，10V	4.5V@250μA	18nC@10V	±30V	615pF@25V	-	35W（温度）
AON4421_001	-	询价	4232	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	AON44		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (3x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@8A，10V	1.8V@250μA	21nC@10V	±20V	1120pF@15V	-	2.5W（塔）
AO3160_001	-	询价	5333	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	AO3160		MOSFET（金属O化物）		SOT-23A-3	-			REACH 不出行	785-AO3160_001			1		N沟道		600伏	40毫安（塔）	4.5V、10V	500欧姆@16mA，10V	3.2V@8μA	1.5nC@10V	±20V	15pF@25V	-	1.39W（塔）
AO4892	0.2741	询价	第1485章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO489		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			100V	4A		68毫欧@4A，10V	2.8V@250μA	12nC@10V		415pF@50V	-
怡安6816	1.0100	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，写入	怡安681		MOSFET（金属O化物）	2.8W	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2个N沟道（双）共漏极			30V	17A		6.2毫欧@16A，10V	2.2V@250μA	45nC@10V		1540pF@15V	逻辑电平门
AOD5T40P_101	-	询价	5063	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	3.9A（温度）	10V	1.45欧姆@1A，10V	5V@250μA	9nC@10V	±30V	100V时为273pF	-	52W（温度）
建安7422G	0.6000	询价	1604	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安742		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	32A（温度）	4.5V、10V	4.6毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	60nC@10V	±20V	2300pF@15V	-	28W（温度）
怡安2406	0.6300	询价	62	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	AON24		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		20V	8A（塔）	1.5V、4.5V	12.5毫欧@8A，4.5V	1V@250μA	18nC@4.5V	±8V	1140pF@10V	-	2.8W（塔）
AO4447A_104	-	询价	第1473章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-AO4447A_104TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	18.5A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@18.5A，10V	2.2V@250μA	130nC@10V	±20V	5020pF@15V	-	3.1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²